大家好！
通过#pragma arm section code = “RAMCODE ”和#pragma arm section。这种方式，可以同时将多个函数放到指定的section。然后修改.sct文件，自定义一个RAMCODE的段，并放在RAM中的某段地址中，那么编译时，编译器会自动把这几个函数放在内存中执行，而不是flash，提高执行速度。
我的问题是，这种操作下，被这几个函数占用的RAM空间会一直被占用吗（类似全局变量那种，声明了后会一直占用RAM）？还是说只有在对应函数执行时才会占用RAM，执行完后这段RAM会自动释放，可以用作他用？
另外还有一个问题，G0和G4这两个系列的单片机，Flash和RAM的访问速度能差多少呢？我之前用的是TI的280049型号的DSP芯片，这款芯片Flash的访问速度已经可以达到RAM访问速度的90%以上，因此如果STM32的Flash访问速度也能达到这种水平，那么我就没必要把代码放在RAM中执行了

第一个问题，通过#pragma arm section code = “RAMCODE ”和#pragma arm section。这种方式，可以同时将多个函数放到指定的section。
这些RAM将一直被占据着。


第二个问题，以G4来讲，如果只是希望将代码放进RAM以提示执行速率，这个就没必要了。当开启指令预取和使能I/D Cache后，
即启用了ART技术后，代码RAM里的执行速率并无优势，反而处于劣势，这个你也自己实际测试验证下。顺便说下，G0 G4是完全不同的两个系列。


我这边基于G0芯片就某个矩阵乘法代码做了下简单测试，结果供方向性及结论性参考与判断。


在指令预取与指令cache使能条件下， 相应测试结果如下：


0x5efb timing units with code in flash,  0x6674 timing unitswith code in RAM.

你那样操作的话，RAM是被一直占用着的。

对于G4/G0而言，当开启指令预取和使能cache时，代码在RAM运行并没有速率上的优势。这点你也不难验证。