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【中文文档】AN3390_STM32F2xx控制器模仿eeprom的应用

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STMCU-管管 发布时间:2019-4-11 13:25
STM32F2xx 微控制器中的 EEPROM 模拟
. M; D* x. D6 |! {( {7 A$ u7 ~

& S& h/ c* c+ Y* m. W前言
3 K7 B1 x! v' {) q* h
3 d3 A  V* Y8 e# X5 O
EEPROM (电可擦除可编程只读存储器)通常用于工业应用领域,用于存储可更新数据。EEPROM 是一种用于复杂系统 (如计算机)和其他电子设备的永久性 (非易失的)存储系统,用于在断电时存储和保留少量数据。
3 S5 A) P/ G3 J& u. ?/ F

  y! {. M! ]" C为了降低成本,外部 EEPROM 可以用 STM32F2xx 产品所具有的下述特性之一代替:
# r; E# j8 k4 K% d● 片上 4 KB 备份 SRAM 4 G6 x: F( z+ N3 T0 n
● 片上 Flash,并采用专门软件算法 : t; u0 v2 \; v7 r2 b  j

- l( k: ~( p2 mSTM32F2xx 具有 4 KB 的备份 SRAM,当主要的 VDD 电源断电时,该 SRAM 可由 VBAT 电源供电。
1 b% d% @* {8 y5 \/ P8 a

- x0 P! L0 D7 A: L) N8 w' n" q当有 VBAT (通常在电池供电应用中)时该备份 SRAM 可作为内部 EEPROM (无任何额外软件)使用,并具有以 CPU 频率进行高速存取的优势。
& }* q$ s8 t! ^: R1 c" v
7 L. Z) d8 P) G
而当备份 SRAM 另作他用且 / 或该应用不用 VBAT 供电时,片上 Flash(采用专门软件算法)可以用于模拟 EEPROM 存储器使用。
2 y: w3 m8 J6 U2 A, E2 ?  B8 W3 e! U/ x. l# |/ i8 q! m' R
本应用笔记对通过利用 STM32F2xx 产品的片上 Flash 模拟 EEPROM 机制来代替独立EEPROM 的软件方案进行了说明。 ' D( K& k# ?. I* E
1 b) P  O( G, Z) E$ a+ |% K
至少使用两个 Flash 扇区才能实现该模拟。 EEPROM 模拟代码在两个扇区 (当它们被填充时)之间交换数据,这在某种程度上是对用户透明的。
1 m  `) }$ i* |& w: [3 M5 I# l& ~

; b# g/ N5 P- O' g2 [6 v本应用笔记所提供的 EEPROM 模拟驱动器满足以下要求: 7 ~/ Y3 e" \" w/ z: b2 i
● 轻量级实现,具有一个简单的包含了三个函数 (用于初始化、读数据和写数据)的API,并减少了封装。
( n* C$ l' I/ f+ H, l● 简单易用的可更新代码模型
; r0 K6 s: g/ \' R) j& P1 n2 _4 j, |● 清理和内部数据管理对用户透明 ) V& \% Z! v* I" D5 A3 u6 d5 w
● 后台扇区擦除 5 E1 a  H* _. O$ q  Q0 z# h
● 至少要使用两个 Flash 扇区,对于损耗均衡则需要使用更多 (Flash 扇区) ( \  m' M; V% k, g4 L6 R( L! W, J- J/ v
' H: ~# s% Q7 I: Z
模拟 EEPROM 的大小是弹性可变的,它受扇区大小的限制和约束,并需考虑最大 EEPROM空间大小。, [3 L& M, I$ R$ L; r1 ~2 m2 X
1 M  l* K# J7 b( }7 n
1 外部 EEPROM 和模拟 EEPROM 之间的主要区别 : X2 S* {  s3 ^- f

+ K+ ?. T. i* R8 }6 r3 i/ W# c* o& uEEPROM 是许多嵌入式应用(需要能够进行非易失性数据存储,且运行时间内以字节或字的颗粒度进行更新)的关键元件。
) L8 y0 C& B0 Q% Q+ p0 g
* ?  O7 f7 n. A; n% E  E
用于这些系统的微控制器通常基于嵌入式 Flash。为了减少所用元件、节省 PCB 空间、降低系统成本,可以用 STM32F2xx Flash 代替外部 EEPROM 来进行同步编码和数据存储。
: }, q- w$ A1 M( p9 t- h

1 h% }% ?( o6 C7 e& \7 X# @$ \与 Flash 不同,数据可被重写前,外部 EEPROM 不需要擦除操作来释放空间。需要专门的软件管理来将数据存入嵌入式 Flash。 - W1 U7 C$ d; \

! t3 Q* v9 y2 V仿真软件方案取决于多种因素,包括 EEPROM 可靠性、所用 Flash 结构和产品需求。 1 I6 k9 J2 \* i5 j$ J

3 Y; \" `$ C) Z嵌入式 Flash 和外部串行 EEPROM 之间的主要区别对于任何使用同样 Flash 技术的微控制器(并非针对 STM32F2xx 系列产品)都是相同的。主要区别概括如表 1。7 B: q# ^' F- ]6 U

" L! G: Q- H5 v  {) a
1.png

) A  D# V6 e4 }7 `; X3 m
1.png

0 K, D. j$ {$ Q: A
..........
! v  Z3 M7 k0 z7 `: \
想了解更多,请下载原文阅读
# y& B  B6 \0 ^/ h
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Kevin_G 回答时间:2019-4-11 14:21:56
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