目前在做flash断电保存 flash的使用率才0.03多 也专门选择了flash最后的部分但是很容易冲突（单片机像是卡死去掉就好了）所以想问问各位大佬有什么好的方法!

一般来讲，这个选地址尽量避开用户程序区即可。如果支持双BANK，跨BANK选择更佳。具体到你这里，没有双BANK的说法。


对于非双bankx芯片而言，在做片内FLASH擦写时，CPU往往是被堵塞的。即此时除了FLASH的擦写操作外，其它程序是暂停的，包


括中断服务程序的响应。


FLASH编程过程中，会导致某些事件或任务没能及时响应，进而导致后续连锁反应，比方溢出啊、通信中断啊等等。


所以我们最好在代码里强化这方面预防性处理，比方溢出管理、超时管理、出错管理等，以便及时解除异常，回归正常。

官方有个详细的介绍如何用FLASH 虚拟 EEPROM 操作的比价，可以参考一下。可以在官网上搜索一下。