STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源码和文档）。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。
. [9 r( }' v9 Z; J
! s/ _$ `) r) w( n. q& {　　不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：
, ^5 z" i0 T0 B8 M/ V
% H2 A7 P, S, H& i' @8 ?5 G0 f$ _支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
增加对数据的校验和（Checksum）检查。
. t6 D- w/ z4 j　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：
" m6 V. [5 x$ I7 i9 E* z0 B

1. #include "eeprom.h"
   
2. 
   % l6 ^0 u' s0 D% m  T: z5 {. e
3. #define TITLE_SIZE    80
   3 k, w5 w0 h  s1 \
4. #define TITLE_KEY     1
   * x8 H4 s! M) ^
5. #define POINT_KEY     2
   
6. 
   ( j8 H' Z* N* |: Z" s
7. typedef struct {
   7 K: b7 ^0 ]5 D
8.     float x;
   
9.     float y;
   
10.     float z;
    
11. } Point;
    % P7 U% A, f! U7 X8 n
12. 
    
13. char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string.";
    * k+ O3 Z' `" x3 z, T) L
14. Point point;

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执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t result = 0;
   , |8 `  e; B4 f) S: @' h9 K5 k
2. 
   ) d, }6 y- o$ X* x3 X
3. FLASH_Unlock();
   
4. 
   4 T! c1 t5 I" ^1 d. j0 j
5. EE_Init();
   ! _) v+ [0 [$ q9 E
6. 
   * P! _2 l  ^+ p5 E' _: V
7. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
   ' Y9 S% b- d+ }$ D' }
8. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
   
9. 
   8 u! s9 F7 @7 ~$ U  I8 s  o* d
10. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
    2 g0 F& D! V9 }! |$ j7 G
11. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));

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- e# ]" I% f* H7 t1 \实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：
2 ]7 ?3 s/ t3 L8 l/ e  j7 P1 Z

1. #define EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

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" S' `+ R- k. A1 P& d6 H

% Q0 U# d' ^4 |) p6 P3 ?