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STM32F0F1F4内部flash擦写时间和寿命

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STMCU-管管 发布时间:2020-9-23 11:23
STM32f030

1. FLASH擦写时间



1_meitu_1.jpg



2. FLASH擦写次数和数据保存年限


只能擦写1000次,有点少。非必要,不要擦写。比如记忆流水号之类,经常变动的数据,最好使用EEPROM。


2_meitu_2.jpg




STM32F103x8, STM32F103xB

1. FLASH擦写时间和电流

3_meitu_3.jpg   



4_meitu_4.jpg


2. FLASH擦写次数和数据保存年限


擦写1万次,保存20年。


5_meitu_5.jpg



STM32F427xx STM32F429xx

1. FLASH擦写电流


6_meitu_6.jpg



2. FLASH擦写时间


编程32bit只要16us,速度提高了近4倍。



7_meitu_7.jpg






3. 使用VPP擦写时间(工厂模式下,64bit)



8_meitu_8.jpg



4. FLASH擦写次数和数据保存年限


擦写次数提高到1万次,基本应用应该够了。不过对于经常变化的数据建议还是不要在FLASH存储,比如1天要变化记录20次,则10000/20=500天,即将面临失效,导致整个产品报废。


9_meitu_9.jpg







1 收藏 评论1 发布时间:2020-9-23 11:23

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1个回答
aria.zhang 回答时间:2025-1-16 10:19:27

感谢你的分享,对于data retention的年限是如何计算的呢,为什么1k 85℃是20年,105℃为10年呢,这个结果好像并不符合阿伦尼斯方程。他们之间好像并没有任何关系,不知道ST是如何得到这个寿命的。

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