STM32f030

1. FLASH擦写时间

' d' A0 X& K7 X% t% Z

; W1 c6 |: m/ e% G, a5 D

& H0 I2 y3 Z: Q0 f2 }
, N0 e% b0 N. p4 d

2. FLASH擦写次数和数据保存年限

3 T) H$ y6 i0 [( a/ |只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM。

, F+ s- C/ b; q. e: E

% Y5 f. M  Y( a0 ^% D
STM32F103x8, STM32F103xB

* }. j6 {3 N1 B

1. FLASH擦写时间和电流
5 `7 \' k" E# \  o: l- v7 I  l

  

4 Y8 s4 B3 B$ ^6 }

8 C( \0 c4 k( v; l; v. @

, G( z5 t/ u  |1 B5 ^/ b" Z8 @! m2 }

2. FLASH擦写次数和数据保存年限

擦写1万次，保存20年。

. n8 l3 d( v9 l% ?9 V# w

: R# W0 }  z  r' RSTM32F427xx STM32F429xx
# [( U6 U3 U7 k& A0 U$ z( }

1. FLASH擦写电流

' u% L( C- X$ b: G

2 T# F3 f( F" H( n& Y

2. FLASH擦写时间

编程32bit只要16us，速度提高了近4倍。

( J$ {- d! y  N( z/ \) K$ F

3. 使用VPP擦写时间（工厂模式下，64bit）

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3 y( C" P( N  S" E- p! i& o

1 E5 H- F; X3 e2 g* V- M1 r' \

4. FLASH擦写次数和数据保存年限

$ |1 M" a' M+ y' P擦写次数提高到1万次，基本应用应该够了。不过对于经常变化的数据建议还是不要在FLASH存储，比如1天要变化记录20次，则10000/20=500天，即将面临失效，导致整个产品报废。

$ \' G! l8 S  C- i3 g" O

# z1 b/ C, a) f  n) V& o% y
; P1 Q# l4 H/ D5 V! v+ c
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9 o; i3 p( Y2 t

感谢你的分享，对于data retention的年限是如何计算的呢，为什么1k 85℃是20年，105℃为10年呢，这个结果好像并不符合阿伦尼斯方程。他们之间好像并没有任何关系，不知道ST是如何得到这个寿命的。