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【中文文档】AN4061_如何在STM32F0xx微控制器内模拟EEPROM

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STMCU-管管 发布时间:2019-3-26 13:16
STM32F0xx 微控制器中的EEPROM 仿真
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! L5 }. v- m/ [简介 4 _9 ^( B- s( Q& i3 W! Q& ?

: |6 l/ ~* z4 C9 c在工业应用中经常使用 EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)来存储可更新的数据。EEPROM 是用在复杂系统(例如计算机)和其它电子器件中的一种永久(非易失)存储器存储系统,它可以在电源故障时存储和保留少量数据。 7 Z/ G2 s4 X/ n1 x
4 E% t  H$ I/ ~
为了降低成本,可以使用特定的软件算法用片上 Flash 替代外部 EEPROM。 此应用笔记将介绍使用 STM32F0xx 器件的片上 Flash 通过仿真 EEPROM 机制来取代独立EEPROM 的软件解决方案。 ) B9 Y$ T* ^* h
3 x- U+ b, K; H5 Y/ X" i2 ~8 Y
此仿真至少要使用 Flash 中的两个扇区。EEPROM 仿真代码会在页面填满后在页面之间交换数据,而且此过程对用户是透明的。 1 S+ [( T( K1 m( }/ i
+ E6 t% H9 i0 K
此应用笔记随附的 EEPROM 仿真驱动程序满足以下要求: ! I: I. {2 Y- O
● 提供简单 API 的轻量级实现,这种 API 由初始化、读写数据和降低存储器占用量三种功能构成。
' R5 b2 L2 W" _4 a. X  `  R● 简单且可轻松更新的代码模型。 ! Z1 u6 z  t7 ^; |- ~
● 对用户透明的清除和内部数据管理。
+ s( t7 A, X5 O; N- N2 i● 后台页擦除。 . I0 C2 X8 z# T0 I% I# X7 g% O' n3 z
● 至少需要使用两个 Flash 页,如果需要进行耗损均衡,则需要更多。 9 `  j' Z4 }) }. O% _: M

8 [: `3 ~. \4 M7 S1 外部 EEPROM 与仿真 EEPROM 之间的主要差异 : Q8 Z0 x* L' g2 c# x
/ L7 b8 w" s, |* V; P
EEPROM 是许多需要非易失性数据存储的嵌入式应用的关键组件,它在运行期间以字节或字为粒度进行更新。 % K1 b& S- E4 u* T

7 R& b/ O9 [2 ^1 r! {这些系统中使用的微控制器通常是基于嵌入式 Flash 存储器的。为了避免使用这些组件、节约 PCB 空间并降低系统成本,可使用 STM32F0xx Flash 代替外部 EEPOM,模拟代码和数据的存储。 ' E; o1 G; E- f8 f8 n5 Z9 F
- F3 c! C$ y* O! {$ @& Q' a
但是与 Flash 不同的是,外部 EEPROM 在重写数据之前并不需要执行擦除操作来释放空间。要将数据存储到嵌入式 Flash 中,需要执行特殊的软件管理。
2 v0 F3 E# \0 u" t/ ~- r* l; G
4 \+ N# L0 C& m9 V- K这种仿真软件机制由许多因素决定,包括 EEPROM 可靠性、所使用的 Flash 的架构以及产品要求等。 6 v) u8 K1 f5 U9 x* {, K

9 M6 l' X5 h7 m- t对于使用相同 Flash 技术的任何微控制器(不局限于 STM32F0xx 系列产品),嵌入式 Flash和外部串行 EEPROM 之间的主要差异完全一致。表 1 中汇总了这些主要差异。
" t5 d1 j. @- ^' j1 S& a+ n; ^2 k* s0 ~
1.png
1.1 写访问时间上的差异
: @* V7 o6 y3 B( P. K+ _1 ?
由于 Flash 的写访问时间较短,所以对于一些关键参数,在仿真 EEPROM 中的存储速度要比在外部串行 EEPROM 中更快,从而可以改善数据存储。
8 z: d1 |) }1 P
1.2 擦除时间上的差异

4 z( G( W' C( ]4 {4 @
擦除时间方面的差异是独立 EEPROM 与使用嵌入式 Flash 的仿真 EEPROM 之间的另一个重大差异。与 Flash 不同,EEPROM 在写之前不需要执行擦除操作来释放空间。这就意味着必须执行某种形式的软件管理,才能将数据存储到 Flash 中。此外,由于 Flash 中的块擦除过程不需要太长时间,所以在设计 Flash 管理软件时,应注意考虑可能会中断擦除过程的电源关闭和其它一些意外事件(例如复位)。要设计强大的 Flash 内存管理软件,必须透彻了解 Flash 擦除过程。
6 _8 N3 \' P( T$ ~7 N1 ?  y
注: 即使软件重置,也不会中断正在对 STM32F0xx 嵌入式 Flash 执行的页擦除或批量擦除操作

3 O/ A! c) Z/ \8 l* s
1.3 写方法上的相似之处

% y. M: X9 X8 ?; D3 r
外部 EEPROM 与具有 STM32F0xx 嵌入式 Flash 的仿真 EEPROM 之间的一个相似之处是写方法。

, E0 ~/ l; p  J  H* D1 j5 m
● 独立外部 EEPROM:在被 CPU 启动之后,字写入不能被软件复位中断。只有供电故障才会中断写过程,因此正确设置去耦电容的大小可以保护独立 EEPROM 中的整个写过程。
9 x, y* ]( z6 D; L! f- `
● 使用嵌入式 Flash 仿真的 EEPROM:由 CPU 启动后,写过程可由电源故障中断。即使软件复位,也不会中断正在对 STM32F0xx 嵌入式 Flash 执行的字写入操作。EEPROM算法会停止,但是当前的 Flash 字写入操作不会因软件复位而中断。

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..............
4 a' f) h$ x% v- T6 a
想了解更多,请下载原文阅读
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赞 收藏 评论1 发布时间:2019-3-26 13:16

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1个回答
一代睡神的崛起 回答时间:2019-3-26 15:57:56
谢谢图图得分享

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