a、首先是时间参数的配置，我们在初始化的时候设置的bank4，所以这里对应的也是bank4，本函数主要使用了两种类型的结构体对FSMC进行配置，第一种
为 FSMC_NORSRAMInitTypeDef类型的结构体主要用于NOR FLASH的模式配置，包括存储器类型、数据宽度等。另一种的类型为FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef

首先是这个结构体FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef，找到他的定义：

成员变量有

( {' ~; X: U$ \4 c) H) l

• uint32_t  FSMC_AccessMode   
• uint32_t  FSMC_AddressHoldTime   
• uint32_t  FSMC_AddressSetupTime   
• uint32_t  FSMC_BusTurnAroundDuration   
• uint32_t  FSMC_CLKDivision   
• uint32_t  FSMC_DataLatency   
• uint32_t  FSMC_DataSetupTime   
  

uint32_t  FSMC_AccessMode uint32_t  FSMC_AddressHoldTime uint32_t  FSMC_AddressSetupTime uint32_t  FSMC_BusTurnAroundDuration uint32_t  FSMC_CLKDivision uint32_t  FSMC_DataLatency uint32_t  FSMC_DataSetupTime

# z' ]$ i# y4 F3 T. ~" z
  r8 a1 t  f' w" {' q

	FSMC_AccessMode：Specifies the asynchronous access mode，用于同步模式，它的取值有以下几种，参考手册上面显示：模式A —— SRAM/PSRAM(CRAM) OE翻转，所以这里我们选择的是模式A 3 w$ g% B' {" h) C5 o! T0 \ #define FSMC_AccessMode_A   ((uint32_t)0x00000000) #define FSMC_AccessMode_B   ((uint32_t)0x10000000) #define FSMC_AccessMode_C   ((uint32_t)0x20000000) #define FSMC_AccessMode_D   ((uint32_t)0x30000000 0 D8 d; n6 q/ G' U: I% m3 e7 Y/ Y 0 v. P& o- H$ E2 K& x  |& v
	FSMC_AddressHoldTime：Defines the number of HCLK cycles to configure the duration of the address hold time. This parameter can be a value between 0 and 0xF.地址保持的时钟周期！
	FSMC_AddressSetupTime：Defines the number of HCLK cycles to configure the duration of the address setup time. This parameter can be a value between 0 and 0xF. 明显是地址建立飞时间周期
	FSMC_BusTurnAroundDuration：Defines the number of HCLK cycles to configure the duration of the bus turnaround. This parameter can be a value between 0 and 0xF.这个应该是指总线翻转周期么，不是很了解
	FSMC_CLKDivision：Defines the period of CLK clock output signal, expressed in number of HCLK cycles. This parameter can be a value between 1 and 0xF - k7 r7 ?; ~' S8 R& K' J明显是指HCLK的分频系数 ' S! r# q% ^4 p' b+ k0 x
	FSMC_DataLatency：Defines the number of memory clock cycles to issue to the memory before getting the first data. The value of this parameter depends on the memory type as shown below: 4 U/ T9 z' D2 H( e; { It must be set to 0 in case of a CRAM It is don't care in asynchronous NOR, SRAM or ROM accesses It may assume a value between 0 and 0xF in NOR Flash memories with synchronous burst mode enable ：数据延迟时间注意了，这个可是有限制的，在我们控制LCD的时候倒是不用管它，应该是可以设为0的 : }) L' s1 A/ W# B: @! h/ p
	FSMC_DataSetupTime：这个相应的就是数据的建立时间了 " F2 D1 l# G  }3 Z

通过对比，发现上述配置是可行的，不过大家也可以按照要求更改。理论上，在速度要求不是很高的场合，大一点是没有关系的，但是下限得注意，具体是多少，我也走不知道，等以后再说吧！

