STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源码和文档）。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。
1 h& t; [8 G0 F" E4 Y6 J# @
; e* \/ ~* `8 n0 H; `7 d5 _. \　　不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
增加对数据的校验和（Checksum）检查。
8 p' Y! Q9 p& W% q　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include "eeprom.h"
   " r7 U, ~& r1 v4 S: s# Z4 e
2. 
   
3. #define TITLE_SIZE    80
   
4. #define TITLE_KEY     1
   ' q( V/ Y" N) v# u' v
5. #define POINT_KEY     2
   
6. 
     J+ S# p$ K; p- @: U
7. typedef struct {
   
8.     float x;
   
9.     float y;
   3 u1 M  b* K8 q# y/ h
10.     float z;
    
11. } Point;
    8 ^, Q0 _4 `, t! z7 ]8 [
12. 
    8 g& j' _! n. K) [
13. char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string.";
    5 k# k6 U* c7 W4 y  N: y  ]
14. Point point;

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( J7 Z3 e9 F! G: g0 }执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t result = 0;
   
2. 
   
3. FLASH_Unlock();
   
4. 
   
5. EE_Init();
   * x+ }( `8 H+ s
6. 
   
7. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
   
8. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
   
9. 
   0 h& y# T8 I  k' n# K/ P
10. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
    1 O) y% L8 _6 d6 n7 c6 v: d1 M% i: J
11. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));

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实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：
  Y2 w  n1 I7 x# V0 A+ M

1. #define EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

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, P" ?: I- N# y; e7 E7 W3 {, s