STM32F0F1F4内部flash擦写时间和寿命

STMCU-管管 · 2020-09-23T03:23:06+00:00

STM32f030 ( p% Q U1 z5 w9 g4 p' N G3 X" i s1 O1 ~% S/ I6 ~; Q 1. FLASH擦写时间 : M4 X( X6 R, \ `, y8 x7 \ ' k: C" }8 V* q$ I" } S ) S5 \0 s7 P! g- I( a3 c; u ! [& H# X* r( m' [- J! ^# `+ A' @) F3 v 2. FLASH擦写次数和数据保存年限# F1 u+ M8 y$ S% U9 R* c( g 只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM。( r; {- ]- A7 }% S . x s! M8 q% V+ ~3 X( E % `7 D, f" w( s- n1 V# C * f1 Y% z' W Z9 f( ^/ L9 S0 N 1 ^6 o& l* ]' @ D& ^" f, c6 hSTM32F103x8, STM32F103xB' E0 [, R& }- | $ I6 _$ {! Z) B% K 1. FLASH擦写时间和电流 0 D [ Y1 o1 l5 }; X- A 4 Y- I; i. @) U" }( p* s 2 f, {( Y, X( J4 i6 G' r $ s1 @7 o) `$ }! I5 {0 a + I! w! X; l( @# Y, W4 ? 2. FLASH擦写次数和数据保存年限 8 L( L4 g2 R- r5 W擦写1万次，保存20年。 % h8 o# X W+ @ 8 T& i3 h" u6 X7 m6 V- R) E( H ( D. N& z2 H. H 6 l: ^2 y! Z; n$ ~0 {/ Z% M( a! VSTM32F427xx STM32F429xx$ d5 C, y" X) u7 m& R 8 z! O& t1 @( z2 ~+ B2 F 1. FLASH擦写电流 . E5 z X' y( `& P ; R# }. B# m+ r! C; m9 ^ 8 B/ @' |! C8 J; f# ]/ @ I+ l7 ^ b" ~! b! m2 e+ ]; Y 2. FLASH擦写时间 - c, N+ f" |3 `3 F! y; [, V6 i8 `编程32bit只要16us，速度提高了近4倍。 . x- P( a* o8 S( L, ~5 Y% U2 F4 q9 d# E3 I+ Y7 W& x( o8 h $ S7 W! b# ^# t! z" w 3 A! N1 a; m d) ?" |; c2 S7 O# C; R7 F! F( X 7 r% m: T5 z* R2 R1 P; a$ B ( \# `+ r: e! L . y5 n0 k( C$ z3. 使用VPP擦写时间（工厂模式下，64bit） K4 B4 s7 H0 E3 R) r& i. N( u } & l+ u! R4 T# ? 8 `; y$ |/ `! m; A* H1 f+ L. Q ! y; c. ^5 T6 b% F. I' I . u6 Q3 i; s. z$ G$ q% q- t; _% ~$ P 5 ^" g& |: L' v) J: }, t5 m1 I4. FLASH擦写次数和数据保存年限 % b6 R2 e6 P6 s& O1 o1 B2 V擦写次数提高到1万次，基本应用应该够了。不过对于经常变化的数据建议还是不要在FLASH存储，比如1天要变化记录20次，则10000/20=500天，即将面临失效，导致整个产品报废。! j* D% S3 A! w; f+ W* Z 6 t: o& D; d; U/ Y6 E1 a4 F! z+ b# r3 P6 E 3 ] B0 Y" X' E3 v& b: Y. @ % z2 k5 \* \! C# Q) {7 q& a$ x& k( t$ O" a+ T: L / \3 L5 ]( k5 {3 H8 p- |; S $ Y b7 ]0 t0 K, Q