本文开发环境：

. ~  ^6 w  i! O: L8 v: @$ o9 uMCU型号：STM32F051R8T6
4 L! K4 V( b3 M! e* e$ Y, E9 r2 v4 d' UIDE环境： MDK 5.25
0 b3 U/ B5 o9 U: d4 C代码生成工具：STM32CubeMx 5.0.1
HAL库版本：v1.9.0（STM32Cube MCU Package for STM32F0 Series）

# \) V1 m8 p3 o( q本文内容：

9 H- k. H: @5 c* H0 t/ \MCU片内Flash（闪存）的擦除与读写
一个Flash读写例子

+ d' l* d, u' j( y" e. _$ [2 t/ Y- |/ ^Example
& v0 v$ G5 J" f1 |- d首先给出一个Flash程序一个完整的片段：
9 |5 c8 Y; _2 k

1. ... ...
   
2. #include "stm32f0xx_hal.h"
   , X1 T+ I+ K" I4 o$ H7 G
3. ... ...
   
4. static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
   
5.         .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,       //页擦除
   
6.         .PageAddress = 0x08008000,                //擦除地址
   , `( `7 ~6 I: x% r
7.         .NbPages = 1                              //擦除页数
   % i5 F' B( Z7 G4 j, T2 r
8. };
   , o" [8 p* f! g9 k- O/ k6 J
9. ... ...
   . f( B+ U0 H! Z9 n( p4 E
10.   while (1)
    1 ]. z0 a3 Z* c) h3 q! e, W
11.   {
    
12.                 HAL_FLASH_Unlock();
    8 }+ n" e9 f/ v' i
13.                 uint32_t PageError = 0;
    
14.                 __disable_irq();                             //擦除前关闭中断
    ! T% E/ `5 Y; `9 H
15.                 if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
    
16.                 {
    + b) z' z; H9 {* w' u# `
17.                         printf("擦除 成功\r\n");
    
18.                 }
    9 u6 V- T- ?1 H" O3 R
19.                 __enable_irq();                             //擦除后打开中断
    & D; [2 s9 c( k* |4 N+ \$ P
20.                 uint32_t writeFlashData = 0x55555555;        //待写入的值
    
21.                 uint32_t addr = 0x08008000;                  //写入的地址
    
22.                 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
    
23.                 printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
    
24.             HAL_FLASH_Lock();
    : b- D! W9 U/ {* q, F! ]: p
25.                 while(1);
    
26.                
    ! o, G5 X9 R5 I
27.     /* USER CODE END WHILE */
    
28.     /* USER CODE BEGIN 3 */
    
29.   }

复制代码

- T1 I. m0 \7 w4 i本地代码段写在main.c中，STMCubeMx生成工程时已经在main.c文件中包含了各种头文件，所以这段代码可以直接使用的，如果我们想在其它文件中使用它，请记得包含HAL库头文件：
9 n: k8 }( o- X" V$ X9 Q

1. #include "stm32f0xx_hal.h"

复制代码

特别的，擦除flash的时候不能执行其他程序，所以擦除前要关闭中断，擦除后记得恢复中断状态。这段代码一旦运行，就会在特定地址写入特定的值，并可以通过串口助手查看数据：

* s. v" \( @4 R) M# x" s- C+ O; u

; g" s- K6 X, X& A* F/ k9 p9 w
/ i: l6 a( S" ^7 B( kFLASH 简介
2 C: F: l6 Q- h* bReference manual （RM0091）手册给出了该系列的用户Flash的起始地址，Page，Sector的划分，这个是一个重要的参考信息，因为在Flash操作中，我们要写入数据需要先擦除数据，而擦除的最小单位是PAGE。单片机有几种启动模式，但大多数是从0x0800 0000这段代码开始运行的，我们的代码也是从这个地址开始烧录。这类似于我们计算机，常见开机就是从C盘（如果C是系统盘）启动，但是也可以设置从U盘启动。由于Flash的介绍，手册和网上已经有非常多的资料。

8 x. \1 z9 A* U) p5 Q

) t: _0 C( @7 @
Flash 的上锁与解锁
/ ]6 i" _1 o, ^  k在操作Flash之前，我们都需要对Flash进行解锁，对应的，操作完Flash之后，则需要对Flash进行上锁。这里的操作包括擦除，读和写等。HAL库提供了2个API，用户可以直接调用：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
   ) g3 {+ g+ P7 e( H4 Z
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);

复制代码

9 \& ]5 k5 t! E1 ]Flash 的擦除
( G0 x( `  T# a在擦除Flash之前，我们需要确定一些参数，擦除的地址，擦除的页数等，HAL库提供了一个与之相关的结构体：

