一、W25Qxx系列芯片----简介
W25Qxx 系列 Flash 存储器可以为用户提供存储解决方案。擦写周期多达10W次，可将数据保存达20年之久，支持2.7~3.6V的电压，支持标准的SPI，还支持双输出/四输出的SPI，最大SPI时钟可达80Mhz。
; j6 ^" S; Q/ }8 _W25Qxx 系列 Flash 存储器是为系统提供一个最小空间、最少引脚，最低功耗的串行Flash存储器，比普通的串行Flash存储器更灵活，性能更优越。
功耗低，正常工作状态下电流消耗0.5mA，掉电状态下电流消耗1uA。

) T. J& C0 K: Z1. 存储结构
W25Qxx 系列 Flash 存储器的存储结构
相同点：

. k) Q/ J* x+ y- b& d1块 = 16扇区 = 64k字节，1扇区 = 16页 = 4k字节，1页 = 256字节。
0 i' o. Z. D" O/ X) s5 I, _只有三种擦除方式：扇区擦除 、 块擦除 和 全片擦除。
: L9 F0 b. A# Q% v- n写操作一次可以写1~256字节，最多一次写一页256字节。
/ [1 G8 R1 F- Z不同点： 容量和内存空间地址不同，具体如下表所示：
- D! d6 R" ^. o0 B  O: x
9 _5 g$ M9 P: t2 @6 q7 u

! S3 C' B! f! a2. 引脚接口
下面只介绍标准SPI接口，接口如下图所示：

& ]. H2 ^  X, n# `

片选引脚：/CS
（1）当CS引脚为高电平时，芯片被禁能，DO引脚高阻态，不能进行读写操作。
9 h) S4 k& o$ Z; B- l. A: ^9 b（2）当CS引脚为低电平时，芯片被使能，能进行读写操作。
$ J! |; J* X! y& F3 \   上电后，执行一条新指令之前必须使CS引脚先有一个下降沿。

( R' J- H5 h! l3 z$ i' ~7 X1 P+ ~数据输出引脚：DO（IO1）
标准SPI模式： CLK上升沿捕获地址和命令，下降沿输出数据。
QSPI模式： 双向数据传输 IO1。

写保护引脚：/WP（IO2）
标准SPI模式：
写保护引脚可以被用来保护状态寄存器不被意外改写。
（1）当WP引脚为高电平时，芯片写保护失能，可以正常写入数据。
（2）当WP引脚为低电平时，芯片写保护使能，不可以正常写入数据。
* P' p5 S5 c6 r1 z- S! Y+ nQSPI模式： 双向数据传输 IO2。

4 Q8 f; Y9 O5 Z1 e2 I地：GND
& o8 `8 ?! B3 Q) r8 e* k电源地

1 H! s$ U. J! {5 B0 K9 l8 b数据输入引脚：DI（IO0）
: }0 ?* t" \/ f: s% y标准SPI模式：
数据、地址和命令从DI引脚送到芯片内部，在CLK引脚的上升沿捕获。
0 i! j0 g% v' Y  y9 J  W" tQSPI模式： 双向数据传输 IO0。

串行时钟引脚：CLK
! o& g& Z) o: j7 f- \1 p; GSPI时钟引脚，为输入输出提供时序。
. x; [* ^% q& P! p' d
( {" M* I& D: z+ \; x7 l/ w保持引脚：/HOLD（IO3）
标准SPI模式：
1 e, Y6 s; Q/ u' e- |# e当CS引脚为低电平时
（1）当HOLD为低电平时，DO引脚处于高阻态状态，而且也会忽略DIO和CLK引脚上的信号。
（2）当HOLD为高电平时，芯片恢复正常工作。
QSPI模式： 双向数据传输 IO3。

电源：VCC
电源正极
) O* C8 i2 c' x4 D
3. 原理图

* v; i4 ]( A) N
. `4 N; m5 l! w9 \2 Z3 h! [2 }
: V. ^4 D" f( X7 F4 c2 q+ O4. 内部结构框架图

