#define FLASH_USER (FLASH_BASE+0x00100000U)
void StartDefaultTask(void const * argument)
{

  /* USER CODE BEGIN 5 */
  uint32_t i = 0;
  uint32_t * pFlash_Data = (uint32_t *)FLASH_USER;
  /* Infinite loop */
  for(;;)
  {
        osDelay(5000);
        HAL_FLASH_Unlock();
        HAL_FLASH_Program(FLASH_PSIZE_WORD,FLASH_USER, (uint64_t)i++);
        HAL_FLASH_Lock();
        FLASH_WaitForLastOperation(100);
          
        printf("Hello world%d\n\r",*pFlash_Data);
        HAL_GPIO_WritePin(GPIOB, LD1_GREEN_Pin, i&0x00000001);
        //HAL_UART_Transmit(&huart3, "a", 1, 0xFFFF);
  }
  /* USER CODE END 5 */
}
以上代码写入后读出测试失败，大侠给个例子吧。

调试状态下地址与数值

12个sector，看来不好操作啊。

我觉得，还是使用串口打印数据比较好，在线调试，很多数据都不同步的！！！！而且经常出现这个问题。。。至于操作FLASH，没搞过！！！

flash用来存数据，选越小的扇区越好，擦除速度是问题，好像都是扇区擦除的

官方例程里有flash操作。另外建议写flash操作测试代码时加上计数标志，防止持续写flash

/* Includes ------------------------------------------------------------------*/
#include "IAP_IN_MCU.h"
#include <string.h>
/* -------------------------------------------------------------*/

//const unsigned char Flash_Var[1024*16*2] __attribute__ ((at(FLASH_USER_START_ADDR)));
//******************************************************************************************

const unsigned int PHY_SECTOR_ADDR[]={
        ADDR_FLASH_SECTOR_7,ADDR_FLASH_SECTOR_8,ADDR_FLASH_SECTOR_9,ADDR_FLASH_SECTOR_10,
};
const unsigned int ERASE_PHY_SECTOR_ADDR[]={
        FLASH_Sector_7,FLASH_Sector_8,FLASH_Sector_9,FLASH_Sector_10,
};
//计算扇区的物理地址
unsigned int MCU_Get_LB_Sector(unsigned int LB_sector,unsigned int *blk,unsigned int *page,unsigned int *EraseBlk){
        unsigned int sectorNo,offset;
       
        offset                 =LB_sector / MAX_BLOCK_CNT;
        sectorNo        =LB_sector % MAX_BLOCK_CNT;
        *blk=        sectorNo;//PHY_SECTOR_ADDR[sectorNo];
        *page= offset;
        *EraseBlk=ERASE_PHY_SECTOR_ADDR[sectorNo];
        if(offset >=MAX_BLOCK_SECTOR) return 1;
        return 0;
}
/* Private function prototypes -----------------------------------------------*/
//删除扇区 SECTOR=8,9,10,11#
unsigned char MCU_Flash_Earse(unsigned int PHYsector){

  FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP                 | FLASH_FLAG_OPERR         | FLASH_FLAG_WRPERR         |
                  FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR        |        FLASH_FLAG_PGSERR);

  /* Device voltage range supposed to be [2.7V to 3.6V], the operation will  be done by word */
  if(FLASH_EraseSector(PHYsector, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE) return 1;
        return 0;
}
//*************************************************************************************************
//MCU 读取一个页 cnt=字节数
unsigned int MCU_Flash_Read(unsigned int page,unsigned int block,unsigned char *buf,unsigned int cnt){
        unsigned int adr;
        adr=block*MAX_BLOCK_SIZES+page*MAX_SECTOR_SZIES+START_FLASH_SECTOR;
        memcpy(buf,(unsigned char *)adr,cnt);
        return 0;
}
//*************************************************************************************************
//MCU 读取一个页 cnt=字节数
unsigned int MCU_Flash_Read_to_BufCmp(unsigned int page,unsigned int block,unsigned char *buf,unsigned int cnt){
       
