内部Flash模拟EEPROM
一、原因
由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次，如果遇到想要存储又多变，又需要掉电保存的数据，就显得有点捉襟见肘了。
我决定利用单片机的内部Flash模拟EEPROM，实现可以多次擦写，掉电又可以保存数据的功能。

二、原理
1. STM32F103系列芯片
按内部Flash的容量大小，分类如下：