. V  i! n% ?! O

5. 型号ID
& @9 ~: y* m0 M% P- s2 Q+ \! t( hW25Qxx 系列 Flash 存储器支持 JEDEC 标准，具有唯一的 64 位识别序列号，方便区别芯片型号，具体如下表所示：
; Q7 h5 J: |8 m) `& p( J+ {
; ^1 k: [5 v* L0 f, m/ t
$ O9 {+ B5 x4 G) v, w8 p8 ]
二、W25Qxx系列芯片----工作原理
2 D( I" a  `" e/ _% H3 D  e1. SPI 运行方式
6 R3 I1 d; N. W* I/ v7 j  rW25Qxx系列芯片支持以下两种SPI通信方式:
- H6 |2 n6 }3 q3 V3 t5 g模式0： CPOL = 0，CPHA = 0
模式3： CPOL = 1，CPHA = 1

/ W8 m5 ~4 |' w+ I3 ]6 F/ q2. W25Qxx系列芯片----状态寄存器
1 y  Z0 X0 }! v/ D& E2 n注：这里是记录所有W25Qxx系列芯片的状态寄存器，有些型号的状态寄存器，没有全部功能。
# O6 u4 _  K; B
' Z* G$ X5 {. S7 t( {3 V% H) ^状态寄存器1

  h$ Y* R2 y$ Q/ Q0 h& d' G

S0----总线忙标志位（BUSY）
在执行页编程、扇区擦除、块区擦除、芯片擦除以及写状态寄存器指令时，该位被硬件自动置1。这时候，除了读状态寄存器指令外的所有操作指令都会被芯片忽略。
0 i+ G! K- v! q% K; M当芯片执行完这些指令后，硬件会自动将该位清0，表示芯片器件可以接收其他的指令。

S1----写保护位（WEL）
9 A: a+ f4 {9 E- Z( \. \1 c执行完写使能指令后，该位置1
% e6 [+ [+ Y% s# R/ z当芯片掉电后和执行写禁能、页编程、扇区擦除、块区擦除以及芯片擦除指令都会进入写保护状态，该位置0

) m% b1 p1 {& ?" GS2、S3、S4----块区保护位（BP2、BP1、BP0）
这3个位默认状态为0，即块区处于未保护状态。可以利用“写状态寄存器”指令对这几个位进行置1来达到块区保护的目的。块区保护状态为：没有保护、部分保护和全部保护状态。
当状态寄存器的SRP位为1或读写保护管脚（/WP）为低电平时，这3个位不可被更改。
+ f4 i5 D" j: {  q
S5----底部和顶部块保护位（TB）
$ q/ r, \6 M5 I; m此位默认值为0，可以利用“写状态寄存器”指令对这个位进行置1或清零。
" Q7 R% o8 `6 Q6 E- p当TB = 0时，表示保护位从顶部开始；
- s  Z0 Z% j" b& {当TB = 1时，表示保护位从底部开始。
2 ^: @% ^, e* w4 P  w& g8 C当状态寄存器的SRP位为1或读写保护管脚（/WP）为低电平时，这个位不可被更改。
. W$ i3 u) Y, I8 G7 l6 j
. m& u$ R* f! j4 N' sS6----扇区/块保护（SEC）
此位默认值为0，可以利用“写状态寄存器”指令对这个位进行置1或清零。
* [2 Z9 W; T; i6 T, W) ^6 r当SEC = 0时，表示每次保护的区域大小为4K；
  o8 z: r! N6 g# {2 t7 j; B当SEC = 1时，表示每次保护的区域大小为64K。
# V/ r* W7 O6 @- v! @. a9 x
, a; k/ a3 `: l7 \) W8 k状态寄存器2
/ b. b4 |5 P$ {9 e5 w

: P) E9 M0 U. ^% G
S7、S8----状态寄存器保护位（SRP、SRL）
这两个位的默认值为0，可以利用“写状态寄存器”指令对这个位进行置1或清零。
这两位和读写保护管脚（/WP）决定了状态寄存器写保护的方式。
: M3 e8 S; S0 ?, b状态寄存器写保护的方式有：软件保护，硬件保护、电源锁定或一次性可编程（OTP）保护。
* [- _3 |& d+ j) h$ V/ C9 z
7 n9 X' F) `8 kS9----快速SPI通讯使能（QE）
. x& [- ^- d) z  Z4 f% h. Y) I此位默认值为0，可以利用“写状态寄存器”指令对这个位进行置1或清零。
当QE = 0时，设置为标准速度模式或快速模式，保持管脚（/HOLE）和读写保护管脚（/WP）启用；
1 o# ~2 K1 T! v& _当QE = 1时，设置为高速模式，保持管脚（/HOLE）和读写保护管脚（/WP）被设置为IO2和IO3功能使用。

