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请教STM8S003F3P6 eeprom和真开漏输出

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你是我会笑醒的梦 提问时间:2024-3-16 08:55 / 已解决

各位前辈好,想请教一下,STM8S003F3P6操作EEPROM会影响FLASH吗(具体的读写程序已经写完,只是担心会影响FLASH,因为FLASH的擦写次数只有100次)。PB4和PB5的真开漏输出我现在当做了输入使用(接了上拉电阻,实际使用是OK的)会有什么隐患吗?

收藏 评论2 发布时间:2024-3-16 08:55

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2个回答
你是我会笑醒的梦 最优答案 回答时间:2024-3-21 11:58:18

butterflyspring 发表于 2024-3-18 09:55</p>
<ol>
<li>
<p>如果是操作EEPROM 区,那么它的寿命是独立的,达到100k次。最好的效率是按照4字节对齐操作计算。</p>
</li>
<li>
<p>作 ...

感谢,新手,请您多关照

butterflyspring 回答时间:2024-3-18 09:55:12
1. 如果是操作EEPROM 区,那么它的寿命是独立的,达到100k次。最好的效率是按照4字节对齐操作计算。

2. 作为输入脚,需要观测和保证输入信号在规范的电平范围内即可。

Stm8s003 eeprom cycles.PNG
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