STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源码和文档）。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。
: [* |& D9 B, Q+ |  c! U7 @# J
+ ^+ d$ J& w$ ?/ I' |2 Y! ?　　不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

' f& C( I- z* o8 ~) P0 n支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
增加对数据的校验和（Checksum）检查。
6 f! ]" V$ J& ~4 i9 P　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include "eeprom.h"
   
2. 
     W6 p- O* p! v" c1 J# n6 F
3. #define TITLE_SIZE    80
   
4. #define TITLE_KEY     1
   ( J  X" C$ P+ r
5. #define POINT_KEY     2
   " I# k5 @: D4 {( I
6. 
   
7. typedef struct {
   0 }3 \" H. V. v4 d, L7 E$ @* x! Y! {
8.     float x;
   & W. w4 h1 T6 {  c- n- b9 t: F) n
9.     float y;
   
10.     float z;
    
11. } Point;
    * z, F, r% S0 ^/ j# T
12. 
    
13. char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string.";
    
14. Point point;

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执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t result = 0;
   
2. 
   2 b. a* [& [% f4 w& z1 J% B7 p7 u
3. FLASH_Unlock();
   
4. 
   % B' D* t$ g- _& n  j4 h9 r
5. EE_Init();
   + c. d. b0 a( m4 l6 c2 i
6. 
   
7. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
   % D+ S0 g) M. Y% a2 r- [
8. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
   ) z  k+ g4 n6 K, w# C$ }) u: H  H
9. 
   1 O" T- `# O/ g) l5 [8 i
10. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
    - w" N& y& c( @3 b; j$ E! ?
11. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));

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实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：
, i* [. m; n1 K

1. #define EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

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1 P/ A+ I; B) {0 I* {$ v6 h4 w

# b$ i$ M. |# ^% K