闪存存储器由主存储块、信息块、闪存存储器接口寄存器组成：
1、主存储器：
8 _, }2 k( c( ^: b用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。起始地址是 0X08000000， B0,B1都接GND的时候就是从0x08000000开始运行代码的。
2、信息块：
系统存储器，用于存储 ST 自带的启动程序，串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND时，运行的就是这部分代码。
选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。
对于小容量、中容量和大容量的产品而言，可以通过 USART1接口启用自举程序。
2 E3 U3 r* ~9 p2 G6 U0 N: u对于互联型产品而言，可以通过以下某个接口启用自举程序： USART1 、 USART2( 重映像的) 、 CAN2( 重映像的 ) 或 USB OTG 全速接口的设备模式 ( 通过设备固件更新 DFU 协议 ) 。
3、闪存存储器接口寄存器：
该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。

- u# c4 w2 C2 t  o* m4 t
2 W" L) [3 w- n0 d% K启动模式和区域：

+ W0 M2 Q( \6 |+ K9 r1 p' @从主闪存存储器启动：主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它，即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问，0x0000000或0x0800 0000。
; Q" J$ X' J7 U  \! Q从系统存储器启动：系统存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(互联型产品原有地址为0x1FFF B000，其它产品原有地址为0x1FFF F000)访问它。
$ f$ w: y6 d8 t/ e3 z% \! \: l2 R从内置SRAM启动：只能在0x2000 0000开始的地址区访问SRAM。
" m- \! E! E* }; A0 P& U( ^
: \2 v, u6 U3 }# e5 M: J9 q─ 主存储块容量：
小容量产品主存储块最大为4K×64位，每个存储块划分为32个1K字节的页(见表2)。
中容量产品主存储块最大为16K×64位，每个存储块划分为128个1K字节的页(见表3)。
+ V% a' Q/ g9 R) R( A大容量产品主存储块最大为64K×64位，每个存储块划分为256个2K字节的页(见表4)。
$ a0 B" \8 f; }互联型产品主存储块最大为32K×64位，每个存储块划分为128个2K字节的页(见表5)。
: N: Z3 e5 U  S0 P! x
─ 信息块容量：
互联型产品有 2360 × 64 位 ( 见表 5) 。
( N& H. K' j/ i* o  L7 s. G3 u/ o其它产品有 258 × 64 位 ( 见表 2 30/754 、表3 、表 4) 。
9 A4 c) I0 C$ E: t1 B. r3 b. y* m
─闪存存储器接口的特性为：
! v( l; }0 R% G. I2 L. O4 |● 带预取缓冲器的读接口 ( 每字为 2 × 64 位 )
( R) n; D# C/ F● 选择字节加载器
● 闪存编程 / 擦除操作
● 访问 / 写保护
6 `  k8 m* |0 a
5 o2 g9 g4 u  M  Q2 o$ w) @─编程和擦除闪存：
闪存编程一次可以写入16位(半字)。
闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除)。全擦除不影响信息块。
为了确保不发生过度编程， 闪存编程和擦除控制器块是由一个固定的时钟控制的。
! n2 n$ A+ W) O! d+ a' h7 ^写操作(编程或擦除)结束时可以触发中断。仅当闪存控制器接口时钟开启时，此中断可以用来从WFI模式退出。


附表：

/ R  a; L$ I) e: t% p0 x' ?) y
0 Z: Y, a( E# _, i- ]7 H/ [' }% H

% {. M" u/ I3 ?( j

5 N% S. K6 J+ N- b9 a" `$ n
, ^3 a! G, Z( o; M( h2 J8 A% x/ I

5 j3 K* ?) Q" ^4 F9 i! j


/ _5 S" m$ s2 r% h- v& Y& K
4 h( b% i' X* A; r





0 {" c! N: a" b( t