本文开发环境：
$ x2 p+ I7 J; E3 s
MCU型号：STM32F051R8T6
; g* y, p) ?8 M9 PIDE环境： MDK 5.25
代码生成工具：STM32CubeMx 5.0.1
HAL库版本：v1.9.0（STM32Cube MCU Package for STM32F0 Series）

  U% C0 p5 _- S* `7 A本文内容：

MCU片内Flash（闪存）的擦除与读写
0 q. C4 Z4 a! O$ }1 ]一个Flash读写例子
0 z! `& V. r) Z7 U( O
Example
首先给出一个Flash程序一个完整的片段：
5 L, }8 \3 C. d6 w! C( x

1. ... ...
   
2. #include "stm32f0xx_hal.h"
   
3. ... ...
   6 A* G- i( {; m. H/ b" W" \
4. static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
   : J0 p" y) O8 z( X
5.         .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,       //页擦除
   2 H9 ~! v7 K1 Y
6.         .PageAddress = 0x08008000,                //擦除地址
   
7.         .NbPages = 1                              //擦除页数
   7 m# X6 d* I! ?
8. };
   
9. ... ...
   
10.   while (1)
    8 `# i2 t- u' M; ]* X2 Z8 y
11.   {
    ) R3 R# `3 @/ z" h; H2 ]1 b/ g. u
12.                 HAL_FLASH_Unlock();
    
13.                 uint32_t PageError = 0;
    " l9 d* a# I  r5 s' d2 h/ u
14.                 __disable_irq();                             //擦除前关闭中断
    
15.                 if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
    
16.                 {
    
17.                         printf("擦除 成功\r\n");
    
18.                 }
    & T8 `0 x* ~: x$ Z
19.                 __enable_irq();                             //擦除后打开中断
    2 P0 L( z9 s7 d
20.                 uint32_t writeFlashData = 0x55555555;        //待写入的值
    
21.                 uint32_t addr = 0x08008000;                  //写入的地址
    3 u. C* y9 _( F+ J5 f$ N
22.                 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
    ) L6 S+ l; Y; f# c
23.                 printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
    
24.             HAL_FLASH_Lock();
    - P' i; }! L3 k9 Y# E1 S/ L
25.                 while(1);
    7 X, ?) ^# D8 v
26.                
    ; p8 U0 j8 i. I: R' Q
27.     /* USER CODE END WHILE */
    
28.     /* USER CODE BEGIN 3 */
    7 U. t* v% k$ C8 N
29.   }

复制代码

* U4 {' t5 l$ z" _# m本地代码段写在main.c中，STMCubeMx生成工程时已经在main.c文件中包含了各种头文件，所以这段代码可以直接使用的，如果我们想在其它文件中使用它，请记得包含HAL库头文件：

1. #include "stm32f0xx_hal.h"

复制代码

特别的，擦除flash的时候不能执行其他程序，所以擦除前要关闭中断，擦除后记得恢复中断状态。这段代码一旦运行，就会在特定地址写入特定的值，并可以通过串口助手查看数据：

' D$ m$ r* d: j( D" ~( S: A

1 D, B1 G4 i8 n1 N# ]# l2 ~5 UFLASH 简介
7 r* o( y2 d1 F, u+ `) o; RReference manual （RM0091）手册给出了该系列的用户Flash的起始地址，Page，Sector的划分，这个是一个重要的参考信息，因为在Flash操作中，我们要写入数据需要先擦除数据，而擦除的最小单位是PAGE。单片机有几种启动模式，但大多数是从0x0800 0000这段代码开始运行的，我们的代码也是从这个地址开始烧录。这类似于我们计算机，常见开机就是从C盘（如果C是系统盘）启动，但是也可以设置从U盘启动。由于Flash的介绍，手册和网上已经有非常多的资料。

' ]% g+ \* k% r, }, q9 R( X

Flash 的上锁与解锁
  Y0 m. c9 v' p: B" I0 n在操作Flash之前，我们都需要对Flash进行解锁，对应的，操作完Flash之后，则需要对Flash进行上锁。这里的操作包括擦除，读和写等。HAL库提供了2个API，用户可以直接调用：

- C. P+ A7 P! u9 f1 ^1 p- y- `

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
   , H) J) Q4 a0 u9 e
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);

复制代码

+ {* }+ {9 N* R, V' ]7 kFlash 的擦除
在擦除Flash之前，我们需要确定一些参数，擦除的地址，擦除的页数等，HAL库提供了一个与之相关的结构体：
( M/ i' ^% Y- Y/ Z9 s) l+ p

