本文开发环境：

MCU型号：STM32F051R8T6
IDE环境： MDK 5.25
1 `; X! a( B; J, d, c" H代码生成工具：STM32CubeMx 5.0.1
* M+ }+ x5 t$ d7 XHAL库版本：v1.9.0（STM32Cube MCU Package for STM32F0 Series）

$ t& t6 a5 r- p" a* l* g本文内容：

MCU片内Flash（闪存）的擦除与读写
一个Flash读写例子
6 {! @  x, j: |
! x) @( j' t3 @2 SExample
3 T0 k! \3 N# @- g* W9 o首先给出一个Flash程序一个完整的片段：

1. ... ...
   
2. #include "stm32f0xx_hal.h"
   8 Q0 ]; ]6 D5 f; V2 C
3. ... ...
   7 @$ k* V3 V% T, d$ E
4. static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
   9 f! |/ D( U2 v( s* S8 u( t4 P
5.         .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,       //页擦除
   
6.         .PageAddress = 0x08008000,                //擦除地址
   $ E* P4 Q# p; y9 C
7.         .NbPages = 1                              //擦除页数
   
8. };
   
9. ... ...
   $ v9 e! G( y3 N$ |4 K5 N
10.   while (1)
    # j' j: t+ T8 o, \0 U
11.   {
    ; y0 y2 `% q1 P3 ^
12.                 HAL_FLASH_Unlock();
    
13.                 uint32_t PageError = 0;
    4 O/ U/ C  p8 G4 O3 Z9 c% T$ W
14.                 __disable_irq();                             //擦除前关闭中断
    
15.                 if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
    
16.                 {
    
17.                         printf("擦除 成功\r\n");
    
18.                 }
    
19.                 __enable_irq();                             //擦除后打开中断
    & C1 S* W8 M, m
20.                 uint32_t writeFlashData = 0x55555555;        //待写入的值
    . f: z! h- {" k5 i/ Q* @
21.                 uint32_t addr = 0x08008000;                  //写入的地址
    ' J6 e2 Y; @: }
22.                 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
    & w' A' ]5 x/ \  i( K, V3 x/ A
23.                 printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
    
24.             HAL_FLASH_Lock();
    ( Q6 O1 N  x, n6 l$ X% X/ _# Z4 i
25.                 while(1);
    9 d, I9 H! t4 j
26.                
    
27.     /* USER CODE END WHILE */
    8 ^5 g7 j# ~3 q! \5 @$ _% x
28.     /* USER CODE BEGIN 3 */
    8 {( c" A! x: N# y
29.   }

复制代码

本地代码段写在main.c中，STMCubeMx生成工程时已经在main.c文件中包含了各种头文件，所以这段代码可以直接使用的，如果我们想在其它文件中使用它，请记得包含HAL库头文件：

1. #include "stm32f0xx_hal.h"

复制代码

特别的，擦除flash的时候不能执行其他程序，所以擦除前要关闭中断，擦除后记得恢复中断状态。这段代码一旦运行，就会在特定地址写入特定的值，并可以通过串口助手查看数据：
8 E/ B# B; L' w" n
8 Q4 O# D/ {% B9 s( ^- W! {  ]8 r

FLASH 简介
Reference manual （RM0091）手册给出了该系列的用户Flash的起始地址，Page，Sector的划分，这个是一个重要的参考信息，因为在Flash操作中，我们要写入数据需要先擦除数据，而擦除的最小单位是PAGE。单片机有几种启动模式，但大多数是从0x0800 0000这段代码开始运行的，我们的代码也是从这个地址开始烧录。这类似于我们计算机，常见开机就是从C盘（如果C是系统盘）启动，但是也可以设置从U盘启动。由于Flash的介绍，手册和网上已经有非常多的资料。
5 N. k$ @% k: s+ C, c1 R
9 O# U+ `6 m0 i" R) T% ^% i$ E

( k  s0 x8 r! W
$ G# A& ~; v6 r- e/ B* Q' dFlash 的上锁与解锁
在操作Flash之前，我们都需要对Flash进行解锁，对应的，操作完Flash之后，则需要对Flash进行上锁。这里的操作包括擦除，读和写等。HAL库提供了2个API，用户可以直接调用：
" [9 e4 g  G9 T: \' R
% B; z* u) W# l& k  x6 H. B

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
   
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);

复制代码

  L, [1 [- ^  ^8 ^4 H' ?Flash 的擦除
在擦除Flash之前，我们需要确定一些参数，擦除的地址，擦除的页数等，HAL库提供了一个与之相关的结构体：

1. typedef struct
   & a" l" K9 B6 w9 z
2. {
   3 y, \8 ]$ x7 Z
3.   uint32_t TypeErase;   /*!< TypeErase: Mass erase or page erase.
   8 `) f) `# p" ?! p) ]/ J
4.                              This parameter can be a value of @ref FLASHEx_Type_Erase */
   
5. 
   
