STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源码和文档）。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。
" G9 D( f2 d9 m; x
0 ^) \* e2 N& W  {% `　　不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：
+ B" T: t6 t0 ?2 b, ~& H2 T: P
2 e9 @9 s/ v3 B+ @+ N) k( V- \支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
增加对数据的校验和（Checksum）检查。
　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include "eeprom.h"
   
2. 
   
3. #define TITLE_SIZE    80
   5 r; A( d4 h# c4 d1 H
4. #define TITLE_KEY     1
   
5. #define POINT_KEY     2
   
6. 
   
7. typedef struct {
   % I9 O  f+ U: t
8.     float x;
   # [& v! o) q( w8 Y5 b
9.     float y;
   " B) a# R: r, f
10.     float z;
    " T/ y' V) l, g' Y# B; j) {: k3 O+ X
11. } Point;
    
12. 
    
13. char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string.";
    4 o% y8 f- @7 J1 J0 N! a
14. Point point;

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' t4 D+ {3 h6 v0 f  |执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：
) ?, A+ \/ Y  V7 Y9 |# t

1. uint16_t result = 0;
   / E6 ~. ~* \* E
2. 
   + s6 ~( ?8 h, P3 t9 ?; a* J' K
3. FLASH_Unlock();
   + j0 @  }, T/ A1 t1 Y. P4 ]
4. 
   
5. EE_Init();
   ! F5 ^: C- O! [! Z" W  A& v/ d* r
6. 
   
7. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
   
8. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
   
9. 
   ! w% q1 a7 Z/ O3 n9 O: D; {
10. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
    
11. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));

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/ {/ F8 Q& c4 a+ D' X% @实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：
" h$ d# Z) I. D7 A/ M- }8 F) R

1. #define EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

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, R; B% B, @. e, ]