* v4 ~  r$ N$ `  yS10、S11、S12、S13----安全寄存器锁位（LB3、LB2、LB1）
; w; ]' a% @7 D+ \1 n6 g: o# `LB3-1的默认状态为0，安全寄存器被解锁。
& _) y6 _  X2 n- `4 S+ h7 X可以使用写状态寄存器指令将LB3-1单独设置为1。
6 R" n" [/ y& Y  uLB3-1是一次性可编程(OTP)，一旦它设置为1，相应的256字节安全寄存器将成为永久只读。

S14----补码保护位（CMP）
) y( _% A+ @7 K1 d! V  u它与SEC、TB、BP2、BP1和BP0位结合使用，为阵列保护提供更大的灵活性。
一旦CMP设置为1，之前SEC、TB、BP2、BP1和BP0设置的阵列保护将被逆转。例如：
当CMP=0时，一个最高64KB的块可以被保护，而数组的其他部分则不受保护;
: f1 M# Q/ |" K/ |当CMP=1时，最上面的64KB块将成为不受保护的，而数组的其余部分将成为只读的。
默认设置为CMP=0。

5 p6 }& t& b: P) ?6 j* M; d0 SS15----暂停状态位（SUS）
% O7 `+ {: r4 f$ F: m在执行**擦除/程序暂停(75h)指令后设置为1。
2 W# K/ P! x/ N2 C! w0 v8 E通过擦除/程序恢复 (7Ah)**指令以及下电、上电周期将SUS状态位清除为0。
3 D) y- A3 V) X0 ]6 i& j
状态寄存器3
8 ]& O! \8 f, f% `! p9 S" f

* C# }4 J7 c5 F7 d+ T0 |' L, ~
S16----当前地址模式（ADS）
表示设备当前运行的地址模式。
当ADS=0时，设备处于3字节地址模式，
当ADS=1时，设备处于4字节地址模式。

- h+ j$ L% b; _, l4 pS17----启动时地址模式（ADP）
决定设备上电或复位时的初始地址模式，该位仅在上电或设备复位初始化期间使用。
当ADP=0(出厂默认)时，设备将启动到3字节地址模式，扩展地址寄存器必须用于访问超过128Mb的内存区域。当ADP=1时，设备将直接启动到4字节地址模式。

S18----写保护方案（WPS）
2 a" q: x3 U; L$ G  r/ z8 Z当WPS=0时，设备将使用CMP、SEC、TB、BP[2:0]位的组合来保护存储阵列的特定区域。
当WPS=1时，设备将使用单独块锁来保护任何单独的扇区或块。
' F& o& z7 x( }! a设备上电或复位后，所有单个块锁定位的缺省值为1。
3 T1 h4 b. \0 ^6 C# L0 z
S22、S21 ---- 输出信号强度（DRV1、DRV0）

% _! ^9 u! X) M1 W+ P5 a/ V' ^
3 u* |/ G! B" y2 {6 _
S23----HOLD/RST引脚功能选择
. t. u1 ]7 R$ V当HOLD/RST=0(出厂设置)时，引脚为/HOLD。
当HOLD/RST=1时，引脚为/RESET。
但是，只有当QE=0时，/HOLD或/RESET函数才可用。
QE设置为1时，关闭/HOLD和/RESET功能，引脚为专用数据I/O引脚。
, i# m: {- s' U! t. h& E" t! z
3. W25Qxx系列芯片----常用操作命令
( r$ v; [! M. H% Z: z（1）单字节操作
单字节操作，只往芯片中写入1字节的操作命令，具体代码如下：

