adc采集电压
关于使用STM32G030C8T6的串口收发过程中串口接收问题
STM32G0B1的CAN自动重发
用stm32cubeide生成的STM32G030F6P6代码只要一开中断,任何中断程序都会跑飞.
STM32G0B1CBT6 双Bank升级,运行Bank2上Flash不能写问题
有关STM32G0B1RET6芯片FLASH擦除问题
STM32G030烧录程序
Stm32G071 i2c slave配置问题
STM32G030 不能下载程序 0xFFFF0040
STM32G0是否支持trace?
此外,LSE启动时间相对很长(手册中给出典型值) ,因此软件中关于启动超时的判断也要合理的调整。
软件中可以对相应的驱动等级进行调整,但是前提也是要选型在范围内。简单计算一下。
官方有个很好的应用笔记AN2867,上面详细描述了原理和相应型号的参考系列选择。
LSE晶振两边的负载电容要选择合适,这点参照LSE厂家提供的应用设计;
对于G0系列而言,禁止在LSE电路的OSCIN和OSCOUT脚之间并联电阻;
再就是选择合适的驱动强度,它由RCC_BDCR寄存器里的LSEDRV寄存器控制位决定,
设置它时主要考虑启动时间和功耗方面的因素;
ST官方有个应用笔记AN2867,可以针对性地阅读下,尤其第4章;
我们也遇到过这种清空,然后在晶振两端并个1M电阻解决了
硬件有故障,检查硬件。