1. typedef struct
   7 M% ^  H( w2 g  h
2. {
   
3.   uint32_t TypeErase;   /*!< TypeErase: Mass erase or page erase.
   " |6 r. f7 d1 y, M( n
4.                              This parameter can be a value of @ref FLASHEx_Type_Erase */
   * e8 A$ |3 g9 J5 s2 o  ^, W2 M
5. 
   2 [1 T: {, r' ]. ?8 J. Y
6.   uint32_t PageAddress; /*!< PageAdress: Initial FLASH page address to erase when mass erase is disabled
   
7.                              This parameter must be a number between Min_Data = FLASH_BASE and Max_Data = FLASH_BANK1_END */
   
8. 
   6 t4 N" Q# q- i8 E
9.   uint32_t NbPages;     /*!< NbPages: Number of pagess to be erased.
   
10.                              This parameter must be a value between Min_Data = 1 and Max_Data = (max number of pages - value of initial page)*/
      [' q9 e# e: @/ t9 |2 U: \+ G
11. 
    ! d6 T0 p5 R( `/ l) M
12. } FLASH_EraseInitTypeDef;
    

复制代码

' w! H) H, p/ w. e& o  V" Y所以在使用擦除函数之前，我们先定义一个结构体，并初始化它：
8 a& Z2 t1 u# L! d0 k  p+ }3 K

1. static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
   
2.         .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,        //擦除类型：page擦除，即擦除整页。也可以选择擦除整片
   ) e* m. ]5 Q0 f
3.         .PageAddress = 0x08008000,                 //擦除起始地址
   
4.         .NbPages = 1                               //擦除页数
   
5. };

复制代码

初始化好结构体之后，就可以使用HAL官方提供的API进行擦除：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

复制代码

  {) A7 @/ D. D- l* u8 e其中第一个参数为指针，我们传入我们上文初始化好的结构体，第二个参数用来存放错误信息，我们新建一个值来存储，以下是示例代码：

1. ... ...
   
2. uint32_t PageError = 0;
   
3. HAL_FLASH_Unlock();
   ' X& n; y0 A' N* [- p; F4 y
4. if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
   
5. {
   
6.         printf("Erase Succeed\r\n");
   $ O( T( Z- q0 b6 D
7. }
   
8.         HAL_FLASH_Lock();
   
9. ... ...

复制代码

如果你有ST-LINK或者J-LINK此类的调试器，可以使用硬件调试，然后查看0x08000000对应扇区的值，你会发现擦除后的数据全是0xFF。

Flash 的读写操作
' L& v9 F  P# m. f2 ~& `% r$ Y/ ?Flash的写操作
当我们擦除了一个扇区，该扇区就属于可以写状态，我们可以通过读Flash来确认我们写入的值，HAL库提供的写操作函数如下：
9 ?1 b6 n7 B8 I1 q# x

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)

复制代码

4 m9 r3 I: m% i$ H/ e% d0 }; ^其中：

1. - TypeProgram ：写类型，只可以是半字(2个字节)或字（4个字节）
   % i- ^- I6 V4 R; b6 C
2. - Address     ：地址
   5 `7 i- z& Z, @4 E
3. - Data        ：写入的数据的值

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! P2 a! ~  C3 u' P7 Y( O; A; OFlash的读操作
+ k& L: D; l) j; Q  n: J# jFlash 只需要所在地址，就可以读取对应的值：
! a/ m: e* p* E6 Z

1. uint32_t pValue= *(__IO uint32_t*)(addr);

复制代码

& k5 U4 S" i9 @. U0 D以下程序写入一个值，并将整个值读取出来：
% n8 t- u" d. g4 v

1. ... ...
   7 p1 M% f: m4 e
2. uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
   : `7 \. D4 k( d
3. uint32_t addr = 0x08008000;
   . m' _6 g; I' v, S1 R* ?" d' O
4. HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
   $ g3 x8 s) [; y
5. printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
   3 v' @- w, u# f; L8 O& `, r
6. HAL_FLASH_Lock();
   - }/ d1 p8 H, f% w/ L& |9 M! ]4 {
7. ... ...

复制代码

" q. h! N# Z  a6 h- i注意
7 t$ ^! k5 h5 P5 M由于我们经常使用Flash来存放用户程序，所以要特别注意我们读写的时候不破坏到原程序，本文因为程序很小，不可能写到0x08008000，所以直接用这个地址作为例子，在实际运行中，我们需要设计要那些区域是可以用来读写的，避免出现程序错误。


! L& ]: k$ Q7 Y* |; q
5 D8 T+ t7 y7 K1 H) z