一、W25Qxx系列芯片----简介
3 P  D8 s# f  y" B! ]: }W25Qxx 系列 Flash 存储器可以为用户提供存储解决方案。擦写周期多达10W次，可将数据保存达20年之久，支持2.7~3.6V的电压，支持标准的SPI，还支持双输出/四输出的SPI，最大SPI时钟可达80Mhz。
& N. @& U- _3 n4 @# i5 i6 ]W25Qxx 系列 Flash 存储器是为系统提供一个最小空间、最少引脚，最低功耗的串行Flash存储器，比普通的串行Flash存储器更灵活，性能更优越。
8 r; A( M! w6 l功耗低，正常工作状态下电流消耗0.5mA，掉电状态下电流消耗1uA。

1. 存储结构
8 ^' {! o( H, ]; j, d9 r4 D/ c+ T( N. jW25Qxx 系列 Flash 存储器的存储结构
- l; U. P! s) K: {. T. Y相同点：

1块 = 16扇区 = 64k字节，1扇区 = 16页 = 4k字节，1页 = 256字节。
$ m1 ^' B: @/ v; ^/ q" h只有三种擦除方式：扇区擦除 、 块擦除 和 全片擦除。
! x' j8 V( S. [3 m# Z: u$ T4 }写操作一次可以写1~256字节，最多一次写一页256字节。
不同点： 容量和内存空间地址不同，具体如下表所示：
) G- Y; v. w! S7 A
- j8 k' E# T; G* I; E- x

- `; b0 W6 X( Z+ n0 w) t2. 引脚接口
/ n! W4 Q) `* T' i下面只介绍标准SPI接口，接口如下图所示：

8 V; q( v# {- f, `, c

片选引脚：/CS
* D& L$ X$ n6 A1 p（1）当CS引脚为高电平时，芯片被禁能，DO引脚高阻态，不能进行读写操作。
（2）当CS引脚为低电平时，芯片被使能，能进行读写操作。
   上电后，执行一条新指令之前必须使CS引脚先有一个下降沿。
9 y. }; r' @; E- J0 V2 H) M
数据输出引脚：DO（IO1）
标准SPI模式： CLK上升沿捕获地址和命令，下降沿输出数据。
QSPI模式： 双向数据传输 IO1。
0 N, q# I& ?+ x+ A% Y7 w( l  T
  S' s  y# a$ i6 O, w7 R写保护引脚：/WP（IO2）
标准SPI模式：
写保护引脚可以被用来保护状态寄存器不被意外改写。
（1）当WP引脚为高电平时，芯片写保护失能，可以正常写入数据。
（2）当WP引脚为低电平时，芯片写保护使能，不可以正常写入数据。
9 w$ f6 C2 D: \: d# N6 Z2 GQSPI模式： 双向数据传输 IO2。
9 d( j: `; e. _8 ~  g
( W; F$ Q! ]/ Q3 X  u; H地：GND
6 t" B  G% ^7 z( p, C电源地
* R- l% X: G+ w7 p
数据输入引脚：DI（IO0）
标准SPI模式：
/ R( h- o7 C2 v/ K6 J$ y% Z数据、地址和命令从DI引脚送到芯片内部，在CLK引脚的上升沿捕获。
QSPI模式： 双向数据传输 IO0。
- o6 o7 A; u2 \2 H) r8 y
" e4 ~- i# ~# h0 l串行时钟引脚：CLK
: `/ f, ~0 Q1 p$ g% K: k8 E% ISPI时钟引脚，为输入输出提供时序。

6 t5 K$ E% Q$ f# h; a保持引脚：/HOLD（IO3）
标准SPI模式：
当CS引脚为低电平时
（1）当HOLD为低电平时，DO引脚处于高阻态状态，而且也会忽略DIO和CLK引脚上的信号。
（2）当HOLD为高电平时，芯片恢复正常工作。
0 l8 B5 p: g; L/ V" w3 B9 pQSPI模式： 双向数据传输 IO3。
# j; I: i5 x3 _; u: p
电源：VCC
4 G$ P+ ^: a- P' V" U电源正极
: q. O$ ?& ]$ f1 x! A& _: `
3. 原理图
6 z$ @3 b1 S+ N. T7 G* f
; {$ a! _3 C" j, ]/ U; I

