看看匹配电容

我估计又是矫情的匹配电容的问题

LSE 由于频率低，很多参数和HSE差一个数量级，同时芯片多数有低功耗应用需求，因此需要合适的匹配，包括晶体的型号和相应的匹配电容。（型号不对会导致部分情况下出现震荡饱和现象 ）
此外，LSE启动时间相对很长（手册中给出典型值） ，因此软件中关于启动超时的判断也要合理的调整。
软件中可以对相应的驱动等级进行调整，但是前提也是要选型在范围内。简单计算一下。

官方有个很好的应用笔记AN2867，上面详细描述了原理和相应型号的参考系列选择。

软件上要使能LSE模块；


LSE晶振两边的负载电容要选择合适，这点参照LSE厂家提供的应用设计；


对于G0系列而言，禁止在LSE电路的OSCIN和OSCOUT脚之间并联电阻；


再就是选择合适的驱动强度,它由RCC_BDCR寄存器里的LSEDRV寄存器控制位决定，
设置它时主要考虑启动时间和功耗方面的因素；




ST官方有个应用笔记AN2867，可以针对性地阅读下,尤其第4章；

我们也遇到过这种清空，然后在晶振两端并个1M电阻解决了

硬件有故障，检查硬件。