6.   uint32_t PageAddress; /*!< PageAdress: Initial FLASH page address to erase when mass erase is disabled
   ! h  @$ N2 x; N0 v% z8 v
7.                              This parameter must be a number between Min_Data = FLASH_BASE and Max_Data = FLASH_BANK1_END */
   
8. 
   ' I5 I: x2 y1 L8 r1 s7 m4 a
9.   uint32_t NbPages;     /*!< NbPages: Number of pagess to be erased.
   9 l. ?5 ^- p: w2 i; @- r' v& u
10.                              This parameter must be a value between Min_Data = 1 and Max_Data = (max number of pages - value of initial page)*/
    
11. 
    
12. } FLASH_EraseInitTypeDef;
    

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1 _6 O+ H1 S8 R4 x' [所以在使用擦除函数之前，我们先定义一个结构体，并初始化它：

1. static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
   $ @8 O/ [$ U5 V
2.         .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,        //擦除类型：page擦除，即擦除整页。也可以选择擦除整片
   + R" l" x- d1 ?) E
3.         .PageAddress = 0x08008000,                 //擦除起始地址
   
4.         .NbPages = 1                               //擦除页数
   
5. };

复制代码

% v. Q3 D( f8 [; R- e& l. \9 d1 G初始化好结构体之后，就可以使用HAL官方提供的API进行擦除：
) b' N) \0 R$ P5 I% U
$ x4 B& o7 a0 b4 l

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

复制代码

其中第一个参数为指针，我们传入我们上文初始化好的结构体，第二个参数用来存放错误信息，我们新建一个值来存储，以下是示例代码：
# ?* O3 A" P) v

1. ... ...
   
2. uint32_t PageError = 0;
   
3. HAL_FLASH_Unlock();
   0 m0 ?, r0 j# n
4. if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
   
5. {
   
6.         printf("Erase Succeed\r\n");
   
7. }
   
8.         HAL_FLASH_Lock();
   : |8 K* M* U% {" o
9. ... ...

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: O. }3 K. @+ F如果你有ST-LINK或者J-LINK此类的调试器，可以使用硬件调试，然后查看0x08000000对应扇区的值，你会发现擦除后的数据全是0xFF。
! c+ Y* h9 K* _$ [
$ g1 [5 `: R3 g3 A% W. BFlash 的读写操作
4 V8 V) f. y) }7 ]/ sFlash的写操作
当我们擦除了一个扇区，该扇区就属于可以写状态，我们可以通过读Flash来确认我们写入的值，HAL库提供的写操作函数如下：
+ [# E' w; V7 m! B( r

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)

复制代码

0 N' F$ [/ F. Z$ n9 R其中：
& Q$ z. F' g/ J  k8 c& s: }

1. - TypeProgram ：写类型，只可以是半字(2个字节)或字（4个字节）
   
2. - Address     ：地址
   ; |/ \5 L  p2 R% R5 d
3. - Data        ：写入的数据的值

复制代码

Flash的读操作
Flash 只需要所在地址，就可以读取对应的值：
, ?2 N/ [. Y4 ^) Z0 |: l5 I! P7 e

1. uint32_t pValue= *(__IO uint32_t*)(addr);

复制代码

以下程序写入一个值，并将整个值读取出来：
& Y+ G- j9 N" w( g

1. ... ...
   
2. uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
   
3. uint32_t addr = 0x08008000;
   
4. HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
   : f( K" p' ]7 ~0 r( e
5. printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
   
6. HAL_FLASH_Lock();
   + P! W8 b. [+ T; y' c
7. ... ...

复制代码

注意
0 f5 v; t7 f* q由于我们经常使用Flash来存放用户程序，所以要特别注意我们读写的时候不破坏到原程序，本文因为程序很小，不可能写到0x08008000，所以直接用这个地址作为例子，在实际运行中，我们需要设计要那些区域是可以用来读写的，避免出现程序错误。
$ o7 Q. H/ B* U: W


' ?1 _- J1 d% h