闪存存储器由主存储块、信息块、闪存存储器接口寄存器组成：
1、主存储器：
用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。起始地址是 0X08000000， B0,B1都接GND的时候就是从0x08000000开始运行代码的。
2 D+ M5 d# J1 B% C3 p7 q, [4 B2、信息块：
/ @( Q6 r8 S( p0 B# X, A系统存储器，用于存储 ST 自带的启动程序，串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND时，运行的就是这部分代码。
选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。
对于小容量、中容量和大容量的产品而言，可以通过 USART1接口启用自举程序。
3 c4 Z) O2 X$ Z2 ?; W* C6 }对于互联型产品而言，可以通过以下某个接口启用自举程序： USART1 、 USART2( 重映像的) 、 CAN2( 重映像的 ) 或 USB OTG 全速接口的设备模式 ( 通过设备固件更新 DFU 协议 ) 。
& d7 D0 Z9 Y; f3、闪存存储器接口寄存器：
该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
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" j$ _' C7 u5 `
启动模式和区域：
1 D# W0 x5 |7 }0 F* ^

7 W6 V; `+ y" Y  e  L2 a* l/ \( \从主闪存存储器启动：主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它，即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问，0x0000000或0x0800 0000。
从系统存储器启动：系统存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(互联型产品原有地址为0x1FFF B000，其它产品原有地址为0x1FFF F000)访问它。
从内置SRAM启动：只能在0x2000 0000开始的地址区访问SRAM。

─ 主存储块容量：
# _0 O7 k' H3 r: F小容量产品主存储块最大为4K×64位，每个存储块划分为32个1K字节的页(见表2)。
8 P! K% {) H( P* E中容量产品主存储块最大为16K×64位，每个存储块划分为128个1K字节的页(见表3)。
大容量产品主存储块最大为64K×64位，每个存储块划分为256个2K字节的页(见表4)。
! O3 t) n) f2 ?. y# q. d3 p互联型产品主存储块最大为32K×64位，每个存储块划分为128个2K字节的页(见表5)。
) ?, ~# X5 p5 |  C( h9 e
─ 信息块容量：
互联型产品有 2360 × 64 位 ( 见表 5) 。
其它产品有 258 × 64 位 ( 见表 2 30/754 、表3 、表 4) 。

─闪存存储器接口的特性为：
$ O  p- o; ^; d, s● 带预取缓冲器的读接口 ( 每字为 2 × 64 位 )
$ H& l1 J8 `% `. ^● 选择字节加载器
● 闪存编程 / 擦除操作
, j; @& R7 l+ M● 访问 / 写保护

6 A. f2 v% T$ H3 B─编程和擦除闪存：
闪存编程一次可以写入16位(半字)。
$ V8 Z6 A, c4 f闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除)。全擦除不影响信息块。
为了确保不发生过度编程， 闪存编程和擦除控制器块是由一个固定的时钟控制的。
. c# ]; D. T7 `$ W; L写操作(编程或擦除)结束时可以触发中断。仅当闪存控制器接口时钟开启时，此中断可以用来从WFI模式退出。
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! a9 K7 P% D$ Z' c( y7 T* I1 k附表：
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