STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源码和文档）。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。
! {/ A7 ^$ I7 C2 k/ d
' B" s) U/ Q9 I) R　　不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

& v2 P! f1 E9 I, e3 w& a# O支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
* g5 Y% D. z0 _3 T9 z增加对数据的校验和（Checksum）检查。
  j% H5 k5 C8 E" y$ x　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include "eeprom.h"
   
2. 
   3 ^2 c4 L- {  F* {' L( k; K
3. #define TITLE_SIZE    80
   : [+ w, T  l& H4 |8 x
4. #define TITLE_KEY     1
   * r( [- b4 Z9 v2 L. {- C' X, e- a
5. #define POINT_KEY     2
   8 ], l5 c& }, u; N5 ]% Z, U
6. 
   $ E# L4 X. X8 G3 ]4 f  N5 d
7. typedef struct {
   
8.     float x;
   ' ~/ G2 m4 b; v% x$ U- t7 c1 p
9.     float y;
   6 m; j9 [' g9 E* _9 K8 m
10.     float z;
    
11. } Point;
    . `% i+ @! e, B+ q
12. 
    & d  [9 |5 r5 W- W# t- K+ ~/ S8 X
13. char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string.";
    ( _* ?9 D# U& |. |: Q. C
14. Point point;

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执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t result = 0;
   
2. 
   
3. FLASH_Unlock();
   & i6 X8 c* K9 k: _
4. 
   ! c( q" Q, n3 G$ N
5. EE_Init();
   . C: y" z$ g# e, V: b' X
6. 
   
7. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
   
8. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
   , u, b, E$ C8 @0 Q% ]: e
9. 
   
10. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
    4 v0 T! ?8 \/ c# [/ \8 ]* E
11. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));

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# O) ]; k7 [- r9 d3 y# p实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：
  Q0 U8 Q+ \+ K( Z

1. #define EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

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