4. 内部结构框架图
, h' X: X4 X6 R" N( p1 H7 J
2 m7 I! K1 i* i8 y. R

5. 型号ID
W25Qxx 系列 Flash 存储器支持 JEDEC 标准，具有唯一的 64 位识别序列号，方便区别芯片型号，具体如下表所示：



+ F4 Y8 E5 ~: Q  e4 ^二、W25Qxx系列芯片----工作原理
1. SPI 运行方式
: q! _! o0 U2 S: ]. N9 j' f2 d+ fW25Qxx系列芯片支持以下两种SPI通信方式:
模式0： CPOL = 0，CPHA = 0
模式3： CPOL = 1，CPHA = 1
4 ?+ v& o" m. O* {( b
2. W25Qxx系列芯片----状态寄存器
8 ~7 I1 _6 \7 A: g+ \5 X6 ~注：这里是记录所有W25Qxx系列芯片的状态寄存器，有些型号的状态寄存器，没有全部功能。

/ j' s9 N+ s/ m0 z5 d9 o状态寄存器1
+ B4 J- R7 z5 t! S9 _
( ^! B4 e9 I2 t/ K. c' U* z

$ @' a1 _% s3 l  BS0----总线忙标志位（BUSY）
$ M+ o4 d% s* p+ P, R在执行页编程、扇区擦除、块区擦除、芯片擦除以及写状态寄存器指令时，该位被硬件自动置1。这时候，除了读状态寄存器指令外的所有操作指令都会被芯片忽略。
当芯片执行完这些指令后，硬件会自动将该位清0，表示芯片器件可以接收其他的指令。
" S7 _  Z, Q! j* [4 L5 R
* y8 E  m) c' Y. C& z) uS1----写保护位（WEL）
执行完写使能指令后，该位置1
. N) ~5 g/ R/ v. T当芯片掉电后和执行写禁能、页编程、扇区擦除、块区擦除以及芯片擦除指令都会进入写保护状态，该位置0
" p. a" G6 f/ V
- ]6 L; j2 \- ~" f$ [7 `* M# U0 ]$ OS2、S3、S4----块区保护位（BP2、BP1、BP0）
这3个位默认状态为0，即块区处于未保护状态。可以利用“写状态寄存器”指令对这几个位进行置1来达到块区保护的目的。块区保护状态为：没有保护、部分保护和全部保护状态。
! @; ^1 }! n4 ]. K当状态寄存器的SRP位为1或读写保护管脚（/WP）为低电平时，这3个位不可被更改。
4 }# S) b3 V) j+ l3 o: z5 b
) o5 I9 q4 F& `0 B- w/ m( Z1 u' WS5----底部和顶部块保护位（TB）
此位默认值为0，可以利用“写状态寄存器”指令对这个位进行置1或清零。
当TB = 0时，表示保护位从顶部开始；
当TB = 1时，表示保护位从底部开始。
当状态寄存器的SRP位为1或读写保护管脚（/WP）为低电平时，这个位不可被更改。

S6----扇区/块保护（SEC）
此位默认值为0，可以利用“写状态寄存器”指令对这个位进行置1或清零。
7 M( b4 g/ g% G" ^6 m( O/ g当SEC = 0时，表示每次保护的区域大小为4K；
8 w+ _+ {7 i% D4 y当SEC = 1时，表示每次保护的区域大小为64K。
& K6 A  N- Q8 y1 M! ?
状态寄存器2



: G- H0 h, Q& j1 l: F1 sS7、S8----状态寄存器保护位（SRP、SRL）
这两个位的默认值为0，可以利用“写状态寄存器”指令对这个位进行置1或清零。
这两位和读写保护管脚（/WP）决定了状态寄存器写保护的方式。
$ [5 R, E! V3 M( [, {/ @状态寄存器写保护的方式有：软件保护，硬件保护、电源锁定或一次性可编程（OTP）保护。

