本文开发环境：
& o& Z6 J4 e+ O# @% i3 i: q9 c/ d% F+ w
MCU型号：STM32F051R8T6
  e" n: G' |7 L0 N; H' J1 ~# PIDE环境： MDK 5.25
5 |3 v+ k/ f7 ~! }6 D; c1 z代码生成工具：STM32CubeMx 5.0.1
HAL库版本：v1.9.0（STM32Cube MCU Package for STM32F0 Series）
& Y! G& x0 D0 `  ]
/ C, Z$ D2 }! r/ K) [本文内容：
- b; ~) G* f8 k4 m+ |3 A; P* i2 x
MCU片内Flash（闪存）的擦除与读写
+ Q6 b9 }7 s' y8 P( a一个Flash读写例子
- M7 E  o9 m8 T7 q; x( V9 X5 ^
Example
首先给出一个Flash程序一个完整的片段：

1. ... ...
   
2. #include "stm32f0xx_hal.h"
   7 ~" L2 A& {) ^# v
3. ... ...
   
4. static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
   5 b  W) c- M6 W
5.         .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,       //页擦除
   
6.         .PageAddress = 0x08008000,                //擦除地址
   3 }" b: J4 d# C) M$ a$ a
7.         .NbPages = 1                              //擦除页数
   ) h4 F9 g7 L7 m2 u# H3 y
8. };
   ' O* \; G: h' p2 w: i9 a! E
9. ... ...
   , `$ I4 c  a1 `' f' P8 K
10.   while (1)
    & C. G( \! a6 K2 V$ ?
11.   {
    . H1 a& t# u0 P+ p0 G3 i4 J
12.                 HAL_FLASH_Unlock();
    
13.                 uint32_t PageError = 0;
    ' p  q) v+ z, u0 t0 R5 F# S' M
14.                 __disable_irq();                             //擦除前关闭中断
    
15.                 if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
    
16.                 {
    & e" u# @6 z% [4 o
17.                         printf("擦除 成功\r\n");
    $ ^7 z. i1 I3 w
18.                 }
    
19.                 __enable_irq();                             //擦除后打开中断
    3 d/ q4 D5 _- }/ M# d0 g
20.                 uint32_t writeFlashData = 0x55555555;        //待写入的值
    
21.                 uint32_t addr = 0x08008000;                  //写入的地址
    ( P1 l8 M$ L  m( N
22.                 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
    / x' ?, M( @7 L8 T, k' w' }
23.                 printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
    
24.             HAL_FLASH_Lock();
    1 I, C7 V+ T3 s0 T
25.                 while(1);
    
26.                
    
27.     /* USER CODE END WHILE */
    
28.     /* USER CODE BEGIN 3 */
    / G5 V+ j5 C' I0 O0 R0 x
29.   }

复制代码

本地代码段写在main.c中，STMCubeMx生成工程时已经在main.c文件中包含了各种头文件，所以这段代码可以直接使用的，如果我们想在其它文件中使用它，请记得包含HAL库头文件：
9 c+ K- n$ N; z# k

1. #include "stm32f0xx_hal.h"

复制代码

2 @$ `* z2 o; F6 {" t* \6 K5 _特别的，擦除flash的时候不能执行其他程序，所以擦除前要关闭中断，擦除后记得恢复中断状态。这段代码一旦运行，就会在特定地址写入特定的值，并可以通过串口助手查看数据：
8 Z+ W  |4 I1 A6 y8 A% L: c
3 d1 G6 f  a5 R) H

. l+ @( N% d$ ?4 D; C
$ `- e4 |# c: |7 H3 e6 ?& M! jFLASH 简介
Reference manual （RM0091）手册给出了该系列的用户Flash的起始地址，Page，Sector的划分，这个是一个重要的参考信息，因为在Flash操作中，我们要写入数据需要先擦除数据，而擦除的最小单位是PAGE。单片机有几种启动模式，但大多数是从0x0800 0000这段代码开始运行的，我们的代码也是从这个地址开始烧录。这类似于我们计算机，常见开机就是从C盘（如果C是系统盘）启动，但是也可以设置从U盘启动。由于Flash的介绍，手册和网上已经有非常多的资料。
' V; n' B3 r- V/ }! y6 v

# L7 @& l. K, F5 g, [- v) p
# t( c$ t, b  d% `Flash 的上锁与解锁
  K' N7 C4 T/ o在操作Flash之前，我们都需要对Flash进行解锁，对应的，操作完Flash之后，则需要对Flash进行上锁。这里的操作包括擦除，读和写等。HAL库提供了2个API，用户可以直接调用：
- _$ N2 ]9 _) A: J

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
   
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);

复制代码

Flash 的擦除
在擦除Flash之前，我们需要确定一些参数，擦除的地址，擦除的页数等，HAL库提供了一个与之相关的结构体：
# ~! x; g: g& i4 y7 B( S- @

1. typedef struct
     L( ^# U2 C8 y  l  \# R! z
2. {
   
3.   uint32_t TypeErase;   /*!< TypeErase: Mass erase or page erase.
   
