闪存存储器由主存储块、信息块、闪存存储器接口寄存器组成：
1、主存储器：
+ c) j' A2 Z% y7 z用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。起始地址是 0X08000000， B0,B1都接GND的时候就是从0x08000000开始运行代码的。
1 e/ \/ T  m9 B: _; V( H2、信息块：
系统存储器，用于存储 ST 自带的启动程序，串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND时，运行的就是这部分代码。
选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。
6 d: m, w2 |) y( @- f对于小容量、中容量和大容量的产品而言，可以通过 USART1接口启用自举程序。
& A2 n+ w; i8 n( P, r/ u对于互联型产品而言，可以通过以下某个接口启用自举程序： USART1 、 USART2( 重映像的) 、 CAN2( 重映像的 ) 或 USB OTG 全速接口的设备模式 ( 通过设备固件更新 DFU 协议 ) 。
/ a% K& X, ~. a3、闪存存储器接口寄存器：
该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
/ \& t1 b, ^7 q5 O: [; U

' T) c5 ~# f! Q启动模式和区域：

( J' W- o6 p3 e: d. l6 ?+ H$ E* |7 ?5 Z
& i. P+ u" S) T$ X9 n+ e从主闪存存储器启动：主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它，即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问，0x0000000或0x0800 0000。
从系统存储器启动：系统存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(互联型产品原有地址为0x1FFF B000，其它产品原有地址为0x1FFF F000)访问它。
从内置SRAM启动：只能在0x2000 0000开始的地址区访问SRAM。
) ]  l1 M+ @) d0 f
. r) j! P2 A' Q8 Z; X7 W─ 主存储块容量：
. k% Q4 _5 ^9 B3 L# @, q! D! g小容量产品主存储块最大为4K×64位，每个存储块划分为32个1K字节的页(见表2)。
中容量产品主存储块最大为16K×64位，每个存储块划分为128个1K字节的页(见表3)。
大容量产品主存储块最大为64K×64位，每个存储块划分为256个2K字节的页(见表4)。
互联型产品主存储块最大为32K×64位，每个存储块划分为128个2K字节的页(见表5)。
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─ 信息块容量：
互联型产品有 2360 × 64 位 ( 见表 5) 。
) l* X% @* m4 y) i" x. s其它产品有 258 × 64 位 ( 见表 2 30/754 、表3 、表 4) 。

─闪存存储器接口的特性为：
● 带预取缓冲器的读接口 ( 每字为 2 × 64 位 )
; @4 }& Z' C% j' M+ _● 选择字节加载器
● 闪存编程 / 擦除操作
● 访问 / 写保护
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─编程和擦除闪存：
闪存编程一次可以写入16位(半字)。
闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除)。全擦除不影响信息块。
2 V( U7 ?( [; Q( A为了确保不发生过度编程， 闪存编程和擦除控制器块是由一个固定的时钟控制的。
写操作(编程或擦除)结束时可以触发中断。仅当闪存控制器接口时钟开启时，此中断可以用来从WFI模式退出。

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7 s; H) I( }. ?8 {" ~3 \附表：

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