然后就是看这个结构体了FSMC_NORSRAMInitStructure，成员如下：

uint32_t	FSMC_AsynchronousWait
uint32_t	FSMC_Bank
uint32_t	FSMC_BurstAccessMode
uint32_t	FSMC_DataAddressMux
uint32_t	FSMC_ExtendedMode
uint32_t	FSMC_MemoryDataWidth
uint32_t	FSMC_MemoryType
FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef *	FSMC_ReadWriteTimingStruct
uint32_t	FSMC_WaitSignal
uint32_t	FSMC_WaitSignalActive
uint32_t	FSMC_WaitSignalPolarity
uint32_t	FSMC_WrapMode
uint32_t	FSMC_WriteBurst
uint32_t	FSMC_WriteOperation
FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef *	FSMC_WriteTimingStruct

似乎有些复杂，同时也说明了它的功能强大吧！

	FSMC_AsynchronousWait：Enables or disables wait signal during asynchronous transfers, valid only with asynchronous Flash memories，明显就是使能等待同步信号否？
	FSMC_Bank：这个应该是bank的选择吧，明显取值有以下几种： #define FSMC_Bank1_NORSRAM1   ((uint32_t)0x00000000) #define FSMC_Bank1_NORSRAM2   ((uint32_t)0x00000002) #define FSMC_Bank1_NORSRAM3   ((uint32_t)0x00000004) #define FSMC_Bank1_NORSRAM4   ((uint32_t)0x00000006)
	FSMC_BurstAccessMode：Enables or disables the burst access mode for Flash memory, valid only with synchronous burst Flash memories.这个什么呢？不懂继续看吧！
	FSMC_DataAddressMux：Specifies whether the address and data values are multiplexed on the databus or not，数据地址引脚是否复用，明显这里我们不需要！！
	FSMC_ExtendedMode：Enables or disables the extended mode.，外扩模式否？应该是不用的
	FSMC_MemoryDataWidth：位宽，我使用的是16位的TFT，所以应该是16，看看取值 . _' P1 U: c- w9 g1 Y* p3 N 果然： #define FSMC_MemoryDataWidth_16b   ((uint32_t)0x00000010) #define FSMC_MemoryDataWidth_8b   ((uint32_t)0x00000000)
	FSMC_MemoryType：Specifies the type of external memory attached to the corresponding memory bank.意思应该是当我们外扩存储器的时候，分配哪一个bank吧，看取值。应该是0-3吧！看结果似乎有些问题，它是指外扩的存储器类型
	#define FSMC_MemoryType_NOR   ((uint32_t)0x00000008) #define FSMC_MemoryType_PSRAM   ((uint32_t)0x00000004) #define FSMC_MemoryType_SRAM   ((uint32_t)0x00000000
	FSMC_WaitSignal：Enables or disables the wait-state insertion via wait signal等待信号，等待状态与否
	FSMC_WaitSignalActive：Specifies if the wait signal is asserted by the memory one clock cycle before the wait state or during the wait state, valid only when accessing memories in burst mode，似乎有些搞混淆了，先这样继续看吧！
	FSMC_WaitSignalPolarity：Specifies the wait signal polarity, valid only when accessing the Flash memory in burst mode，是指奇偶校验信号么？但是这个只需在flash的burst模式里面设置。
	FSMC_WrapMode：Enables or disables the Wrapped burst access mode for Flash memory翻转模式?
	FSMC_WriteBurst :Enables or disables the write burst operation写操作的
	FSMC_WriteOperation：Enables or disables the write operation in the selected bank by the FSMC
	FSMC_WriteTimingStruct FSMC_ReadWriteTimingStruct还有两个这样的结构体！ Timing Parameters for write and read access if the ExtendedMode is not used  ，当我们没有使用外扩模式的时候需要配置，显然这里需要配置的！ 这两个结构体就是上面分析了的。所以我们只要执行这个语句，就能完成FSMC的配置了 FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);   " y3 G7 q8 M. @, W 至此分析完毕！ 然后就是简单的初始化TFT了 0 T. L# j: l. z+ e 个人觉得有几点需要注意的地方，也总结一下！ 关于使用16位宽的时候的地址的问题！ / `# ^- e7 I# V5 D7 v 用的第17位，插16位的线 假如我们这样访问 *(volatile unsigned short int *)(0x60020000)=val ' x+ O. X# r, d

这时候该地址的bit17位为1，因为我们使用16位宽模式，先看下面一张图

  z" @4 z- [5 a% C6 ^  q; g

没有简化的代码吗？

没有哦