本文开发环境：
; f1 {) W" l2 [0 f( _
MCU型号：STM32F051R8T6
8 b: o; t9 v8 h& |4 j  @IDE环境： MDK 5.25
9 y. r' o9 ~8 t7 t代码生成工具：STM32CubeMx 5.0.1
9 i) l! h% B" Y9 QHAL库版本：v1.9.0（STM32Cube MCU Package for STM32F0 Series）

* M5 z, }. W, \/ z! A3 `" B, Y( G$ i本文内容：
, E: a" T; c- X7 n9 ~
MCU片内Flash（闪存）的擦除与读写
" C4 J# x0 E/ l6 }# c一个Flash读写例子
  u" G+ [) b& X8 x+ ^
Example
6 Q% e1 L$ j7 f8 I; F  q首先给出一个Flash程序一个完整的片段：

1. ... ...
   * I+ X0 J# @4 z3 Y
2. #include "stm32f0xx_hal.h"
   
3. ... ...
   
4. static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
   
5.         .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,       //页擦除
   
6.         .PageAddress = 0x08008000,                //擦除地址
   
7.         .NbPages = 1                              //擦除页数
   
8. };
   4 T" }3 J- M' A/ o2 I/ J6 ^
9. ... ...
   $ f, F' n( V" l1 `
10.   while (1)
    3 d& e/ C( c  D+ j
11.   {
    : b* D$ l/ [6 u4 }' x! T) d0 {( T
12.                 HAL_FLASH_Unlock();
    
13.                 uint32_t PageError = 0;
    
14.                 __disable_irq();                             //擦除前关闭中断
    
15.                 if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
    
16.                 {
    
17.                         printf("擦除 成功\r\n");
    
18.                 }
    . i, P/ l2 c2 W& r
19.                 __enable_irq();                             //擦除后打开中断
    6 \  E3 M7 ?' H# ^6 \* f
20.                 uint32_t writeFlashData = 0x55555555;        //待写入的值
    
21.                 uint32_t addr = 0x08008000;                  //写入的地址
    
22.                 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
    
23.                 printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
    4 J6 d5 {$ e1 v+ g) U
24.             HAL_FLASH_Lock();
    4 L6 `3 a2 d7 S/ J# @. q% z7 V
25.                 while(1);
    
26.                
    
27.     /* USER CODE END WHILE */
    
28.     /* USER CODE BEGIN 3 */
    * N9 j1 b7 Y, u. }6 n
29.   }

复制代码

本地代码段写在main.c中，STMCubeMx生成工程时已经在main.c文件中包含了各种头文件，所以这段代码可以直接使用的，如果我们想在其它文件中使用它，请记得包含HAL库头文件：

1. #include "stm32f0xx_hal.h"

复制代码

特别的，擦除flash的时候不能执行其他程序，所以擦除前要关闭中断，擦除后记得恢复中断状态。这段代码一旦运行，就会在特定地址写入特定的值，并可以通过串口助手查看数据：

( j% m# @- C0 k

FLASH 简介
) r- o+ f* x6 J3 EReference manual （RM0091）手册给出了该系列的用户Flash的起始地址，Page，Sector的划分，这个是一个重要的参考信息，因为在Flash操作中，我们要写入数据需要先擦除数据，而擦除的最小单位是PAGE。单片机有几种启动模式，但大多数是从0x0800 0000这段代码开始运行的，我们的代码也是从这个地址开始烧录。这类似于我们计算机，常见开机就是从C盘（如果C是系统盘）启动，但是也可以设置从U盘启动。由于Flash的介绍，手册和网上已经有非常多的资料。
9 ~4 ~) b4 Y" K: `: V4 \

Flash 的上锁与解锁
在操作Flash之前，我们都需要对Flash进行解锁，对应的，操作完Flash之后，则需要对Flash进行上锁。这里的操作包括擦除，读和写等。HAL库提供了2个API，用户可以直接调用：

8 g! X! g) m6 d+ h2 A

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
   
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);

复制代码

& ~+ Z8 {. Q* V4 X1 [Flash 的擦除
在擦除Flash之前，我们需要确定一些参数，擦除的地址，擦除的页数等，HAL库提供了一个与之相关的结构体：

1. typedef struct
   6 q# H+ i+ m+ V0 F
2. {
   
3.   uint32_t TypeErase;   /*!< TypeErase: Mass erase or page erase.
   