9 F$ z# ?7 T# y, E% tS9----快速SPI通讯使能（QE）
! Q$ ~9 p* z# l+ W此位默认值为0，可以利用“写状态寄存器”指令对这个位进行置1或清零。
6 N$ x' t. Z" _2 g8 y8 g2 ]当QE = 0时，设置为标准速度模式或快速模式，保持管脚（/HOLE）和读写保护管脚（/WP）启用；
! G" R$ |  |$ C& _$ L1 o! t当QE = 1时，设置为高速模式，保持管脚（/HOLE）和读写保护管脚（/WP）被设置为IO2和IO3功能使用。
* `& X! c5 F, [4 r
S10、S11、S12、S13----安全寄存器锁位（LB3、LB2、LB1）
* l( e& Y3 v: F$ V& vLB3-1的默认状态为0，安全寄存器被解锁。
可以使用写状态寄存器指令将LB3-1单独设置为1。
) J, d; B" p+ G4 O2 w7 c& @* zLB3-1是一次性可编程(OTP)，一旦它设置为1，相应的256字节安全寄存器将成为永久只读。
  h# o! t2 i+ S8 I. k4 c
S14----补码保护位（CMP）
# r9 f7 _. \( j它与SEC、TB、BP2、BP1和BP0位结合使用，为阵列保护提供更大的灵活性。
  T9 V( g3 N, _7 v" v1 A" p一旦CMP设置为1，之前SEC、TB、BP2、BP1和BP0设置的阵列保护将被逆转。例如：
当CMP=0时，一个最高64KB的块可以被保护，而数组的其他部分则不受保护;
当CMP=1时，最上面的64KB块将成为不受保护的，而数组的其余部分将成为只读的。
默认设置为CMP=0。

S15----暂停状态位（SUS）
  [& r) I& ?7 h& c6 j: ?+ Z在执行**擦除/程序暂停(75h)指令后设置为1。
通过擦除/程序恢复 (7Ah)**指令以及下电、上电周期将SUS状态位清除为0。
  s6 ~. g3 v- n( V
- f+ a: p2 O0 o' \# F+ ^状态寄存器3

. x2 q! n# Q; ]! I6 N9 K( @! ]
" C6 C* h, Y4 z. L$ K, C0 |. }4 ]
S16----当前地址模式（ADS）
表示设备当前运行的地址模式。
当ADS=0时，设备处于3字节地址模式，
) e% K( W, N" q+ e8 }8 r2 r当ADS=1时，设备处于4字节地址模式。
3 M8 U! V3 j8 Z7 P) D/ X" H' y. E
: U  o. ^. j$ G# ?. c8 t3 P2 Q" yS17----启动时地址模式（ADP）
决定设备上电或复位时的初始地址模式，该位仅在上电或设备复位初始化期间使用。
当ADP=0(出厂默认)时，设备将启动到3字节地址模式，扩展地址寄存器必须用于访问超过128Mb的内存区域。当ADP=1时，设备将直接启动到4字节地址模式。

S18----写保护方案（WPS）
当WPS=0时，设备将使用CMP、SEC、TB、BP[2:0]位的组合来保护存储阵列的特定区域。
当WPS=1时，设备将使用单独块锁来保护任何单独的扇区或块。
设备上电或复位后，所有单个块锁定位的缺省值为1。
. h) A7 H, j. F* s
S22、S21 ---- 输出信号强度（DRV1、DRV0）

( @* T1 u. E$ Y! T9 w4 V5 `6 u

2 _& f0 w( |: M  j' R: s* j; J: mS23----HOLD/RST引脚功能选择
& l: z8 Q2 `' q7 I/ p当HOLD/RST=0(出厂设置)时，引脚为/HOLD。
% S  ~) C/ u9 p0 K5 Q: u1 ]- C当HOLD/RST=1时，引脚为/RESET。
但是，只有当QE=0时，/HOLD或/RESET函数才可用。
QE设置为1时，关闭/HOLD和/RESET功能，引脚为专用数据I/O引脚。

" F# [7 v) ]8 @3. W25Qxx系列芯片----常用操作命令
（1）单字节操作
单字节操作，只往芯片中写入1字节的操作命令，具体代码如下：
5 c5 f) [- R' a+ H, {9 {