; Q" l0 M3 ]: T+ I4 O

1. typedef struct
   
2. {
   
3.   uint32_t TypeErase;   /*!< TypeErase: Mass erase or page erase.
   " K1 l" r2 v; Y+ `+ b+ |3 E7 t9 \
4.                              This parameter can be a value of @ref FLASHEx_Type_Erase */
   ; y/ B$ @0 s- y2 O& Y
5. 
   ' ]" Q; K  p+ f; ?7 ~) D
6.   uint32_t PageAddress; /*!< PageAdress: Initial FLASH page address to erase when mass erase is disabled
   2 k- q- Y0 l6 z3 h
7.                              This parameter must be a number between Min_Data = FLASH_BASE and Max_Data = FLASH_BANK1_END */
   
8. 
   3 n' p& O, q' P% t' v/ D
9.   uint32_t NbPages;     /*!< NbPages: Number of pagess to be erased.
   9 D- @. z1 W; h) c- p8 u  R* i' V. b6 }
10.                              This parameter must be a value between Min_Data = 1 and Max_Data = (max number of pages - value of initial page)*/
    " E5 _. J& c( O8 n
11. 
    ! {5 v% H3 Z( V, a
12. } FLASH_EraseInitTypeDef;
    % y& B! L, O. o! X6 L( I) K# c& t

复制代码

所以在使用擦除函数之前，我们先定义一个结构体，并初始化它：
/ R% u0 s; M6 \& ^

1. static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
   
2.         .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,        //擦除类型：page擦除，即擦除整页。也可以选择擦除整片
   
3.         .PageAddress = 0x08008000,                 //擦除起始地址
   
4.         .NbPages = 1                               //擦除页数
   
5. };

复制代码

  y0 z% a  j/ q# c/ o. a, ?% B初始化好结构体之后，就可以使用HAL官方提供的API进行擦除：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

复制代码

& X9 t2 L  `) `7 B6 n7 @其中第一个参数为指针，我们传入我们上文初始化好的结构体，第二个参数用来存放错误信息，我们新建一个值来存储，以下是示例代码：
9 K7 r! @, `: y. i5 E5 H2 l

1. ... ...
   0 P2 V( e0 Y% N! H2 h
2. uint32_t PageError = 0;
   ; F  B# P$ E$ T/ k' O4 }& Q$ l
3. HAL_FLASH_Unlock();
   
4. if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
   
5. {
   : e# i/ y9 G& o2 @* P
6.         printf("Erase Succeed\r\n");
   
7. }
   , I, L7 h( C& h0 ]
8.         HAL_FLASH_Lock();
   
9. ... ...

复制代码

. V3 D, G2 \( M5 X2 p) J' U8 P& O如果你有ST-LINK或者J-LINK此类的调试器，可以使用硬件调试，然后查看0x08000000对应扇区的值，你会发现擦除后的数据全是0xFF。

Flash 的读写操作
Flash的写操作
当我们擦除了一个扇区，该扇区就属于可以写状态，我们可以通过读Flash来确认我们写入的值，HAL库提供的写操作函数如下：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)

复制代码

其中：
+ N5 m( d; q, Z' ]

1. - TypeProgram ：写类型，只可以是半字(2个字节)或字（4个字节）
   ; J3 F3 q6 Y2 @- D; w
2. - Address     ：地址
   % u8 t$ f. f. a: }& `9 }
3. - Data        ：写入的数据的值

复制代码

. S* {! {( s- b& Q! M& z7 N" NFlash的读操作
+ Y; Q6 C( ?# n! k2 o* `Flash 只需要所在地址，就可以读取对应的值：

1. uint32_t pValue= *(__IO uint32_t*)(addr);

复制代码

- t3 n/ e% [: U$ K# u9 |* C以下程序写入一个值，并将整个值读取出来：

1. ... ...
   4 J0 a. Q& W7 B! Q) d5 P
2. uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
   
3. uint32_t addr = 0x08008000;
   9 ~: k+ l2 b- I/ X1 h" j7 H" U( _9 P
4. HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
   
5. printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
   
6. HAL_FLASH_Lock();
   
7. ... ...

复制代码

注意
由于我们经常使用Flash来存放用户程序，所以要特别注意我们读写的时候不破坏到原程序，本文因为程序很小，不可能写到0x08008000，所以直接用这个地址作为例子，在实际运行中，我们需要设计要那些区域是可以用来读写的，避免出现程序错误。
9 ^1 [& g  p1 b! X& z
# W' g# d! k% l% v2 G. {; b* [
) `' p: s, H- }% Q( u
1 u7 _9 T# [2 Z5 g/ f! Q