: p  h# L0 \; N& e. k! x

1. void W25QXX_Write_Enable(void) //写使能
   
2. {
   
3.         W25QXX_CS(0);                                 //拉低片选CS引脚---使能芯片
   
4.         W25QXX_ReadWriteByte(0x06);  //写入1字节操作命令
   
5.         W25QXX_CS(1);                                 //拉高片选CS引脚---关闭芯片        
   
6. }

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操作命令 如下表所示：




% a5 }0 l0 ~1 U1 x注：如果想要实现其他功能，替换操作指令数据，便可实现功能。
" r& k* Q/ |1 G
（2）双字节操作
双字节操作，先往芯片中写入1字节的操作命令，接下来是读取/写入的字节数据。
. T8 l: |  k3 s具体代码如下：
$ M# m4 s: U; a4 T# r2 N

1. //读取1字节数据
   
2. uint8_t W25QXX_ReadSR(void)//读取状态寄存器
   . |1 A5 Q1 i) y3 Q' L
3. {
   $ S6 W! E* P1 ~0 }& g' E5 V" A
4.         uint8_t  data=0;
   
5.         W25QXX_CS(0);                             //拉低片选CS引脚---使能芯片
   
6.         W25QXX_ReadWriteByte(0x05);           //写入1字节操作命令
   / {7 X" A; A' Z  b
7.         data=W25QXX_ReadWriteByte(0Xff); //读取1字节数据
   2 {% K$ {; j4 w; o% }/ \  u
8.         W25QXX_CS(1);                    //拉高片选CS引脚---取消片选
   3 j! u) f  c: A, k/ a! }
9.         return data;
   " w9 k. w& V4 Y/ Y" ]8 |
10. }
    6 ~! A& O2 u: k' Q: g, b
11. 
    3 N% q2 r) @0 k- R
12. //写入1字节数据
    . z# n2 I, F. L0 |2 M; M& G
13. void W25QXX_WriteSR(uint8_t data)//写状态寄存器
    ( x2 M+ O' y* p8 \; d9 d
14. {
    
15.         W25QXX_CS(0);                    //拉低片选CS引脚---使能芯片
    . i: l+ P6 \" i  [
16.         W25QXX_ReadWriteByte(0x01); //写入1字节操作命令
    ! L" M* X4 z/ B, u! V
17.         W25QXX_ReadWriteByte(data); //写入1字节数据
    
18.         W25QXX_CS(1);               //拉高片选CS引脚---取消片选
    , k8 G( c+ ?9 V
19. }
    

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操作命令 如下表所示：
! w) j" l1 m) S9 L


注：如果想要实现其他功能，替换操作指令数据，便可实现功能。
. D5 o1 s% a2 Y
) e+ ?$ P% t' k0 C2 S; f8 {9 I（3）读取ID操作
具体代码如下：
; U, a# d0 S9 W, F
# j+ T' c8 J; @" ?0 V' i

1. uint16_t W25QXX_ReadID(void)//读取芯片ID
   
2. {
   " d8 r+ Z7 S( L3 f$ s4 c
3.         uint16_t ID = 0;         
   
4.         W25QXX_CS(0);                                //拉低片选CS引脚---使能芯片   
   ; z. c" z1 e1 J; L+ @* |+ L
5.         W25QXX_ReadWriteByte(0x90);        //发送读取ID命令            
   
6.         W25QXX_ReadWriteByte(0x00);            
   
7.         W25QXX_ReadWriteByte(0x00);            
   
8.         W25QXX_ReadWriteByte(0x00);                                    
   + T8 x3 j+ ?$ u$ M
9.         ID|=W25QXX_ReadWriteByte(0xFF)<<8;  
   
10.         ID|=W25QXX_ReadWriteByte(0xFF);         
    : Y1 j- r, ]8 ^# j; u' d
11.         W25QXX_CS(1);                                 //拉高片选CS引脚---取消片选   
    
12.         return ID;
    
