前言
在一些新的 STM32 系列中，比如 STM32L4、STM32G0、STM32G4 等，除了 Flash 标准编程之外，还可以支持 Flash 的快速编程，那么对于 STM32G0 来说，在使用快速编程时，有哪些需要注意的地方呢？


问题
某客户在其产品的设计中，使用了 STM32G070RBT6。客户希望在进行代码升级的时候使用快速编程来提高编程速度，但是在写代码中遇到很多问题，而在目前的 STM32G0 的 Cube 库中并没有 FLASH_FastProgram 例程，所以客户希望得到一个参考例程来加速他的设计。


调研
1.了解问题
检查最新版本的 STM32Cube_FW_G0_V1.3.0/Projects/STM32CubeProjectsList.html 文件，确实可以看到在现有的STM32G0Cube 库中并没有 FLASH_FastProgram 例程，所以学习一下参考手册，参考\STM32Cube_FW_L4_V1.16.0\Projects\NUCLEO-L452RE\Examples\FLASH\FLASH_FastProgram 例程，对\STM32Cube_FW_G0_V1.2.0\Projects\NUCLEO-G070RB\Examples\FLASH\FLASH_EraseProgram 进行修改以移植代码。
在撰写例程代码的时候，确实会遇到一些需要注意的问题，下面简单地介绍一下。
2.分析问题
首先，先来看一下 STM32L4 中 FLASH_FastProgram 例程中 readme.txt 对本示例的解释，可以看到这是一个演示如何配置和使用 API 函数对内部 Flash 存储器进行擦除和快速编程的示例。
先来看一下 FastProgram 最核心的函数 FLASH_Program_Fast()。 在 STM32L4Cube 中的 stm32l4xx_hal_flash，它是这么定义的：

1. static void FLASH_Program_Fast(uint32_t Address, uint32_t DataAddress)

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而在 STM32G0Cube 中的 stm32g0xx_hal_flash，它是这么定义的：

1. static __RAM_FUNC void FLASH_Program_Fast(uint32_t Address, uint32_t DataAddress)

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什么区别呢？就是在 STM32G0Cube 库中使用了__RAM_FUNC 指明了这个函数是位于 RAM 区域的。为什么呢？
第一个要点：对 Flash 进行快速编程的时候不允许对 Flash 进行读取，所以需要将这个快速编程的代码放置于 RAM 中运行，以避免对 Flash 进行命令读取。
那么，大家可能又有疑问了，那为什么 STM32L4Cube 中并没有使用__RAM_FUNC 关键字，STM32L452 的 Flash 是 single bank，难道它就不需要放到 RAM 里边了吗？但是大家如果细心的话，可以看到 STM32L4 这个例程中的链接文件是 stm32l452xx_sram.icf，在 icf 文件中定义了 ROM 的地址为 0x20000000~0x20015FFF，也就是说这个示例代码是跑在 RAM的，所以就不需要在这边使用__RAM_FUNC 关键字了。还可以在 STM32L4 示例代码中看到对整片 Flash 进行擦除而猜到这一点。
从 STM32G0Cube 库中 FLASH_Program_Fast()这个函数的定义，可以看出它是可以直接使用 stm32l452xx_flash.icf 将快速编程核心代码以外的其他代码都放在 Flash 上面跑的，这个可能更符合用户做 IAP 升级的习惯，当然，在这个情况下，我们就可能需要在程序中使用页擦除而不是整片擦除了。
第二个要点：因为 Flash 进行快速编程的时候不允许对 Flash 进行读取，所以还需要注意快速编程的源数据应该位于 RAM 而 非 Flash，以避免对 Flash 进行数据读取。因为在 Flash 快速编程的时候，需要将 64 个 word 一个行(256 Bytes)的数据写到目标地址中，所以也就是说在快速编程的时候，还会去访问源数据，如果源数据放在 Flash 就会导致问题产生。
所以，在这边聊一个移植中遇到的问题。




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