STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源码和文档）。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

) _/ e: v- ^5 G6 a* ~" g$ t　　不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：
8 s! Z/ J% t1 t# k  t
) O  U2 d! E1 D支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
/ n4 M9 u; ~( j1 Y! L* M6 Q2 C增加对数据的校验和（Checksum）检查。
　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include "eeprom.h"
   6 n" k  u- h1 j# \
2. 
   
3. #define TITLE_SIZE    80
   
4. #define TITLE_KEY     1
   
5. #define POINT_KEY     2
   $ r3 ~7 r6 d( f& R) }* s
6. 
   
7. typedef struct {
   - y5 f1 ?0 H- z* C, R% u7 X
8.     float x;
   
9.     float y;
   7 D5 M* t3 g  h, g8 _- i3 m
10.     float z;
    % j" T* w( T& n* b
11. } Point;
    ; K( [! c/ c6 z/ z8 V- M. Y
12. 
    
13. char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string.";
    ) l) |0 e  f/ k
14. Point point;

复制代码

执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：
3 n" s) H+ N. Z. l2 G% ^' G

1. uint16_t result = 0;
   0 H0 T  E2 C8 N7 q  e5 K/ r
2. 
   % p1 J5 i0 P5 X% j5 f' R
3. FLASH_Unlock();
   
4. 
   : {5 D3 ^) D, v' u' K* T0 L
5. EE_Init();
   0 u) y6 C- m4 R4 n: r: C9 g" ?
6. 
   9 B1 P# \3 G& E2 R9 z5 a
7. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
   1 z  s: }& }1 l5 V
8. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
   . n1 G+ m2 ?4 C+ Y
9. 
   
10. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
    9 U. N: e$ f) ?
11. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));

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) n! w- `8 q" p7 _实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：
: ?: e/ X0 N1 U' H

1. #define EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

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* k1 C& [5 t6 a  I" K% D/ q
" ?8 H" \* \9 x* ^& m