13. }

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操作命令 如下表所示：
1 B" O& B* z  v7 B4 L5 F
8 A! m! s# T$ i9 W3 _3 `3 t
& u& w1 ?1 |2 V/ G
指令名称        指令数据(hex)        字节1        字节2        字节3        字节4        字节5        功能
! z+ }" }5 R* B- _! j4 KDevice ID        0xAB        0x00        0x00        0x00        （ID7-ID0）                读取设备ID
2 \: S9 O  ?- N" E3 Z# ^  ZManufacturer/Device ID        0x90        0x00        0x00        0x00        （MF7-MF0）        （ID7-ID0）        读取制造商+设备ID
JEDEC ID        0x9F        （MF7-MF0）        （ID15-ID8）        （ID7-ID0）                        读取全部ID
* t8 I$ x  I) T  \2 u0 J) H# h% M2 }Read Unique ID        0x4B        0x00        0x00        0x00        0x00        （UID63-0）        读取唯一ID号
% {6 k9 K! d2 w注：如果想要实现其他功能，替换操作指令数据，便可实现功能。
" ]3 g6 c5 l# }( G7 I  z
（4）带地址操作
带地址操作主要分两种：
3字节地址：W25Qxx系列芯片都可以使用。
$ `9 V  X. p9 k/ q, G0 o- s1 V4字节地址：只有W25Q256和W25Q512可用。

# g8 Y5 H9 X7 W' f$ V2 I8 A9 |3字节地址
具体代码如下：
7 b: Q+ |0 h- H0 \0 M

1. //读取数据
   # K2 k9 E8 O) U/ C! y5 h
2. void W25QXX_Read(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint16_t NumByteToRead)   
   
3. {                                                     
   ; Y" K" T" \" w9 d
4.         W25QXX_CS(0);                                //拉低片选CS引脚---使能芯片
   $ `2 F# k: P$ o$ p  A0 a$ o$ c
5.     W25QXX_ReadWriteByte(0x03);                            //发送读取命令  
   & v+ {- f$ C. P1 o0 c0 A! y
6.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr)>>16));   //发送24bit地址   
   
7.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr)>>8));   
   
8.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)ReadAddr);   
   
9.     for(uint16_t i=0;i<NumByteToRead;i++)//可读多个数据
   
10.         {
    " b+ K5 \. S7 R$ Q3 P$ \# O& b
11.        pBuffer<i>=W25QXX_ReadWriteByte(0XFF);    //循环读数  
    / U" o7 {9 G& ^  N, @+ t
12.     }
    ; C2 x; C2 ]5 ^
13.         W25QXX_CS(1);                                                  
    
14. }  
    
15. 
    + B+ q# F) H6 p, }" P& d/ w/ X1 s
16. //写入数据
    6 D6 s4 J- P' ]6 I3 R5 c
17. void W25QXX_Write_Page(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint16_t NumByteToWrite)
    
18. {
    
19.     W25QXX_Write_Enable();                          //写使能
    
20.         W25QXX_CS(0);                                    //使能器件   
    
21.     W25QXX_ReadWriteByte(0x02);   //发送页写命令   
    4 Z; O8 Y$ h& z% d! A
22.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>16)); //发送24bit地址   
    * W+ G- X* i5 c" r
23.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>8));   
    " A  t8 M2 c' v2 g; c  C
24.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)WriteAddr);   
    
25.     for(uint16_t i=0;i<NumByteToWrite;i++)//可写多个数据，最多256个字节一页数据
    , f) O2 ]. E. a
26.         {
    
27.                 W25QXX_ReadWriteByte(pBuffer<i>);//循环写数  
    9 F* q. h3 E* `3 g6 Z( I/ ?! m3 y# o
28.         }
    
29.         W25QXX_CS(1);                                    //取消片选
    
30.         W25QXX_Wait_Busy();                                                           //等待写入结束
    6 S# _( J. H+ O: I
31. } </i></i>

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1 ^% C6 W8 R" Y- \& h' b7 Z) u操作命令 如下表所示：
$ f7 A1 }$ W8 s) K


7 a7 E) @; F6 r  S8 g9 d! a1 K( C, n4字节地址
具体代码如下：

1. //启用4字节地址模式        
   
2. void W25QXX_Enter_4Byte()
   2 v2 @/ d5 \6 s3 \0 U
3. {
   3 X' @: g9 m* {
4.         W25QXX_CS(0);                                 //拉低片选CS引脚---使能芯片
   2 n/ y) G# E( K( c4 E+ O
5.         W25QXX_ReadWriteByte(0xB7);  //写入1字节操作命令
   7 p7 E' C8 r! N" |5 |
6.         W25QXX_CS(1);                                 //拉高片选CS引脚---关闭芯片
   9 Q1 \" D/ M$ g2 ?- c
7. }
   0 G4 z0 O2 M; u$ }# @9 u- M
8. 
   