1. void W25QXX_Write_Enable(void) //写使能
   ) k0 G9 n( T$ j* E$ S& H4 ?
2. {
   
3.         W25QXX_CS(0);                                 //拉低片选CS引脚---使能芯片
   
4.         W25QXX_ReadWriteByte(0x06);  //写入1字节操作命令
   
5.         W25QXX_CS(1);                                 //拉高片选CS引脚---关闭芯片        
   2 m: ^  E2 \- W6 x% k5 R" {6 Y0 p
6. }

复制代码

操作命令 如下表所示：
. B: z: s3 `8 k, {

, G! m- W9 M/ p4 Q. m5 E  X. l
3 Q7 ?  Z+ _  U( R8 D9 O
: x% P; R7 ^' {) F注：如果想要实现其他功能，替换操作指令数据，便可实现功能。

% `& ~& J6 w' w7 [- t) }8 W0 _% V（2）双字节操作
5 D5 o+ P: c3 w% M/ }+ G! |双字节操作，先往芯片中写入1字节的操作命令，接下来是读取/写入的字节数据。
具体代码如下：

  r) {3 v. r. B+ ~# k- B0 n) @

1. //读取1字节数据
   2 e  n! |& y9 C
2. uint8_t W25QXX_ReadSR(void)//读取状态寄存器
   
3. {
   3 K4 F+ d4 O( t* N1 i- W: i$ {- G. s0 w+ Y
4.         uint8_t  data=0;
   ' c2 o3 P% k; ]' ]' G( g
5.         W25QXX_CS(0);                             //拉低片选CS引脚---使能芯片
   # ]& Y( c0 v) k7 n" i7 ?8 m9 s' I
6.         W25QXX_ReadWriteByte(0x05);           //写入1字节操作命令
   
7.         data=W25QXX_ReadWriteByte(0Xff); //读取1字节数据
   
8.         W25QXX_CS(1);                    //拉高片选CS引脚---取消片选
   . v, u( \8 Z5 }) ~
9.         return data;
   
10. }
    
11. 
    6 N& D' ~: `4 z
12. //写入1字节数据
    / H1 ?4 N3 b6 M
13. void W25QXX_WriteSR(uint8_t data)//写状态寄存器
    * }5 k( [- T! a, z9 B  T% D
14. {
    
15.         W25QXX_CS(0);                    //拉低片选CS引脚---使能芯片
    " x  t) N  B9 W: c4 d: U, W
16.         W25QXX_ReadWriteByte(0x01); //写入1字节操作命令
    
17.         W25QXX_ReadWriteByte(data); //写入1字节数据
    " i8 }/ `: N4 ^3 m0 e% k2 O# L
18.         W25QXX_CS(1);               //拉高片选CS引脚---取消片选
    
19. }
    

复制代码

$ Z2 R, l. g, u% R, O操作命令 如下表所示：

' D$ h9 d: u+ l

注：如果想要实现其他功能，替换操作指令数据，便可实现功能。
3 o' b2 F  A% v- v* F! h$ F3 e. E
: ]$ U7 |+ d) Z0 c: ~（3）读取ID操作
具体代码如下：
9 Z: N9 ~+ t, J4 u$ q* ?
0 c4 n7 N4 ~& A1 B4 |3 D9 I

1. uint16_t W25QXX_ReadID(void)//读取芯片ID
   # T$ ]1 u. n5 d! r" K2 g! V& M
2. {
   $ C$ Z2 G- w4 U& F) ?/ ]+ U
3.         uint16_t ID = 0;         
   
4.         W25QXX_CS(0);                                //拉低片选CS引脚---使能芯片   
   $ A* a/ d5 Q" M" z6 k
5.         W25QXX_ReadWriteByte(0x90);        //发送读取ID命令            
   
