STVD使用STM8S005K6T6C内部data eeprom进行数据写入操作问题，请大佬帮忙看下

小王字提问时间：2025-5-20 08:46 / 未解决

问答
是否解决:	未解决

1.STVD使用STM8S005K6T6C内部data eeprom进行数据写入操作，使用st-link V2(B2013 21)进行仿真调试，发现寄存器FLASH_CR2写入1是值仍为0x00，发现无法写入值；对data eeprom进行MASS KEY后，发现FLASH_IAPSR变为0x4a，按手册应为DUL置位，但PUL也同步变为1；对FLASH_IAPSR的PUL,DUL进行清零无效，仍为0x4a；

2.PB0口配置上拉输入做按键电平检测，按键按下变为低电平，弹起后IO口通过万用表测试为高电平，确认硬件电路无问题，但PB_IDR读此IO一直为低电平；

赞收藏评论2 发布时间：2025-5-20 08:46

2个回答

butterflyspring 回答时间：11 小时前

1. 这个有例程可以参考的，按照例程应用即可。网上也有很多成功的代码分享可以参照。
stm8sfwlib2.31\STM8S_StdPeriph_Lib\Project\STM8S_StdPeriph_Examples\FLASH\FLASH_DataProgram

2. IO 读数建议仔细检查一下对应的顺序，包括寄存器观测的顺序，必要时可以换一块板对比验证一下。

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小王字回答时间：10 小时前

butterflyspring 发表于 2025-5-20 09:53</p>
<ol>
<li>这个有例程可以参考的，按照例程应用即可。网上也有很多成功的代码分享可以参照。
stm8sfwlib2.31\ ...

FLASH->CR2|=(u8)0X40;//wpg set 1

FLASH->NCR2&=(u8)0XBF;//nwprg set 0,able word programing

do { FLASH_DUKR=0XAE; FLASH_DUKR=0X56; }while((!(FLASH->IAPSR&((u8)0X08)))&&(ee_write_time<10));//erase write-protection

ee_write_time=0;

for(write_times=0;write_times<4;write_times++) { ((u8 )(0X4000+write_times))= ((u8 )(data+write_times)); }

while((!(FLASH->IAPSR&((u8)0X04)))&&(ee_write_time<10));//write eeprom delay 100ms

FLASH->IAPSR &=(u8)0XF7;//Clear DUL flag bit,enter data write protection

FLASH->IAPSR &=(u8)0XFD;//Clear PUL flag bit,enter flash write protection (void)FLASH->IAPSR;

以上是EEPROM环节字写入，内存可以正确写入数据，但是调试时对应寄存器值异常如前文所述

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