9. //退出4字节地址模式        
   
10. void W25QXX_Exit_4Byte()
    
11. {
      r9 h. R/ e# D' u% d$ J# @! V
12.         W25QXX_CS(0);                                 //拉低片选CS引脚---使能芯片
      x- |% q+ a8 h( k& y) m: F0 F
13.         W25QXX_ReadWriteByte(0xE9);  //写入1字节操作命令
    5 B) X$ }0 P) x6 ^2 l+ L# ^
14.         W25QXX_CS(1);                                 //拉高片选CS引脚---关闭芯片
    7 i* F0 p% {3 S1 X1 p! U- X1 p
15. }
    + \! N2 Q( D& z2 y; Z7 O9 T
16. 
    5 I$ K# t+ p) N' J- {
17. //读取数据
    
18. void W25QXX_Read(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint16_t NumByteToRead)   
    
19. {                                                     
    
20.         W25QXX_CS(0);                                //拉低片选CS引脚---使能芯片
    
21.     W25QXX_ReadWriteByte(0x13);                            //发送4字节地址读取命令  
    4 U/ R; x0 Y+ l  O+ g! N0 E: C' f+ b" w
22.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>24));//发送32bit地址
    
23.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr)>>16));     
    * |) I' W& }2 W) c" F" g$ l
24.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr)>>8));   
    " f( I8 k. L" g
25.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)ReadAddr);   
    
26.     for(uint16_t i=0;i<NumByteToRead;i++)//可读多个数据
    4 r; ^0 z/ A7 u0 V
27.         {
    
28.        pBuffer=W25QXX_ReadWriteByte(0XFF);    //循环读数  
    / L( W, ]$ O' w7 b7 F0 }+ O4 a' R
29.     }
    9 E* }( s( ?* C" I6 i0 h
30.         W25QXX_CS(1);                                                  
    
31. }  
    4 ?) G9 A7 @3 d  Q5 s  K
32. 
    / e4 C% ^- L+ b: U$ G
33. //写入数据
    
34. void W25QXX_Write_Page(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint16_t NumByteToWrite)
    - n) [8 q6 s" q# o
35. {
      S7 h* y. }. Y" L9 U/ k
36.     W25QXX_Write_Enable();                  //写使能
    
37.         W25QXX_CS(0);                            //使能器件   
    
38.     W25QXX_ReadWriteByte(0x12);                           //发送4字节地址页写命令   
    8 q/ y1 t; ^9 b% `
39.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>24));//发送32bit地址
    ! h; B. e/ _. k7 C& {
40.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>16));   
    
41.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>8));   
    ( f( s. w0 R7 x) y; P& H) m
42.     W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)WriteAddr);   
    
43.     for(uint16_t i=0;i<NumByteToWrite;i++)//可写多个数据，最多256个字节一页数据
    
44.         {
    
45.                 W25QXX_ReadWriteByte(pBuffer);//循环写数  
    ! G5 j; F. g. s7 M/ C/ F. e) T2 m
46.         }
    + A& A- C5 h0 v1 Z. l
47.         W25QXX_CS(1);                                    //取消片选
    ' }( ?% B# D" V, y% g
48.         W25QXX_Wait_Busy();                                                           //等待写入结束
    
49. }

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/ p; o7 r; m- @5 B注：如果想要实现4字节地址，需要启用4字节地址模式。
! q0 k3 M7 R2 u# P* z
操作命令 如下表所示：
& ?, _- u1 r6 R% {/ Q; I

, ]- [' V+ @7 g2 X3 \2 H; m, ?
————————————————
, r! [5 t7 l5 O( j  K% a版权声明：根号五

' }* L' C, P1 M3 Y' {
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