        volatile unsigned char *adr;
        adr=(volatile unsigned char *)(block*MAX_BLOCK_SIZES+page*MAX_SECTOR_SZIES+START_FLASH_SECTOR);
        while(cnt--){
                if(*adr++ != *buf++ ) return 1;
        }
        return 0;
}
//*************************************************************************************************
//MCU 读取一个页 cnt=字节数
unsigned int MCU_Flash_Read_to_ByteCmp(unsigned int page,unsigned int block,unsigned char Byte,unsigned int cnt){
        volatile unsigned char *adr;
       
        adr=(volatile unsigned char *)(block*MAX_BLOCK_SIZES+page*MAX_SECTOR_SZIES+START_FLASH_SECTOR);
        while(cnt--){
                if(*adr++ != Byte ) return 1;
        }
        return 0;
}
//*************************************************************************************************
//写入字节 cnt=字节数
//*************************************************************************************************
unsigned int MCU_Flash_Program(unsigned int page,unsigned int block,unsigned char *buf,unsigned int cnt){
        unsigned int adr;
       
       
        FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP                 | FLASH_FLAG_OPERR         | FLASH_FLAG_WRPERR         |
                  FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR        |        FLASH_FLAG_PGSERR);

        #ifdef FLASH_WORD_BYTE
                unsigned int *p;
                p=(unsigned int *)buf;
                cnt >>=2;
               
                adr=block*MAX_BLOCK_SIZES+page*MAX_SECTOR_SZIES+START_FLASH_SECTOR;
                while(cnt--){
                        if(FLASH_ProgramWord (adr,*p++) != FLASH_COMPLETE) break;
                        adr +=4;
                }
        #else
                adr=block*MAX_BLOCK_SIZES+page*MAX_SECTOR_SZIES+START_FLASH_SECTOR;
                while(cnt--){
                        if(FLASH_ProgramByte (adr++,*buf++) != FLASH_COMPLETE) break;
                }       
        #endif
        return 0;
}
//*******************************************************************************************
//优化处理 cnt=扇区数！
unsigned int MCU_Optimized( unsigned int sector, unsigned char *buf ,unsigned int cnt){
        unsigned int block,page,eraseBlk;

        cnt *=MAX_SECTOR_SZIES;
        if(MCU_Get_LB_Sector(sector,&block,&page,&eraseBlk))                         return 1;
        if(MCU_Flash_Read_to_BufCmp(page,block,buf,cnt)==0)                         return 0;
        if(MCU_Flash_Read_to_ByteCmp(page,block,0xff,cnt))                                 return 1;
        FLASH_Unlock();
        //FLASH_PrefetchBufferCmd(DISABLE);
       
        MCU_Flash_Program(page,block,buf,cnt);
       
        //FLASH_PrefetchBufferCmd(ENABLE);
        FLASH_Lock();
        return 0;
}
//#define USE_SDRAM
//***************************************************************************************
//COPY 数据到任意位置 未先删除处理的扇区亦可,不跨块写！！ cnt=要写入的页数！
//***************************************************************************************
unsigned int  MCU_SWAP_Wirte(unsigned int sector, unsigned char *buf ,unsigned int cnt){

