闪存存储器由主存储块、信息块、闪存存储器接口寄存器组成：
1、主存储器：
用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。起始地址是 0X08000000， B0,B1都接GND的时候就是从0x08000000开始运行代码的。
, U+ j  A" i& U' Q& R' s; i2、信息块：
( N7 h# m6 \8 g  A系统存储器，用于存储 ST 自带的启动程序，串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND时，运行的就是这部分代码。
选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。
对于小容量、中容量和大容量的产品而言，可以通过 USART1接口启用自举程序。
对于互联型产品而言，可以通过以下某个接口启用自举程序： USART1 、 USART2( 重映像的) 、 CAN2( 重映像的 ) 或 USB OTG 全速接口的设备模式 ( 通过设备固件更新 DFU 协议 ) 。
3、闪存存储器接口寄存器：
2 |% [- O& C4 {# j0 n* a该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
6 y# Y' \- z4 X6 y

' a& d1 ~& p9 q* A/ [) Y启动模式和区域：

7 f# s% U. l6 t" _" d

- E8 _+ N' w. x1 p
8 e0 M. }7 c6 `" c$ c从主闪存存储器启动：主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它，即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问，0x0000000或0x0800 0000。
从系统存储器启动：系统存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(互联型产品原有地址为0x1FFF B000，其它产品原有地址为0x1FFF F000)访问它。
从内置SRAM启动：只能在0x2000 0000开始的地址区访问SRAM。
  j2 V. Z( D  o+ q4 ]
, H1 [' ^  @$ {# Q& b0 v/ @─ 主存储块容量：
7 M/ g1 \) f; |2 v  i& h: `小容量产品主存储块最大为4K×64位，每个存储块划分为32个1K字节的页(见表2)。
中容量产品主存储块最大为16K×64位，每个存储块划分为128个1K字节的页(见表3)。
大容量产品主存储块最大为64K×64位，每个存储块划分为256个2K字节的页(见表4)。
: G' j* ?3 Q& Q0 l+ }/ L互联型产品主存储块最大为32K×64位，每个存储块划分为128个2K字节的页(见表5)。
6 w  f! u2 E( S
─ 信息块容量：
# Z: B( M% V+ m: k" |9 G# l互联型产品有 2360 × 64 位 ( 见表 5) 。
其它产品有 258 × 64 位 ( 见表 2 30/754 、表3 、表 4) 。

! v: l9 }" s& P1 h─闪存存储器接口的特性为：
9 K/ t  O- r0 @  l  j$ a3 a7 H● 带预取缓冲器的读接口 ( 每字为 2 × 64 位 )
● 选择字节加载器
  s8 z& Z) E3 |. e5 f1 _/ P● 闪存编程 / 擦除操作
● 访问 / 写保护

- Z% g9 ~6 G( y9 u, M2 w─编程和擦除闪存：
0 F- h( D3 ?" ~8 X6 O2 a: Q闪存编程一次可以写入16位(半字)。
6 Q$ z9 b& Q  N+ z- h闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除)。全擦除不影响信息块。
; B" ?. R) O) d' _为了确保不发生过度编程， 闪存编程和擦除控制器块是由一个固定的时钟控制的。
写操作(编程或擦除)结束时可以触发中断。仅当闪存控制器接口时钟开启时，此中断可以用来从WFI模式退出。
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( f2 h! l! n4 C, K% Z2 v4 P
' a2 e, ]3 e9 t附表：
0 C( L" L  V3 a0 a6 X
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