在调试STM32F103C8内部FLASH当EEPORM使用时，一直没调通，求助友们；调了好几天没调通，读取指定位置没有问题，但是尝试擦除或者写入时就会死机，就是程序执行擦除FLASH_ErasePage()或者写入FLASH_ProgramHalfWord(）这句时就会死机。把看门狗打看可以看到只要程序执行到擦除或者写入函数时就死机。再细致发现执行写入函数这一句*(__IO uint16_t*)baseaddr =就会死机，只要把这句*(__IO uint16_t*)baseaddr =删除跳过这一句就不会死机。求大家相助，谢谢，

我把函简化成下面，就是会死机，万分求助 void FLASHINIT_FLASH(void) { FLASH_Unlock();//解锁 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位 FLASH_ErasePage(0x08002a50);//要擦出页的起始地址 FLASH_ProgramWord(0x08002a50,０x1234);//写数据 //是一个字即四个字节 FLASH_Lock();//锁定 }

你看看在写入时有没有解锁FLASH，记住写完成后由“上锁”。

lilei900512 发表于 2018-6-4 11:18
你看看在写入时有没有解锁FLASH，记住写完成后由“上锁”。

在解锁的，测试过解锁位，确认已经解锁的

写的地址对吗？

楼主写FLASH的地址最好不要和程序的地址混在一起，单独找一个比较远的地址来测试。

安 发表于 2018-6-4 11:41
楼主写FLASH的地址最好不要和程序的地址混在一起，单独找一个比较远的地址来测试。 ...

看过没有和使用程序地址混在一起，我选择的位置是空位置

wudianjun2001 发表于 2018-6-4 11:30
写的地址对吗？

写的地址对的，没有问题，对应的地址地空的，没有给使用的程序占用

需要判断FLASH->SR。 在不busy的时候再去写入

jgmqt 发表于 2018-6-4 11:23
在解锁的，测试过解锁位，确认已经解锁的

那你看看是不是写的区域不对，不能写在程序所在部分。

ST官方有代码可以参考呀
EEPROM_Emulation.rar (9.6 KB, 下载次数: 39)

2018-6-4 13:36 上传

点击文件名下载附件

请参考10楼附件，Flash模拟EEPROM用过很多回，从来没有出过问题。
楼主你的程序工程呢，发上来看看。
0x2a52的地址不算大，才10K，STM32程序和有初始化值的数据占个10K不是什么难事，生成bin文件看一下，超过了没有。

楼主去看看正点原子的407板子的程序，  实验34 FLASH模拟EEPROM实验  这里有详细的解答。对比你的程序看

检查地址，参数，找个类似例程参考下，也可换个地址位尝试修改参数

wenyangzeng 发表于 2018-6-4 13:36
ST官方有代码可以参考呀

有用