6.         W25QXX_ReadWriteByte(0x00);            
   3 D: y, K0 g# ]" t2 T
7.         W25QXX_ReadWriteByte(0x00);            
   
8.         W25QXX_ReadWriteByte(0x00);                                    
   # d+ D3 o  L! p) ]! \4 q6 J
9.         ID|=W25QXX_ReadWriteByte(0xFF)<<8;  
   4 F, @( v! K* D) X. d
10.         ID|=W25QXX_ReadWriteByte(0xFF);         
    / Y5 _  \) ?+ m) E- F/ ~
11.         W25QXX_CS(1);                                 //拉高片选CS引脚---取消片选   
    ! U% S8 o# g! s# }
12.         return ID;
    
13. }

复制代码

操作命令 如下表所示：
  u8 \# Z$ y; H5 A9 D

7 @0 y0 S4 z  |) }1 I
8 N# Q5 A" |; Z2 y% o指令名称        指令数据(hex)        字节1        字节2        字节3        字节4        字节5        功能
Device ID        0xAB        0x00        0x00        0x00        （ID7-ID0）                读取设备ID
Manufacturer/Device ID        0x90        0x00        0x00        0x00        （MF7-MF0）        （ID7-ID0）        读取制造商+设备ID
- c! ?" H5 k0 t4 S$ v5 NJEDEC ID        0x9F        （MF7-MF0）        （ID15-ID8）        （ID7-ID0）                        读取全部ID
! M# U$ i6 R% r- E$ R$ bRead Unique ID        0x4B        0x00        0x00        0x00        0x00        （UID63-0）        读取唯一ID号
注：如果想要实现其他功能，替换操作指令数据，便可实现功能。
6 F3 T+ J" [. Z4 Z0 M2 F
（4）带地址操作
带地址操作主要分两种：
3字节地址：W25Qxx系列芯片都可以使用。
3 @9 b& Z5 N" M1 Z  C9 T4字节地址：只有W25Q256和W25Q512可用。
7 _0 f0 y( }$ l* w5 d
) ?0 [, q" j4 k3字节地址
具体代码如下：

1. //读取数据
   / o. z/ d9 c1 o
2. void W25QXX_Read(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint16_t NumByteToRead)   
   ' g4 d/ s: @+ @- L# _* P' j/ X# R9 W
3. {                                                     
   
4.         W25QXX_CS(0);                                //拉低片选CS引脚---使能芯片
   
5.     W25QXX_ReadWriteByte(0x03);                            //发送读取命令  
   
6.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr)>>16));   //发送24bit地址   
   
7.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr)>>8));   
   ' _% ?6 Z9 V' }) O: b& d2 p
8.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)ReadAddr);   
   $ {  M; |5 S. q$ D  o
9.     for(uint16_t i=0;i<NumByteToRead;i++)//可读多个数据
   
10.         {
    : a$ V( h" n6 S/ p. B' j2 n  Q
11.        pBuffer<i>=W25QXX_ReadWriteByte(0XFF);    //循环读数  
    
12.     }
    / V1 N4 P4 X$ l5 I
13.         W25QXX_CS(1);                                                  
    7 l/ h. A6 H% f0 A0 ]
14. }  
    
15. 
    ( V  Z; a7 N4 N) {: s
16. //写入数据
    
17. void W25QXX_Write_Page(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint16_t NumByteToWrite)
    
18. {
    
19.     W25QXX_Write_Enable();                          //写使能
    % {, T0 S$ Q' V7 M6 R( ^) M
20.         W25QXX_CS(0);                                    //使能器件   
    2 H5 ~1 d2 c: b" v. x& t
21.     W25QXX_ReadWriteByte(0x02);   //发送页写命令   
    
22.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>16)); //发送24bit地址   
    5 s' ~! x' z9 [% ]. d$ r9 `4 v
23.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>8));   
    
24.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)WriteAddr);   
    
25.     for(uint16_t i=0;i<NumByteToWrite;i++)//可写多个数据，最多256个字节一页数据
    
26.         {
    % n, S' q. u  F7 ]3 }$ Q4 ?( m
27.                 W25QXX_ReadWriteByte(pBuffer<i>);//循环写数  
    . U3 ?5 X/ R" N$ I' J
28.         }
    
29.         W25QXX_CS(1);                                    //取消片选
    7 p% ^/ I0 y1 o; |
30.         W25QXX_Wait_Busy();                                                           //等待写入结束
    