4.                              This parameter can be a value of @ref FLASHEx_Type_Erase */
   * q1 b. n2 j$ K% r
5. 
   . R3 F% m. v+ ]  z5 u/ t
6.   uint32_t PageAddress; /*!< PageAdress: Initial FLASH page address to erase when mass erase is disabled
   
7.                              This parameter must be a number between Min_Data = FLASH_BASE and Max_Data = FLASH_BANK1_END */
   
8. 
   
9.   uint32_t NbPages;     /*!< NbPages: Number of pagess to be erased.
   0 q) \+ E5 N( e8 \
10.                              This parameter must be a value between Min_Data = 1 and Max_Data = (max number of pages - value of initial page)*/
    
11. 
    
12. } FLASH_EraseInitTypeDef;
    & w* q$ T9 D! O! s

复制代码

所以在使用擦除函数之前，我们先定义一个结构体，并初始化它：

1. static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
   
2.         .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,        //擦除类型：page擦除，即擦除整页。也可以选择擦除整片
   6 W6 _+ n' N3 T7 S2 [
3.         .PageAddress = 0x08008000,                 //擦除起始地址
   6 Q. S* k) C1 M& |
4.         .NbPages = 1                               //擦除页数
   
5. };

复制代码

初始化好结构体之后，就可以使用HAL官方提供的API进行擦除：

- j; \8 o  C" T7 W* {, N" M3 [5 l# P& o* j

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

复制代码

8 w% L) K! `' X1 q/ W其中第一个参数为指针，我们传入我们上文初始化好的结构体，第二个参数用来存放错误信息，我们新建一个值来存储，以下是示例代码：
/ _* M% J3 j$ @0 Q

1. ... ...
     S1 V$ q& [- s/ I% v* v( D% k
2. uint32_t PageError = 0;
   . n" {" g! h4 W  o$ z+ i
3. HAL_FLASH_Unlock();
   
4. if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
   * q( e3 V1 n2 A$ b/ D) w
5. {
   
6.         printf("Erase Succeed\r\n");
   
7. }
   2 z$ s/ x; ?' A: o
8.         HAL_FLASH_Lock();
   
9. ... ...

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) W2 N4 o) g! i, V" P$ ?- e4 X如果你有ST-LINK或者J-LINK此类的调试器，可以使用硬件调试，然后查看0x08000000对应扇区的值，你会发现擦除后的数据全是0xFF。

Flash 的读写操作
" R2 l/ K$ w" ~3 X# rFlash的写操作
当我们擦除了一个扇区，该扇区就属于可以写状态，我们可以通过读Flash来确认我们写入的值，HAL库提供的写操作函数如下：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)

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其中：

1. - TypeProgram ：写类型，只可以是半字(2个字节)或字（4个字节）
   ; r: F4 V! `6 Q6 J0 B$ I6 ?* m) g2 B
2. - Address     ：地址
   
3. - Data        ：写入的数据的值

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3 \# H1 a* |+ Y7 jFlash的读操作
Flash 只需要所在地址，就可以读取对应的值：
4 _* Y8 @* c  `( [9 i' m

1. uint32_t pValue= *(__IO uint32_t*)(addr);

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4 }# ^8 \$ c4 f5 y以下程序写入一个值，并将整个值读取出来：
$ a8 X. |, G" d

1. ... ...
   7 L  l( e+ T2 o- I: X! y. [
2. uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
   
3. uint32_t addr = 0x08008000;
   
4. HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
   
5. printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
   1 r* p( k9 d/ r& d. B
6. HAL_FLASH_Lock();
   
7. ... ...

复制代码

" Z+ _5 P! F1 a. z( {: R6 V8 z* V注意
% {1 N0 M8 [6 m; i1 A* a由于我们经常使用Flash来存放用户程序，所以要特别注意我们读写的时候不破坏到原程序，本文因为程序很小，不可能写到0x08008000，所以直接用这个地址作为例子，在实际运行中，我们需要设计要那些区域是可以用来读写的，避免出现程序错误。

: G' x2 t( m$ g! B
5 k4 Y1 r$ w6 e; {  T$ ]* V5 \6 ?