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【经验分享】STM32F103:内部Flash模拟EEPROM

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STMCU小助手 发布时间:2022-5-3 14:26
内部Flash模拟EEPROM
+ a/ Z  \# ^( y8 G一、原因
0 Q# M8 V% S! {  _
由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次,如果遇到想要存储又多变,又需要掉电保存的数据,就显得有点捉襟见肘了。* E( I1 V, M+ W+ I2 C7 O
我决定利用单片机的内部Flash模拟EEPROM,实现可以多次擦写,掉电又可以保存数据的功能。5 s* g7 T4 n* b5 F6 R0 P
& o: v3 E  ?8 d9 g- _0 Y! S4 `
二、原理
- q: U- ^9 n* p1 J1. STM32F103系列芯片! u# ]9 B1 l1 M
按内部Flash的容量大小,分类如下:
' R1 f" R. _0 `2 Z& d" X7 ~
5 o  K2 V. M3 ~$ j (@I)FRHPJN)1UPR)GUJ0FKN.png
3 @* r6 f/ X: G4 ~9 B0 L7 @* Z: K
! a3 _& ~' I  L& B+ O$ q* Z; t4 z6 F: W. S/ M5 r1 w
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