4.                              This parameter can be a value of @ref FLASHEx_Type_Erase */
   
5. 
   " ?, V5 |# |/ W  T. j  C
6.   uint32_t PageAddress; /*!< PageAdress: Initial FLASH page address to erase when mass erase is disabled
   
7.                              This parameter must be a number between Min_Data = FLASH_BASE and Max_Data = FLASH_BANK1_END */
   1 ^2 @0 _% c: }0 m
8. 
   $ ]1 n1 L' ~" _) z9 S
9.   uint32_t NbPages;     /*!< NbPages: Number of pagess to be erased.
   
10.                              This parameter must be a value between Min_Data = 1 and Max_Data = (max number of pages - value of initial page)*/
    9 G; m( b, Q) z" H. E! i
11. 
    
12. } FLASH_EraseInitTypeDef;
    

复制代码

所以在使用擦除函数之前，我们先定义一个结构体，并初始化它：

1. static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
   
2.         .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,        //擦除类型：page擦除，即擦除整页。也可以选择擦除整片
   + E: N' c9 T. F: [
3.         .PageAddress = 0x08008000,                 //擦除起始地址
   
4.         .NbPages = 1                               //擦除页数
   - H! K9 @% c" ]: w0 y. a# `, P- s
5. };

复制代码

初始化好结构体之后，就可以使用HAL官方提供的API进行擦除：
3 |& ~* C2 n1 c0 C- w$ \

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

复制代码

0 n: J# t8 z; L+ F其中第一个参数为指针，我们传入我们上文初始化好的结构体，第二个参数用来存放错误信息，我们新建一个值来存储，以下是示例代码：

1. ... ...
   
2. uint32_t PageError = 0;
   
3. HAL_FLASH_Unlock();
   ; n. ]$ ~3 Z7 J) D) Q
4. if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
   
5. {
   
6.         printf("Erase Succeed\r\n");
     A6 T- C% u! n3 W/ u5 D1 n5 q
7. }
   / X, q' d0 C% _# _0 b
8.         HAL_FLASH_Lock();
   
9. ... ...

复制代码

! R: ^% t- w* F; ?* _如果你有ST-LINK或者J-LINK此类的调试器，可以使用硬件调试，然后查看0x08000000对应扇区的值，你会发现擦除后的数据全是0xFF。

8 l3 @& i, p$ R& e- pFlash 的读写操作
! E. E" _- t9 \( yFlash的写操作
& d& [, }+ y- X2 J6 f1 y2 O当我们擦除了一个扇区，该扇区就属于可以写状态，我们可以通过读Flash来确认我们写入的值，HAL库提供的写操作函数如下：
/ d+ x5 T/ R3 _# o3 ~

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)

复制代码

其中：
5 L% E) H# y9 O  _

1. - TypeProgram ：写类型，只可以是半字(2个字节)或字（4个字节）
   
2. - Address     ：地址
   1 Q# i2 }. H% N9 q) M
3. - Data        ：写入的数据的值

复制代码

* r5 m& S; M. r# PFlash的读操作
Flash 只需要所在地址，就可以读取对应的值：

1. uint32_t pValue= *(__IO uint32_t*)(addr);

复制代码

以下程序写入一个值，并将整个值读取出来：
# m0 J" x8 M6 ~+ w

1. ... ...
   
2. uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
   
3. uint32_t addr = 0x08008000;
   2 t; o! u& I# k  c( P6 i
4. HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
   # z7 `+ }  ?" q6 L( V, u/ D; z
5. printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
   
6. HAL_FLASH_Lock();
   
7. ... ...

复制代码

注意
) K8 K. r, M  y9 f由于我们经常使用Flash来存放用户程序，所以要特别注意我们读写的时候不破坏到原程序，本文因为程序很小，不可能写到0x08008000，所以直接用这个地址作为例子，在实际运行中，我们需要设计要那些区域是可以用来读写的，避免出现程序错误。