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STM32F429 驱动TFT

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Aike 提问时间:2018-7-19 14:53 /
各位大神,关于STM32F429驱动TFT屏有几个问题。
SDRAM连接429的地址、数据、时钟是否需要加电阻?
SDRAM的layout是否需要等长线?
两层板和四层板是否都可以用来设计?

收藏 评论5 发布时间:2018-7-19 14:53

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5个回答
七哥 回答时间:2018-7-19 15:02:12
如果你用的是3.3V的SDRAM,那么不需要加电阻。(千万别说你要用2.5V的SDRAM)
等长,具体看速度,如果速度低的话,不需要等长。但也不能任意乱走线。
两层板可以做,四层板最佳。

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Aike 回答时间:2018-7-19 15:07:42
toofree 发表于 2018-7-19 15:02
如果你用的是3.3V的SDRAM,那么不需要加电阻。(千万别说你要用2.5V的SDRAM)
等长,具体看速度,如果速度 ...

是3.3V的SDRAM,看到有资料说时钟需要加电阻,请问下,是否需要?
大概多少的速度以上需要等长,目前我走线是先走的时钟,然后地址线,再然后数据,top层横向走的,bottom层走的纵向,2,3层准备走电源和地。你有其他的建议吗?
七哥 回答时间:2018-7-19 15:15:48
本帖最后由 toofree 于 2018-7-19 15:17 编辑
shareyang 发表于 2018-7-19 15:07
是3.3V的SDRAM,看到有资料说时钟需要加电阻,请问下,是否需要?
大概多少的速度以上需要等长,目前我走 ...


32F429IDISCOVERY_板载STM32F429ZIT6单片机的探索套件板,资料请参考。

stm32f429i_disco_sch.zip (391.7 KB, 下载次数: 19)

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Aike 回答时间:2018-7-19 15:24:52
toofree 发表于 2018-7-19 15:15
32F429IDISCOVERY_板载STM32F429ZIT6单片机的探索套件板,资料请参考。

多谢支持,问下,0.1uF的去耦电容是否需要并联0.01的电容,频率优点偏高。还有个问题,如何去选择SDRAM的参数?
jakecumt 回答时间:2018-7-19 16:02:24
大概多少的速度以上需要等长,
125M以上吧  速度越高 要求越严格
0.1uF的去耦电容是否需要并联0.01的电容
最好加上 特别是芯片的电源和地之间的

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