内部Flash模拟EEPROM
+ a/ Z  \# ^( y8 G一、原因
由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次，如果遇到想要存储又多变，又需要掉电保存的数据，就显得有点捉襟见肘了。
我决定利用单片机的内部Flash模拟EEPROM，实现可以多次擦写，掉电又可以保存数据的功能。

二、原理
- q: U- ^9 n* p1 J1. STM32F103系列芯片
按内部Flash的容量大小，分类如下：
' R1 f" R. _0 `2 Z& d" X7 ~
5 o  K2 V. M3 ~$ j
3 @* r6 f/ X: G4 ~9 B0 L7 @* Z: K
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