31. } </i></i>

复制代码

操作命令 如下表所示：

5 i8 ~) @5 ~( z5 G) E; \- k1 C
8 X: z+ l/ H) ~- G. z
+ A. l3 w' _; g! p& {6 F; M4 H4字节地址
具体代码如下：

1. //启用4字节地址模式        
   
2. void W25QXX_Enter_4Byte()
   9 d: V( G3 q1 ^+ t0 e% `
3. {
   ; k  j9 ~7 A# Y, r
4.         W25QXX_CS(0);                                 //拉低片选CS引脚---使能芯片
   + T3 w0 c* ]/ i0 V" X( e3 Z% G
5.         W25QXX_ReadWriteByte(0xB7);  //写入1字节操作命令
   
6.         W25QXX_CS(1);                                 //拉高片选CS引脚---关闭芯片
   
7. }
   & V& B# C. H5 v$ c
8. 
   
9. //退出4字节地址模式        
   
10. void W25QXX_Exit_4Byte()
    
11. {
    
12.         W25QXX_CS(0);                                 //拉低片选CS引脚---使能芯片
    4 M& D3 L) K3 I* _# K. N
13.         W25QXX_ReadWriteByte(0xE9);  //写入1字节操作命令
    
14.         W25QXX_CS(1);                                 //拉高片选CS引脚---关闭芯片
    
15. }
    
16. 
    1 [- t; s) l' P( }% j" v
17. //读取数据
    4 }  ]# P- L, d# [* b) x
18. void W25QXX_Read(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint16_t NumByteToRead)   
    
19. {                                                     
    
20.         W25QXX_CS(0);                                //拉低片选CS引脚---使能芯片
    
21.     W25QXX_ReadWriteByte(0x13);                            //发送4字节地址读取命令  
    0 K# f' I- _5 G9 s
22.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>24));//发送32bit地址
    # Q& J, r( C5 A0 ]9 }
23.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr)>>16));     
    
24.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr)>>8));   
    
25.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)ReadAddr);   
    
26.     for(uint16_t i=0;i<NumByteToRead;i++)//可读多个数据
    2 [+ |( W* V3 k+ T& o- m: B
27.         {
    
28.        pBuffer=W25QXX_ReadWriteByte(0XFF);    //循环读数  
    
29.     }
    2 a# m3 w7 \/ q- F3 B
30.         W25QXX_CS(1);                                                  
    
31. }  
    # b3 y7 o( j& \( H2 A- o$ q
32. 
    
33. //写入数据
    
34. void W25QXX_Write_Page(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint16_t NumByteToWrite)
    
35. {
    
36.     W25QXX_Write_Enable();                  //写使能
    / j7 Y$ U& S& H! W; h0 s
37.         W25QXX_CS(0);                            //使能器件   
    : h1 {, }# V) R0 |
38.     W25QXX_ReadWriteByte(0x12);                           //发送4字节地址页写命令   
    & X0 |& @. R" m1 E: q) ]
39.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>24));//发送32bit地址
    ' W" Y& Y* u+ V* g
40.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>16));   
    
41.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>8));   
    # |  p. _- Q" c: }3 ]! c& q
42.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)WriteAddr);   
    7 H5 h$ F: P7 k
43.     for(uint16_t i=0;i<NumByteToWrite;i++)//可写多个数据，最多256个字节一页数据
    
44.         {
    # S  U/ X8 j6 Y  l  S  X
45.                 W25QXX_ReadWriteByte(pBuffer);//循环写数  
    / x: I* s) B. @, M
46.         }
    
47.         W25QXX_CS(1);                                    //取消片选
    
48.         W25QXX_Wait_Busy();                                                           //等待写入结束
    
49. }

复制代码

# B1 o3 C0 |  e" o注：如果想要实现4字节地址，需要启用4字节地址模式。

  ~. R  N  O) p  R操作命令 如下表所示：
9 t: |5 f2 x( F: x" J
8 n% D9 f+ P2 y5 A  T& R7 V
& g; c9 p9 `8 f& J
————————————————
: k; I+ J4 ]& J0 B* P! G版权声明：根号五