
闪存存储器由主存储块、信息块、闪存存储器接口寄存器组成: 1、主存储器: 用来存放代码和数据常数(如 const 类型的数据)。起始地址是 0X08000000, B0,B1都接GND的时候就是从0x08000000开始运行代码的。' H& i( X( ~% R( K 2、信息块:, v6 `% l, P# j I5 F+ G/ ? 系统存储器,用于存储 ST 自带的启动程序,串口下载代码,当B0接V3.3,B1接GND时,运行的就是这部分代码。 选择字节,则一般用于配置写保护、读保护等功能。6 l6 _1 ~" x; ~! ` 对于小容量、中容量和大容量的产品而言,可以通过 USART1接口启用自举程序。 对于互联型产品而言,可以通过以下某个接口启用自举程序: USART1 、 USART2( 重映像的) 、 CAN2( 重映像的 ) 或 USB OTG 全速接口的设备模式 ( 通过设备固件更新 DFU 协议 ) 。 3、闪存存储器接口寄存器: 该部分用于控制闪存读写等,是整个闪存模块的控制机构。 ) e- t: g# V: [# v- \ A0 E, d, p 启动模式和区域: & D9 Y! o" M5 Q* V" c) D ![]() ) M8 \7 v$ V& f1 I 从主闪存存储器启动:主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000),但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它,即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问,0x0000000或0x0800 0000。0 z. }8 t, p) i# p, v 从系统存储器启动:系统存储器被映射到启动空间(0x0000 0000),但仍然能够在它原有的地址(互联型产品原有地址为0x1FFF B000,其它产品原有地址为0x1FFF F000)访问它。 从内置SRAM启动:只能在0x2000 0000开始的地址区访问SRAM。 ─ 主存储块容量: 小容量产品主存储块最大为4K×64位,每个存储块划分为32个1K字节的页(见表2)。 中容量产品主存储块最大为16K×64位,每个存储块划分为128个1K字节的页(见表3)。+ ?1 C) \$ O" m3 i( x9 q 大容量产品主存储块最大为64K×64位,每个存储块划分为256个2K字节的页(见表4)。5 \0 V4 E- n! m* Q- v 互联型产品主存储块最大为32K×64位,每个存储块划分为128个2K字节的页(见表5)。" z( C) J+ G+ M s! |* h + Z# S0 ?/ y/ y- Q& I ─ 信息块容量:/ [* Y$ ?! N$ k0 w3 Z M 互联型产品有 2360 × 64 位 ( 见表 5) 。* r2 S* m4 m$ u) X) h; l- h 其它产品有 258 × 64 位 ( 见表 2 30/754 、表3 、表 4) 。 ─闪存存储器接口的特性为: ● 带预取缓冲器的读接口 ( 每字为 2 × 64 位 ) ● 选择字节加载器/ f5 [6 m& e+ \7 `: ` ● 闪存编程 / 擦除操作2 O! c, A" Y; K v ● 访问 / 写保护 + }) P5 O+ m: i- P$ P+ g8 Q ─编程和擦除闪存:" C; t. @; ] O' @' [8 U5 H 闪存编程一次可以写入16位(半字)。 闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除)。全擦除不影响信息块。; P6 _! A, z/ _5 i5 X4 ^& q 为了确保不发生过度编程, 闪存编程和擦除控制器块是由一个固定的时钟控制的。4 m) s! ^) o4 q. \: R! x 写操作(编程或擦除)结束时可以触发中断。仅当闪存控制器接口时钟开启时,此中断可以用来从WFI模式退出。. V* p) j) x. e 附表:; q) Q8 X& i( O# \& M k ![]() / h; P# C6 @( \5 i1 q3 _ ![]() ) {1 {& u6 N( i; x ![]() ![]() 1 e# h: h6 y: z & t# }8 [" ?$ A! @$ w 7 s2 U' E$ y+ f: U7 J9 h8 b |
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