
各位大佬好,又是我,是的,我在H750的flash里游不出去了…… 下面详细介绍我的使用方法和出现的问题: 我在程序里面拟定在片内flash地址0x08001000~0x0800101F(32bytes, 256bits)写一个uint64_t pData[4] = {0x1020304050607080, 0x0102030405060708, 0x1112131415161718, 0x1213141516171819};然后将pData[0] = 0x2122232425262728, 再将数组pData[4]写到0x08001000~0x0800101F,然后flash就挂掉了。 当然,在写操作中是执行了擦除操作的。我的写操作流程是:unlock_bank1-->erase sector0-->program 256bits-->lock_bank1 如果这个数组的值不变,那么我可以写任意次;一旦这个数组的值发生了变化,那么再次写入到同一flash地址空间就会理解挂掉。 我不清楚是自己在写flash之后没有将片内flash的什么状态恢复,还是说我在数据发生变化后再次执行写操作的时候,擦除动作是将整个flash擦除掉了,还是flash处于某个状态导致了我写出错。 所以我希望有遇到过这种问题的小伙伴和大佬们能够提供意见和帮助,也希望有官方技术支持能够验证一下提供方案,毕竟如果H750的片内flash只支持写一次的话,除了放一个bootloader外还有什么意义。 望解,谢谢! |
cubemx导入模型后找不到keil找不到工程内的模型的相关文件
STM32H750使用FMC
cubemx导入模型后找不到keil找不到工程内的模型的相关文件
我想实现三对移相PWM(占空比为50%)输出,前两对是互补输出,用了TIM1的CH1/CH1N和CH2/CH2N。第三对用了TIM1的CH3和TIM8的CH2,类似于互补输出。需要以TIM1的CH1/CH1N为参考,其余两对怎样实现占空比不变,相移可调呢?另外TIM8的CH1和CH3的PWM需要输出高电平
STM32H723 TIM1输出三相50%的占空比,TIM_CH3的输出上升沿略比TIM_CH1和TIM_CH2超前,这是哪里配置有问题吗
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STM32H750B-DK 板载STLINK 无程序
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cache只是对于片内SRAM有影响,我的问题是对片内flash同一地址的内容做更改会面对一次全扇区的擦除,这样就会导致我在对flash内容更改的时候我的程序已经被全擦掉了
user sector of 128 Kbytes (4 K Flash words). 你的一个擦除操作把程序也擦掉了
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但是我做成品之后,如果我想升级的话,不可能把所有产品拆开用jtag去下载程序啊
A、升级时让升级程序在ram中运行,缺点,一旦升级失败就得人工升级。
B、使用外挂flash做xip,片内flash只有一个bootloader。缺点成本高。
C、使用系统BL做升级,缺点要做上位机,不然用户不会用
谢谢您的回复!
1. 片内RAM运行bootloader暂不做考虑,因为老板肯定不能接受升级失败还要拆板子……
2. 将app放在片外flash做xip有两个困难:a)对程序的加密;b)对于目前使用的外挂flash(型号S25FL132K)我
在keil的flash download里面没有找到flash算法,也就是说我需要自己写一个flash算法?但是我对于改写
flashPrg.c这里面的内容真的是从来没有弄过,所以不懂怎么搞……、
3. system bootloader我有看STM32提供的那几个自举程序的文档和相关的协议,正在研究,这一部分应该是要有
对应的硬件电路支持的吧。
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你没有用片外FLASH,用的片内FLASH完成的升级?