
使用STM32L431RCT6芯片,进入Standby模式后,,使用RTC定时唤醒。休眠静态功耗约为十几微安,但当外界环境温度提高到四五十摄氏度时,休眠功耗增大到100-200uA,除了功耗问题其他均正常。 MCU原来的方案是STM32F103RET6,休眠电流2uA,且基本不会因为温度升高,功耗变大,已调整正常,且量产。更换L431后,功耗有问题,只留下MCU最小系统,功耗依然大,所以排除外部电路的问题。 请问大家有遇到吗? |
对比一下官方的数据和条件吧。 从手册上看,官方的测试数据典型值只有几个微安(单纯的MCU耗电,不包括外部其他器件的)。 所以还是哪些条件有差别的。比如IO的处理是否一致,不同模式下会随着温度变化导致耗电大幅度增加的。 |
STM32L431内部温度AD值不随温度变化
STM32L设置CAN一直卡在HAL_CAN_START(),上拉两个引脚依然卡在这里
使用CubeMX能配置STM32L4XX芯片的低功耗模式吗?
motor profiler 链接nucleo 476rg时提示如图所示的通信错误,此时未连接IHM08M1,电脑上有476RG产生的串口,STLINK,U盘标识
STM32L476 使用Quad spi 4线制访问MX25L25645 失败
小白求助!STM32L476使用VREF、VBAT采集模块电压,计算出的VBAT值偏大
STM32L031G6U6芯片,使用Flash模拟EEPROM功能,同数据写入不同地址,读取对比不一样,这是为什么?
请教专家,STM8L052的GPIO口做输入检测,为什么不能反应管脚实际电压变化?
各位大佬们多提提宝贵建议定位根本原因,跪谢。STM32L452 在未知情况下打开了读保护RDP?MCU无法运行,只有解除读保护后重新烧录固件
请问如何在下载程序时保护flash中的用户数据不被覆盖?