STM32Cube学习之：限制程序运行次数.pdf (816.5 KB, 下载次数: 1930)

2016-12-8 15:48 上传

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牛人，感谢分享

深谷幽泉 发表于 2017-6-4 19:56
/ |0 M7 d- n: r8 T1 _我比较感兴趣的是FLASH不擦除直接写一个字节进去是怎么实现的

( r1 C2 \9 R. i2 r' VFLASH的操作特性是先擦除后写入。
写操作可以将1bit改写成0bit，要将0bit改写成1bit只能用擦除操作。
7 O5 @' T) y! b
+ R8 J( T8 \. @1 [; n如果想要实现按字节写FLASH，需要4个步骤：读->改->擦->写。
, t2 W6 n+ H- O( r先读取整个扇区到缓存，
修改缓存对应的位置数据，
# I8 Q3 P, w3 E然后擦除整个扇区，
最后在把缓存数据写入扇区。
9 I, r* h: B1 Z; J! }; `
. Q+ M: P1 w3 k- B# u可以参考正点原子教程中关于FLASH读写的相关章节。

adlu 发表于 2017-6-5 09:01
/ ~. ~, j- D* K* N( F; |4 S2 gFLASH的操作特性是先擦除后写入。
写操作可以将1bit改写成0bit，要将0bit改写成1bit只能用擦除操作。

7 @9 f% O: Y% z/ h/ g* u; h哈哈，居然是你回复我，刚才突然发现；
' P1 k, [9 k& N: Z其实我不是问FLASH操作流程，我是看到你提到可以解锁FLASH，然后写一个字节到FLASH,中间没有擦除过程，觉得这个可以简化FLASH操作流程，并且节约了擦FLASH耗费的时间，所以想了解下是怎么实现的，以前还真没这么干过。
后来去百度了下，已经知道是怎么回事了，这样处理在某些场合可以用。

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我比较感兴趣的是FLASH不擦除直接写一个字节进去是怎么实现的

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挺实用的方法，学习一个

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