        unsigned int block,page,eraseBlk,n;
        unsigned char *p;
        //***********************************************************
        //处理交换块
        //***********************************************************
        if(MCU_Get_LB_Sector(sector,&block,&page,&eraseBlk)) return 1;
        FLASH_Unlock();
        //FLASH_PrefetchBufferCmd(DISABLE);
        //-----------------------------------------------------------
        #ifndef USE_SDRAM
                MCU_Flash_Earse(SWAP_FLASH_SECTOR);                        //删除了交换快
                MCU_Flash_Program(0,LB_SWAP_FLASH_ADDR,(unsigned char *)PHY_SECTOR_ADDR[block],MAX_BLOCK_SIZES);
                p=(unsigned char *)SWAP_FLASH_ADDR;
        #else
                p=(unsigned char *)0xd0000000;
                memcpy(p,(unsigned char *)PHY_SECTOR_ADDR[block], MAX_BLOCK_SIZES);
        #endif
        MCU_Flash_Earse(eraseBlk);                                                        //删除了原数据块
        //***********************************************************
        //如何写回一个块数据  从0扇区开始到要插入的页前！
        //***********************************************************
        //如何写回一个块数据
                //***********************************************************
        //如何写回一个块数据  从0扇区开始到要插入的页前！
        n=page * MAX_SECTOR_SZIES;
        MCU_Flash_Program(0,block,p,n );
        //------------------- 写入新数据 --------------------------------------
        MCU_Flash_Program(page,block,buf, cnt * MAX_SECTOR_SZIES);
        n +=cnt * MAX_SECTOR_SZIES;
        MCU_Flash_Program(page+cnt,block,p+n, MAX_BLOCK_SIZES-n);

        //FLASH_PrefetchBufferCmd(ENABLE);
        FLASH_Lock();
        return 0;
}
//**************************************************************************************************
//写数据  4K一个扇区读取！ sector=0,...n 逻辑地址！
//***********************************************************************************************
unsigned char MCU_Flash_Sector_write(unsigned int sector,unsigned char *buf,unsigned int cnt){

        while(cnt--){
                //********************************************************************
                //优化处理
                if(MCU_Optimized(sector,buf,1)) MCU_SWAP_Wirte(sector,buf,1);
                buf +=MAX_SECTOR_SZIES;
                sector++;
        }
        return 0;
}
//***********************************************************************************************
//读取数据  一个扇区读取！ sector=0,...n 逻辑地址！
//***********************************************************************************************
unsigned char MCU_Flash_Sector_Read(unsigned int sector,unsigned char *buf,unsigned int cnt){
        unsigned int block,page,eraseBlk;

        while(cnt--){
                if(MCU_Get_LB_Sector(sector++,&block,&page,&eraseBlk)) return 1;
                MCU_Flash_Read(page,block,buf,MAX_SECTOR_SZIES);                                                                  //最多读取一个页的数据！
                buf +=MAX_SECTOR_SZIES;
        }
        return 0;
}

赶紧走正道，下个STM32CubeF7，解压后在如下典型目录中即可找到你想要的：
\Projects\STM32F769I_EVAL\Examples\FLASH

mon51 发表于 2017-7-5 11:00
/* Includes ------------------------------------------------------------------*/
#include "IAP_IN_MC ...

谢谢答复。
IAP_IN_MCU.h是那个环境的？
我是用CUBEMX生成的工程。

斜阳__ 发表于 2017-7-5 10:55
官方例程里有flash操作。另外建议写flash操作测试代码时加上计数标志，防止持续写flash ...

给个下载地址吧，F1的我能搞定。F7的完全不同啊。

队长shiwo 发表于 2017-7-5 09:45
flash用来存数据，选越小的扇区越好，擦除速度是问题，好像都是扇区擦除的 ...

是这个理啊，可惜程序烧写占了前面的小块。

moyanming2013 发表于 2017-7-5 11:53
赶紧走正道，下个STM32CubeF7，解压后在如下典型目录中即可找到你想要的：
\Projects\STM32F769I_EVAL\Exam ...

谢谢大侠提醒，看过说明后我死了用片山Flash存数据的心，还是外部加个QSPI的EEPROM吧，擦除一个bank才能写，看来只有IAP适合用。

CubeMX中下载的hal库文件里。或者去st.com下载

kylongmu 发表于 2017-7-5 18:07
是这个理啊，可惜程序烧写占了前面的小块。

编译的时候地址偏移啊，第一个扇区用来跳转，跳过第二个扇区，第二个存数据呗

队长shiwo 发表于 2017-7-6 08:54
编译的时候地址偏移啊，第一个扇区用来跳转，跳过第二个扇区，第二个存数据呗 ...

是个办法，不过我还是准备用QSPI 的flash了，片上flash擦除时间长，寿命次数太少。