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请教下,STM32H750XBHx我看资料内置flash为128K,并且flash擦除的最小单元也是128K。这样的话我有数据要保存应该怎样处理好呢?写数据时是要将程序部分一起擦除再写回去吗?这样会不会有风险? |
NUCLEO-H7S3L8开发板,操作板载FLASH出错,无法进入APP
H743 ulpi phy 引脚配置
DMAMUX 使用内部外设Request Event(不使用TIM12和LPTIM)
STM32H747XG下载一次仿真器就检测不到,运行不能正常
——STM32H747XG下载一次仿真器就检测不到,运行不能正常 原理图是否有问
STM32H7开发LWIP时遇到的问题
STM32H7 UART 使用、HAL 代码分析和实际遇到的问题
STM32H750 FFT 时间太长
[ZEPHYR]SDMMC2 Clock Initialization Failure on M4 Core (PLL2R Frequency Mismatch) 問題詢問
OV5640 JPEG帧头和帧尾读取错误,无法找到FFD8和FFD9
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不太可行、或者说很不方便。因为写了一次再去写第二次意味着要对整个扇区先做擦除。
现有程序这么办嗯?或许可以考虑放在别的地方,即使可行,也不方便。
你可以考虑外扩存储芯片或者换个多扇区的H7系列芯片。
我看手册说有个2K的用户配置,这个是不是可以用来存储数据?
2 KB(64 个 Flash 字)的用户选项字节,用于进行用户配置: 此区域仅在存储区 1 中可用。与用户 Flash 和系统 Flash 不同,该区域并未映射到任何 存储器地址,并且仅可通过 Flash 寄存器接口进行访问
板子有限制,不方便扩展
[md]这个该怎样操作呢?
For legacy only , Flash bank 2 not available on STM32H750xx value line看样子不支持750。只能考虑外扩存储空间了。
[md]H723ZET6如何操作选项字节呢