
内部Flash模拟EEPROM 一、原因0 Q# M8 V% S! { _ 由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次,如果遇到想要存储又多变,又需要掉电保存的数据,就显得有点捉襟见肘了。* E( I1 V, M+ W+ I2 C7 O 我决定利用单片机的内部Flash模拟EEPROM,实现可以多次擦写,掉电又可以保存数据的功能。5 s* g7 T4 n* b5 F6 R0 P & o: v3 E ?8 d9 g- _0 Y! S4 ` 二、原理 1. STM32F103系列芯片! u# ]9 B1 l1 M 按内部Flash的容量大小,分类如下: ![]() $ q* Z; t4 z6 F: W. S/ M5 r1 w |