STM32f030
' A6 B- s$ d) K* K7 H* Y. v
" q6 Y% E  Z1 S5 X

1. FLASH擦写时间

, f6 @- w6 W4 o# o$ b  o9 ]

" I* T$ x" [# y

2. FLASH擦写次数和数据保存年限

* ^9 d1 j! ?" p$ i; G7 O3 ]6 g- l只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM。

STM32F103x8, STM32F103xB

1. FLASH擦写时间和电流
0 Z* ?! L* t5 x' e# H

  

) Z/ g; P+ o" q% w  _

, d! s; a( F  E8 ]0 m, q3 E+ `

2. FLASH擦写次数和数据保存年限

" a7 S7 \& P, U" M9 l) d1 \擦写1万次，保存20年。

4 m2 I* H( l' d

' k& s/ x/ ]9 @0 ?8 B5 p& R6 L
/ p6 ?* i% G# M
0 V- m- a, O+ W6 D) wSTM32F427xx STM32F429xx

  @$ m4 q8 t0 Y0 I7 _

1. FLASH擦写电流

9 m* o, G0 i) B
* g* r( w; w8 o% x. `8 g  e7 Z% t

2. FLASH擦写时间

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编程32bit只要16us，速度提高了近4倍。

9 L6 D. Q" s$ S  `0 ]; v

( G7 y' O# N. k) Z; m+ l5 }

0 V. B: q8 I) Y5 k+ b

3. 使用VPP擦写时间（工厂模式下，64bit）

. {8 B' x; ~6 [, j' O

4. FLASH擦写次数和数据保存年限

擦写次数提高到1万次，基本应用应该够了。不过对于经常变化的数据建议还是不要在FLASH存储，比如1天要变化记录20次，则10000/20=500天，即将面临失效，导致整个产品报废。

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' u" |; N7 |+ ^4 X- y7 i0 H

感谢你的分享，对于data retention的年限是如何计算的呢，为什么1k 85℃是20年，105℃为10年呢，这个结果好像并不符合阿伦尼斯方程。他们之间好像并没有任何关系，不知道ST是如何得到这个寿命的。