
stm32F723ZET6使用ADC捕获正弦波,adc采样频率过高导致主函数无法运行,要怎么优化?
STM32F723ZET6使用ADC捕获标准正弦波并通过USB主动上报,正弦波重新拟合后存在凹陷峰?
STM32F769是否可以部署边缘AI
STM32F723ZET6配置内部USB PHY的高速模式,初始化的时候usb init无法通过,要怎么修改配置呢?
训练好的ai模型导入cubemx不成功咋办,试了好几个模型压缩了也不行,ram占用过大,有无解决方案?
【STM32F769I-DISC1】LVGL在使用SPI_DMA数据发送时出现错误。
STM32F769I-DISC1的内存地址映印射如果查找
TouchGFX4.25.0 生成工程代码时报TouchGFX CMake projects only support ARM GCC toolchain.
求助
STM32F767+DP83848 LWIP+UDP 大量数据分片发送问题???
TCM接口主要是内核用来访问片内存储单元的64位接口,访问速度快。其中ITCM和DTCM只能被内核访问,我们可以把那些对执行时间
敏感的代码或数据放在这些地方。当然,TCM 存储区容量比较有限。
AXI接口就是内核作为MASTER基于AXI协议而访问其他模块的接口,内核可以通过AXI接口访问flash,外设等,多数使用32位总线,涉及到总线桥、总线矩阵等。
你会发现片内FLASH既可以走TCM接口,也可以AXI接口。走AXI接口的可能用到Cache,走TCM接口时不涉及Cache.
其中,内核对片内外设或外扩设备都是通过AXI接口经总线矩阵进行访问。
这里只是简单给你开了个头供你参考,你再慢慢探究。
[md]谢谢大佬
大佬,关于TCM和AXI接口接的总线矩阵这方面,我在用H743和H7B0的时候稍微研究过一点,H7的总线矩阵也比F7要复杂不少,我印象比较深的是TCM只能CPU访问,DMA是无法访问的,TCM的速度是和CPU速度一样所以不需要Cache。这个Flash接口走AXI和TCM实际用的时候有啥区别?我看了一下F7参考手册Embeded Flash Memory这一章,如果用ART加速Flash读取,必须走TCM接口
2. 通过AXI 总线接口连接AHB 总线矩阵 可以执行指令,以及读写访问。 另外DMA可以通过AHB总线矩阵传输FLASH上的数据。