面向高性能电源应用的突破性技术

意法半导体的GaN HEMT晶体管属于STPOWER系列，将氮化镓的全部性能优势引入电源转换设计。这些增强型p-GaN器件具有低导通损耗、超快开关速度以及零反向恢复特性，助力实现更小、更轻、发热更低的电源转换系统。

通过极低的单位面积导通电阻，结合超低的栅极电荷与本征电容，器件实现了优异的R~ds~~(on)~ x QG 品质因数 ，从而在整个工作范围内降低开关损耗和导通损耗。这使得系统能够支持更高的开关频率、使用更小的无源元件，并采用更先进的拓扑结构。

为何选择PowerGaN？

**效率提升**

• 功耗降低
• 散热要求更低
• 系统性能更高

**功率密度提高**

• 相同功率等级下封装更小
• 相同封装下功率更高
• 系统级外形尺寸更小

**系统成本减少**

• 外部元件数量减少
• 极小或无需散热器
• 更高可靠性，更长使用寿命

选择适合您的PowerGaN器件

TO-LL

无引线封装，具备出色的热性能，是需要高效散热的紧凑型高功率级的理想选择。

PowerFLAT 8x8 HV

超薄型封装，适用于纤薄设计，可最大限度降低基于PowerGaN的高频转换器中的寄生参数。

DPAK

成熟的行业标准封装，支持以高性价比方式升级现有开发板，获得更高效率。

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链接：

https://www.st.com.cn/content/st_com/zh/campaigns/stpower-gan-transistors-for-high-performance-power-applications-mcpgan.html