大家好，我正在基于 STM32F429 芯片开发一个二级启动程序（sboot），目的是实现 “无烧录器更新程序”—— 只需将编译好的应用文件放到 SD 卡，单片机上电后就能自动加载运行，极大简化调试和更新流程。目前使用 Cube IDE 开发，硬件配置如下：

• 主控制器：STM32F429（内部 Flash 存储 sboot，内部 SRAM 起始地址 0x20000000，容量 256KB）
• 外部存储：铠侠 64GB SD 卡（通过 SDIO 总线连接，用于存放应用程序 boot.bin）
• 外部内存：32MB SDRAM（起始地址 0xC0000000，通过 FMC 控制器驱动，用于加载并运行 boot.bin）

功能流程说明

sboot 固化在 STM32 内部 Flash，上电后执行以下步骤：

1. 初始化最小系统（如时钟、GPIO 等基础配置）；
2. 通过 FMC 控制器初始化外部 SDRAM（已验证可正常读写）；
3. 初始化 SDIO 总线和 FatFS 文件系统，挂载 SD 卡；
4. 检查 SD 卡根目录是否存在 boot.bin，若存在则将其完整拷贝到 SDRAM 的 0xC0000000 地址；
5. 跳转至 SDRAM 中的 0xC0000000 地址，执行 boot.bin（应用程序）。

目前遇到的核心疑问

1. 链接脚本（LD 文件）的选择与修改 Cube IDE 默认生成两个链接脚本：flash.ld（针对程序存储在内部 Flash 并运行的场景）和ram.ld（针对程序在内部 RAM 运行的场景）。但我的应用程序需要存储在 SD 卡，最终加载到外部 SDRAM（0xC0000000）运行，这种情况下应该基于哪个脚本修改？ 具体需要调整哪些关键配置（比如FLASH/RAM段的起始地址和大小、_estack栈顶地址、_sidata/_sdata等段的映射关系）才能确保程序正确加载到 SDRAM 并正常执行？

2. 堆（Heap）和栈（Stack）的位置选择 应用程序的堆和栈应该放在内部 SRAM（0x20000000 起始）还是外部 SDRAM（0xC0000000 起始）？ 两种方案的优缺点对比：内部 SRAM 速度快但容量有限（256KB），可能限制大堆 / 栈需求的应用；外部 SDRAM 容量大（32MB）但依赖 FMC 稳定性，且访问速度略慢。从兼容性和稳定性角度，更推荐哪种方案？

3. NVIC 中断向量表的配置 sboot 运行时，中断向量表默认指向内部 Flash（0x08000000）；而应用程序在 SDRAM（0xC0000000）运行，其向量表也位于 SDRAM 中。 如何确保应用程序的中断能正确响应？是需要在 sboot 跳转前修改SCB->VTOR寄存器指向 SDRAM 中的向量表，还是在应用程序初始化时自行修改？此外，STM32F429 对向量表的地址对齐有要求（如 0x200 对齐），需要特别注意吗？

4. 应用程序 startup.s 的修改必要性 我担心应用程序的启动文件（startup_stm32f429xx.s）会重复初始化 sboot 已配置的硬件，导致冲突：

   • sboot 已通过 FMC 初始化外部 SDRAM，若应用程序的startup.s或SystemInit函数中再次初始化 FMC，可能覆盖时序参数，导致 SDRAM 访问失败（应用程序本身运行在 SDRAM 中，会直接崩溃）；
   • sboot 已配置好系统时钟（如 PLL 使能，HCLK=180MHz），若应用程序再次初始化时钟树，可能导致 SDIO、FMC 等外设时序错乱；
   • 其他可能的冲突点：如 GPIO 复用配置、NVIC 优先级分组等。

   因此，应用程序的startup.s必须修改吗？具体哪些初始化步骤需要删除（如 FMC 配置、时钟初始化），哪些可以保留（如内核基础初始化）？是否有更安全的修改方式（比如通过宏定义屏蔽特定初始化）？