闪存存储器由主存储块、信息块、闪存存储器接口寄存器组成：
; F* s' R1 @1 I9 P; G& s: x0 a1、主存储器：
" I. G, [! L5 V. w: B! ?用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。起始地址是 0X08000000， B0,B1都接GND的时候就是从0x08000000开始运行代码的。
  ^) y6 j- A) |. l2、信息块：
系统存储器，用于存储 ST 自带的启动程序，串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND时，运行的就是这部分代码。
6 ?/ N+ n/ a/ Q% f9 B选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。
( a% m* Z: [/ V  Z对于小容量、中容量和大容量的产品而言，可以通过 USART1接口启用自举程序。
对于互联型产品而言，可以通过以下某个接口启用自举程序： USART1 、 USART2( 重映像的) 、 CAN2( 重映像的 ) 或 USB OTG 全速接口的设备模式 ( 通过设备固件更新 DFU 协议 ) 。
- u* M) j/ m/ V! o) g& C# I! ^3、闪存存储器接口寄存器：
3 n9 Y1 T4 I2 ~6 e0 f& a该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
; {7 u4 O) F# K( m# B3 ]
* |% E! X4 L" ]" B
8 b0 |  l) B  S3 i4 k启动模式和区域：
3 ?  R+ s/ R& T3 w+ m
( v$ A8 n% R, @0 q5 \$ u

, t# `7 a  X$ i  r4 ?- j0 X
* J9 }4 ]" i- a- Z5 C从主闪存存储器启动：主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它，即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问，0x0000000或0x0800 0000。
. W4 h* t& E- y4 c9 h从系统存储器启动：系统存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(互联型产品原有地址为0x1FFF B000，其它产品原有地址为0x1FFF F000)访问它。
从内置SRAM启动：只能在0x2000 0000开始的地址区访问SRAM。
+ g8 G* I- A, c
! ]+ T+ b3 L" N' _+ ^─ 主存储块容量：
* H1 h  _- n: F: S  f小容量产品主存储块最大为4K×64位，每个存储块划分为32个1K字节的页(见表2)。
中容量产品主存储块最大为16K×64位，每个存储块划分为128个1K字节的页(见表3)。
5 w1 P0 q/ L' u; i  {大容量产品主存储块最大为64K×64位，每个存储块划分为256个2K字节的页(见表4)。
8 Y) y3 \: b+ A1 L. k/ v6 G互联型产品主存储块最大为32K×64位，每个存储块划分为128个2K字节的页(见表5)。
6 G* T% N" p/ f* ?, x) ^& [
─ 信息块容量：
) T& s( `# P, m互联型产品有 2360 × 64 位 ( 见表 5) 。
其它产品有 258 × 64 位 ( 见表 2 30/754 、表3 、表 4) 。

/ I( t4 p( Y$ b% B─闪存存储器接口的特性为：
, X1 G/ }  D+ X● 带预取缓冲器的读接口 ( 每字为 2 × 64 位 )
● 选择字节加载器
● 闪存编程 / 擦除操作
  f4 u# T4 L4 B( ?4 U● 访问 / 写保护

─编程和擦除闪存：
闪存编程一次可以写入16位(半字)。
闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除)。全擦除不影响信息块。
为了确保不发生过度编程， 闪存编程和擦除控制器块是由一个固定的时钟控制的。
写操作(编程或擦除)结束时可以触发中断。仅当闪存控制器接口时钟开启时，此中断可以用来从WFI模式退出。
; e4 S" B6 h+ f2 J
0 j8 v9 F3 E# B5 q8 G0 U
. t& A+ f: W, _6 o, U7 K附表：

7 D- l! O$ Y. z6 ?8 K+ {0 B

8 U8 ^) [7 p8 g; u  [; O

' e) Z7 u5 k7 e2 O% g

1 x3 {# t# K5 ^) ]& D

0 \: a* `/ o; U" g) W




! A/ G& k: _6 Y5 k- a