内部Flash模拟EEPROM
. T: R; N8 c  s/ b0 j% ?一、原因
由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次，如果遇到想要存储又多变，又需要掉电保存的数据，就显得有点捉襟见肘了。
4 V' z8 Q% }6 C我决定利用单片机的内部Flash模拟EEPROM，实现可以多次擦写，掉电又可以保存数据的功能。
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6 ]7 l5 Q9 o3 N0 ^7 a$ C8 W二、原理
1. STM32F103系列芯片
' E2 Z, C( ^! E9 }% W4 H按内部Flash的容量大小，分类如下：


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