本文开发环境：

3 C% u0 r6 U& e9 l2 r7 yMCU型号：STM32F051R8T6
' r( y' J, `0 h/ AIDE环境： MDK 5.25
代码生成工具：STM32CubeMx 5.0.1
HAL库版本：v1.9.0（STM32Cube MCU Package for STM32F0 Series）
# c3 ]+ e" g: J/ a$ `0 l/ R' Y
本文内容：
" u( O) W$ J( l! u: w! [6 N  P
MCU片内Flash（闪存）的擦除与读写
一个Flash读写例子

0 ?! }7 w. y7 }4 Z8 b; x$ ]Example
首先给出一个Flash程序一个完整的片段：

1. ... ...
   - C% Q1 u/ c& C4 \  Z7 E1 n9 T& I# v
2. #include "stm32f0xx_hal.h"
   & D7 }/ ]% q" p( r
3. ... ...
   
4. static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
   % F( v( E! N9 L+ K9 d5 P+ ?
5.         .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,       //页擦除
   ) N+ {/ B6 l* j0 v0 A4 n0 L
6.         .PageAddress = 0x08008000,                //擦除地址
   1 D' Y( h. J# i$ P8 W" r
7.         .NbPages = 1                              //擦除页数
   * ]" T7 M$ j/ h" n6 Y% T
8. };
   
9. ... ...
   4 \- w! ?3 [# ]
10.   while (1)
    * b5 b% b  p' v4 k3 d
11.   {
    
12.                 HAL_FLASH_Unlock();
    + l, z7 U' t) O4 k
13.                 uint32_t PageError = 0;
    
14.                 __disable_irq();                             //擦除前关闭中断
    ( B+ Y3 R0 e5 [" i# k5 T
15.                 if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
    3 b! s$ a. R4 ?$ \& p% \
16.                 {
    
17.                         printf("擦除 成功\r\n");
    
18.                 }
    
19.                 __enable_irq();                             //擦除后打开中断
    
20.                 uint32_t writeFlashData = 0x55555555;        //待写入的值
    # D, v* H* P: Z* P( Z! B  T: C
21.                 uint32_t addr = 0x08008000;                  //写入的地址
    
22.                 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
    
23.                 printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
    + J8 V! M3 ]; Z2 c3 A6 @
24.             HAL_FLASH_Lock();
    % y( O  V8 Z" z6 ?  l
25.                 while(1);
    
26.                
    7 T7 D$ a% D# |! W; `# T
27.     /* USER CODE END WHILE */
    / r% z/ U8 i. B) e$ h
28.     /* USER CODE BEGIN 3 */
    0 ?& G1 b" a/ O" ~' o, ?- X
29.   }

复制代码

本地代码段写在main.c中，STMCubeMx生成工程时已经在main.c文件中包含了各种头文件，所以这段代码可以直接使用的，如果我们想在其它文件中使用它，请记得包含HAL库头文件：
. ?+ N5 N' r5 r

1. #include "stm32f0xx_hal.h"

复制代码

: k8 N* q1 [* t4 m' E! d7 K! p8 N特别的，擦除flash的时候不能执行其他程序，所以擦除前要关闭中断，擦除后记得恢复中断状态。这段代码一旦运行，就会在特定地址写入特定的值，并可以通过串口助手查看数据：
4 d% K% O8 ?7 D7 K
- |; f! Q, `! S/ K  W

. e+ |4 N( Z# l/ O+ f8 X
0 C0 U" s; u# i+ ?" T# O# M4 rFLASH 简介
Reference manual （RM0091）手册给出了该系列的用户Flash的起始地址，Page，Sector的划分，这个是一个重要的参考信息，因为在Flash操作中，我们要写入数据需要先擦除数据，而擦除的最小单位是PAGE。单片机有几种启动模式，但大多数是从0x0800 0000这段代码开始运行的，我们的代码也是从这个地址开始烧录。这类似于我们计算机，常见开机就是从C盘（如果C是系统盘）启动，但是也可以设置从U盘启动。由于Flash的介绍，手册和网上已经有非常多的资料。

# r, q' V( A! U8 A3 L, x# sFlash 的上锁与解锁
+ p- o1 u1 \7 B! i4 w2 A# r8 j在操作Flash之前，我们都需要对Flash进行解锁，对应的，操作完Flash之后，则需要对Flash进行上锁。这里的操作包括擦除，读和写等。HAL库提供了2个API，用户可以直接调用：

