STM32f030

- ^% |/ {; t% `- G3 O0 ^

1. FLASH擦写时间

% z3 @2 @3 M; o/ M0 E

7 t. a& }1 d0 D

3 w1 m8 p2 S+ f/ s

2. FLASH擦写次数和数据保存年限

; r& M' I$ o: B8 t- A( @: e: X' w只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM。

/ f5 b/ t  P; n6 x; c: O0 u
+ b" Y3 I& L8 ?

5 t6 V% W8 r5 X  X! ~! A* oSTM32F103x8, STM32F103xB
+ K! d% r; [9 {& F8 k

1. FLASH擦写时间和电流
: ~: K$ \7 B3 x' b' D  [' ]! I

  

5 e0 u7 u: ?6 {4 a+ a0 k

2. FLASH擦写次数和数据保存年限

4 c+ q) v, T8 z擦写1万次，保存20年。

: U- C8 m- x: i& V: gSTM32F427xx STM32F429xx
4 a' `9 u( ~8 V! }! w$ o

1. FLASH擦写电流

" v7 j$ R4 A) B9 m5 [7 Z

2. FLASH擦写时间

编程32bit只要16us，速度提高了近4倍。

2 G" C& g$ N, h* {) n

; [- x2 r- a' X; e

7 y' ?, y8 i$ x


, N7 V3 d5 c. ^/ S

3. 使用VPP擦写时间（工厂模式下，64bit）

- N4 L& r) ^2 n/ z: G9 w2 @

8 o; k3 V* \6 Y8 H% z0 T
' P3 l1 i# K% v4 O4 \

. s+ `3 k7 E0 j, F" W- g1 S, h

4. FLASH擦写次数和数据保存年限

0 _7 u3 X$ W, J) b. V3 V3 ]( d擦写次数提高到1万次，基本应用应该够了。不过对于经常变化的数据建议还是不要在FLASH存储，比如1天要变化记录20次，则10000/20=500天，即将面临失效，导致整个产品报废。

: M3 y9 U  e) Y( P* p; n

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; U8 S( F' ?! u2 ], r4 T" N

# J, O' u! K7 }% p8 C) {

感谢你的分享，对于data retention的年限是如何计算的呢，为什么1k 85℃是20年，105℃为10年呢，这个结果好像并不符合阿伦尼斯方程。他们之间好像并没有任何关系，不知道ST是如何得到这个寿命的。