STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源码和文档）。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。
) ^2 j  ]) w. t9 U8 S
　　不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：
- H5 r6 l. g* L
8 w  }, B- z$ |; H1 A; _支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
! `3 {& {" x  {: |* k$ c$ J增加对数据的校验和（Checksum）检查。
　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include "eeprom.h"
   
2. 
   
3. #define TITLE_SIZE    80
   / |9 w# K5 F5 u6 ], n, y, f
4. #define TITLE_KEY     1
   2 B/ n, V) c+ O9 l! A  R( u
5. #define POINT_KEY     2
   
6. 
   / g! X  r0 S( ~% i6 p: [1 j$ X3 a, D+ g
7. typedef struct {
   
8.     float x;
   # c( v7 A  G% A5 m* |3 f
9.     float y;
   : O! O! C; H9 m5 j7 L0 z+ B5 K( c
10.     float z;
    & e/ ]. H( u/ K' d! S1 i' Z
11. } Point;
    
12. 
    
13. char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string.";
    * M; |8 S. [( \; ~4 d
14. Point point;

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执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：
! y4 Q3 _- w# V+ ?6 R

1. uint16_t result = 0;
   
2. 
   
3. FLASH_Unlock();
   % {! ]. B* F4 v2 u) {4 v5 C
4. 
   ) K- Q' T* D4 O! z/ R1 {2 e
5. EE_Init();
   + H" p. _1 ~! A3 Y) G1 z% b
6. 
   
7. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
   ; g6 X% c% d3 Y& L: j1 U
8. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
   
9. 
   
10. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
    0 A& W$ ?& H; e9 E5 h) S/ h
11. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));

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. |3 J& i0 n( \4 c: ]' g, N+ J$ m实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

1. #define EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

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