主控芯片 STM32L476RET6，1.D.5.0版本的hal库，借助STM32CubeMX生成相应的工程代码（Quad spi line），主控与flash（MX25L25645GM2I-08G）交互过程中发现，4线制下访问失败，具体表现在配置完4byte内存地址方式，相应的寄存器标识位依然为0，写使能后，轮询状态寄存器超时，拿不到写使能允许标识，从而引发写，扇区删除失败，请各位大佬百忙中 帮忙指点一二，不胜感激。

补充说明，单SPI模式下，验证结果：

1.读到状态寄存器的值是0x40（1-1-1模式，该位标识的是QE 是否使能，1-使能，0-不使能）;

2.未配置4byte 内存地址模式，但读到配置寄存器的值依然是0x20（1-1-1模式）；

3.能正确获取到产品ID（1-1-1模式）；

4.读写数据正常；

QSPI模式下，验证结果：

1.读到状态寄存器的值是0x40（4-4-4模式，命令与1-1-1同）;

2.有时读到配置寄存器的值是0x20，有时多次配置4byte内存地址模式后，读配置寄存器依然是0（4-4-4模式，命令与1-1-1同）；

3.能正常获取到产品ID（4-4-4模式，命令与单SPI读产品ID不同）；

4.写使能后，轮询状态寄存器卡死（4-4-4模式，命令与1-1-1读使能同，轮询逻辑也同）；

混合模式（既有单SPI模式，也有QSPI模式的命令），验证结果：

1.MX25L256初始化过程中，依据此逻辑进行：

1.0 单SPI模式读产品ID； 1.1 QSPI模式读产品ID； 1.2 发命令切换flash SPI模式到Quad SPI模式；

此时，一旦调用1.2的逻辑，在线仿真MX25L256初始化函数，执行完1.0，获取产品ID失败，然后执行完1.1，可以获取到正确的产品ID（但实际还没执行1.2）,屏蔽1.2处的代码，设备断电一段时间（大概几秒），再次上电，仿真MX25L256初始化函数，执行完1.0，可以获取到正确的产品ID，然后执行完1.1，获取产品ID失败。

状态寄存器

配置寄存器

使能qspi模式