: E; h( Y/ i* I% J& `

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
   $ t+ r3 ~% ~+ o
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);

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Flash 的擦除
在擦除Flash之前，我们需要确定一些参数，擦除的地址，擦除的页数等，HAL库提供了一个与之相关的结构体：

1. typedef struct
   
2. {
   
3.   uint32_t TypeErase;   /*!< TypeErase: Mass erase or page erase.
   ( d( \. T2 K& X& k3 L& ~
4.                              This parameter can be a value of @ref FLASHEx_Type_Erase */
   
5. 
   ! l4 a! N' z+ E% t3 _2 R: R
6.   uint32_t PageAddress; /*!< PageAdress: Initial FLASH page address to erase when mass erase is disabled
   
7.                              This parameter must be a number between Min_Data = FLASH_BASE and Max_Data = FLASH_BANK1_END */
   
8. 
   4 Z+ h+ L. O: z9 }+ w% t
9.   uint32_t NbPages;     /*!< NbPages: Number of pagess to be erased.
   5 @' @9 s+ T5 R' R& B6 u
10.                              This parameter must be a value between Min_Data = 1 and Max_Data = (max number of pages - value of initial page)*/
    
11. 
    & w3 E8 U1 \! m: n. N
12. } FLASH_EraseInitTypeDef;
    & X) L' w3 T5 F4 Y" d/ v0 J2 L

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. h" c4 k4 [/ Z8 U5 P所以在使用擦除函数之前，我们先定义一个结构体，并初始化它：
7 I  ^! Q9 y5 d6 H% A8 L* O9 J

1. static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
   
2.         .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,        //擦除类型：page擦除，即擦除整页。也可以选择擦除整片
   " j) G! V4 ?* ^4 h5 ]/ d5 T
3.         .PageAddress = 0x08008000,                 //擦除起始地址
   ( N, V4 N* `( z7 Z3 T8 m+ {6 j, E
4.         .NbPages = 1                               //擦除页数
   
5. };

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初始化好结构体之后，就可以使用HAL官方提供的API进行擦除：
. H; B/ R: w' G* X

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

复制代码

其中第一个参数为指针，我们传入我们上文初始化好的结构体，第二个参数用来存放错误信息，我们新建一个值来存储，以下是示例代码：

1. ... ...
   
2. uint32_t PageError = 0;
   $ h# U  `- |/ ]6 P. O
3. HAL_FLASH_Unlock();
   , Y9 k9 O- G; R' `$ Q* k
4. if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
   ' b# C4 I1 K+ k: a+ T& e7 I
5. {
   
6.         printf("Erase Succeed\r\n");
   
7. }
   
8.         HAL_FLASH_Lock();
   
9. ... ...

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如果你有ST-LINK或者J-LINK此类的调试器，可以使用硬件调试，然后查看0x08000000对应扇区的值，你会发现擦除后的数据全是0xFF。

* S/ _0 \, l5 Z% N# B  H+ S$ F) aFlash 的读写操作
Flash的写操作
' V, e6 C0 h+ L" X* Z+ q当我们擦除了一个扇区，该扇区就属于可以写状态，我们可以通过读Flash来确认我们写入的值，HAL库提供的写操作函数如下：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)

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其中：

1. - TypeProgram ：写类型，只可以是半字(2个字节)或字（4个字节）
   4 \1 y* {/ l2 @: F  e! l* h% A4 f0 ~
2. - Address     ：地址
   
3. - Data        ：写入的数据的值

复制代码

Flash的读操作
Flash 只需要所在地址，就可以读取对应的值：

1. uint32_t pValue= *(__IO uint32_t*)(addr);

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- z. S; K5 p5 d5 J4 m以下程序写入一个值，并将整个值读取出来：

1. ... ...
   
2. uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
   
3. uint32_t addr = 0x08008000;
   
4. HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
   
5. printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
   
6. HAL_FLASH_Lock();
   
7. ... ...

复制代码

注意
8 L7 O9 T8 s8 j' K( d由于我们经常使用Flash来存放用户程序，所以要特别注意我们读写的时候不破坏到原程序，本文因为程序很小，不可能写到0x08008000，所以直接用这个地址作为例子，在实际运行中，我们需要设计要那些区域是可以用来读写的，避免出现程序错误。



3 d, R5 @3 m" l  J" W1 e8 Y3 N; G