__attribute__((section(".ROM_D0")))  static const uint64_t Key_Flash[1]={0xFFFFFFFFFFFFFFFFUL};
__IO  uint64_t  Key_ID=0x1234567812345678;
__IO  uint64_t  Key=*(__IO uint64_t*)Key_Flash;
__HAL_FLASH_PREFETCH_BUFFER_DISABLE();       //关闭FLASH预取缓冲区
if(0xFFFFFFFFFFFFFFFFUL==Key)
{
    HAL_FLASH_Unlock();
    __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
    HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, (uint32_t)Key_Flash, Key_ID);
    HAL_FLASH_Lock();
}

wbg 发表于 2024-8-2 15:06
没有任何写保护

我刚才测试发现，基于常量方式写FF还有局限性，有坑~！。比方这样定义常量,然后不擦除就写，行不通。我第一个双字不是全F，后面几个都是全F，不擦的话都写不了。

如果像下面这里有，前两个双字可以写，后面的也写不了。

所以你要换个写法。

==》这个地方我要补充下。~~~~

应该是当时我误会了，没有坑的说法。 通过常量定义预留的全FF单元是后期可以改写的。我当时是因为对非FF单元做写操作出错了，导致其他地方都没法写了，是误会。后来我有测试了，只要是通过常量定义预留的全FF单元都是可以改写的。比方下图贴出的情形。【当然，基本编程规则和对齐都是要遵守的】

我刚基于G474RE开发板和现有例程，对第254页做了数据写操作，写了16个字节。

![image.png](data/attachment/forum/202408/02/111301f2v3xipsu48bqqic.png?imageMogr2/auto-orient/strip%7CimageView2/2/w/300

"image.png")

可以成功擦、写。 这里因为到第254页，我将BANK号改为BANK2了，其它都沿用现有写法。

我就是参考了TM32Cube_FW_G4_V1.6.0\Projects\NUCLEO-G474RE\Examples\FLASH\FLASH_EraseProgram这个例程，还进行了双BANK升级，写入成功，但具体到这里的程序代码，要求写入单个64位数据，就会失败，调了很长时间也没成功。区别是，这里是在程序执行BANK中写入，升级是在后备BANK中写入。

建议仔细阅读函数的说明。

对于G4系列你可以参考这个例程。


TM32Cube_FW_G4_V1.6.0\Projects\NUCLEO-G474RE\Examples\FLASH\FLASH_EraseProgram


这个操作肯定是没问题的，我这边测试过了的。


你注意在调用函数时，参数别给错了，到底地址指针还是地址数据这些小细节要注意。


还有，这个例程是默认根据双BANK设计的，当地址范围超过1个bank后，它的页地址又重0开始计算的，这时基于现有例程的话，BANK号
改为FLASH_BANK_2，这个地方也要注意。

wbg 发表于 2024-8-2 08:42
我就是参考了TM32Cube_FW_G4_V1.6.0\Projects\NUCLEO-G474RE\Examples\FLASH\FLASH_EraseProgram这个例 ...

[md]那你检查下if条件到底能不能成立？再就是要写的地方是否为擦过了。

xmshao 发表于 2024-8-2 11:15
[md]我刚基于G474RE开发板和现有例程，对第254页做了数据写操作，写了16个字节。

![image.png](data/attac ...

我的代码，1.没有擦除，因为要写的地址里是0xFFFFFFFFFFFFFFFF；2. 只定义了1个数据；3. 要写的地址是`0x08007bb0`在BANK1。所以才失败吗？

wbg 发表于 2024-8-2 11:40
我的代码，1.没有擦除，因为要写的地址里是0xFFFFFFFFFFFFFFFF；2. 只定义了1个数据；3. 要写的地址是`0x0 ...

写之前应该擦除过的就行，不能是写过的。

如果基于常量定义双字为全F，经测试 写入是没有问题的。当然，还要注意地址的双字对齐。

1、你保证欲写的地方 是擦除过了的；
2、你定义几个变量按理跟这个写没啥关系；
3、bank1 bank2都是可以写的。你的地址目前落在第15页，我基于例程稍作调整进行验证没问题。


while (Address < 0x08007bb0+16)
{
   if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, Address, DATA_64) ==HAL_OK)
   {
     Address = Address + 8;  /* increment to next double word*/
   }
  else
   {。。。。。。。。。。。





注意这是的bank编号是BANK1.

xmshao 发表于 2024-8-2 12:01</p>
<p>写之前应该擦除过的就行，不能是写过的。

[md]会不会写保护，所以失败？

wbg 发表于 2024-8-2 13:26
会不会写保护，所以失败？

你通过STM32CubeProgrammer连接后看看，或者自己代码里读相关页的些保护标志位来判断。

xmshao 发表于 2024-8-2 14:03
你通过STM32CubeProgrammer连接后看看，或者自己代码里读相关页的些保护标志位来判断。
...

没有任何写保护

xmshao 发表于 2024-8-2 15:54</p>
<p>我刚才测试发现，基于常量方式写FF还有局限性，有坑~！。比方这样定义常量,然后不擦除就写，行不通。 ...

[md]看错误代码说是要写的FLASH地址与双字不对齐，但系统分配的地址是对齐的，整不会了

wbg 发表于 2024-8-2 16:33
看错误代码说是要写的FLASH地址与双字不对齐，但系统分配的地址是对齐的，整不会了
...

呵呵 这里的flash编程遵守双字对齐是必须的了。