
15.1 初学者重要提示 学习本章节务必要认真学习并掌握15.3小节GPIO功能模式分析,学好它们,对后续章节中外设的学习大有裨益。 对于不使用的引脚,推荐设置为模拟模式,悬空即可。7 \ x, L7 [' N) p. W! S GPIO的速度等级高的时候,最好使能IO补偿单元。 # v& B8 m7 K' B' Q" @" g& e 15.2 GPIO功能简介 STM32H7的GPIO特性如下: 输出状态:开漏/推挽 + 上拉/下拉电阻。 通过输出数据寄存器(GPIOx_ODR)或者外设(GPIO设置为复用模式时)输出数据。, Y9 Z* H9 _$ g/ e0 N0 i; X GPIO速度等级设置。0 J2 d. [- A w% s8 [. y 输入状态:浮空,上拉/下拉,模拟。 通过输入数据寄存器(GPIOx_IDR)或者外设(GPIO设置为复用模式)输入数据。 通过寄存器GPIOx_BSRR实现对寄存器GPIOx_ODR的位操作。 通过配置寄存器GPIOx_LCKR的锁机制,实现冻结IO口配置。 每两个时钟周期就可以翻转一次IO。 高度灵活的引脚复用功能,允许IO引脚既可以做GPIO也可以做功能复用。 15.3 GPIO功能模式分析(重要)5 J* _( x! p3 Y) [( F6 J STM32H7的GPIO端口可以配置为如下的8种模式:" s6 L/ |+ {' \2 T8 l; T& | 输入浮空 输入上拉 输入下拉 模拟功能' Y; C3 S8 q) N$ O4 m+ w& M 具有上拉或下拉功能的开漏输出/ B9 b. {# M5 A/ s+ v. f8 V0 I 具有上拉或下拉功能的推挽输出0 {7 n' W+ h! {8 h6 k 具有上拉或下拉功能的复用功能推挽7 E/ J6 I, X! y4 `8 {* M! A 具有上拉或下拉功能的复用功能开漏 由于上拉和下拉是可选配置,对应的HAL库配置使用下面6种就可以表示: GPIO_MODE_INPUT 输入模式 GPIO_MODE_OUTPUT_PP 推挽输出: v7 q, K: A1 t) d2 Z" R( W* l GPIO_MODE_OUTPUT_OD 开漏输出5 [2 [, ~: `+ c- w! B; n GPIO_MODE_AF_PP 复用推挽 GPIO_MODE_AF_OD 复用开漏! |( K# q, v% ^ GPIO_MODE_ANALOG 模拟模式 1 ~& E- ?' B: E% x9 n 15.3.1 推挽输出' q7 @8 X# y+ B0 Q. C ![]() 推挽电路是两个参数相同的三极管或 MOSFET,以推挽方式存在于电路中。 电路工作时,两只对称的开关管每次只有一个导通,导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级提高电路的负载能力。 相对于开漏输出模式,推挽输出最大优势是输出高电平时,上升时间快,电压驱动能力强。 6 h. i( D1 @- q' v9 {, A' u 15.3.2 开漏输出5 V2 v4 ]% x9 k! s H5 J$ s ![]() 开漏端相当于 MOS 管的漏极(三极管的集电极),要得到高电平状态必须外接上拉电阻才行,因此输出高电平的驱动能力完全由外接上拉电阻决定,但是其输出低电平的驱动能力很强。开漏形式的电路有以下几个特点:. @+ S& `( p5 d2 h2 U) W6 W2 t & x9 t! s0 M/ a 输出高电平时利用外部电路的驱动能力,减少 IC 内部的驱动。 开漏是用来连接不同电平的器件,匹配电平用的,因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻时,只能输出低电平。如果需要同时具备输出高电平的功能,则需要接上拉电阻,很好的一个优点是通过改变上拉电源的电压,便可以改变传输电平。上拉电阻的阻值决定了逻辑电平转换的速度。阻值越大,速度越低,功耗越小。 开漏输出提供了灵活的输出方式,但是也有其弱点,就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电,所以当电阻选择小时延时就小,但功耗大;反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求,则建议用下降沿输出。 可以将多个开漏输出连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“与逻辑”关系,即“线与”。可以简单的理解为:在所有引脚连在一起时,外接一上拉电阻,如果有一个引脚输出为逻辑 0,相当于接地,与之并联的回路“相当于被一根导线短路”,所以外电路逻辑电平便为 0,只有都为高电平时,与的结果才为逻辑 1。 8 a# H2 Z5 p2 {% e 15.3.3 复用推挽和开漏 复用指的是GPIO切换到CPU内部设备(比如SPI,I2C,UART等电路),也就是GPIO不是作为普通IO使用,是由内部设备直接驱动。推挽和开漏的特征同上。 + p6 T3 U' ?/ w7 E+ S$ a2 H! P 15.3.4 四种输入模式/ f# h) i3 P2 s ( y( x4 `3 b+ I1 A$ u ![]() 通过上面的引脚结构图可以得到如下三种方式" m3 I* y/ H2 Z8 W 2 i" w( g2 g: y9 X. _5 Z/ u 浮空输入:CPU内部的上拉电阻、下拉电阻均断开的输入模式。' M& i) g/ C( O3 N9 ~ 下拉输入:CPU内部的下拉电阻使能、上拉电阻断开的输入模式。) Y5 V2 Y1 i4 A2 }+ N8 s 上拉输入:CPU内部的上拉电阻使能、下拉电阻断开的输入模式。6 |/ h( ~1 _$ F0 p( D 6 A1 Z# }+ d7 B: A8 w% ] / I, d8 x# _! }: @0 f* q 而模拟输入模式是GPIO引脚连接内部ADC。# d \5 s, Y% g. n2 Q3 L2 ^ % ~) n. j8 M: w5 n( {6 A: W; ?" N ![]() 15.4 GPIO的拉电流负载和灌电流负载能力6 Z6 j4 j X" d% a 这里先普及点小知识,什么是拉电流负载,什么是灌电流负载。 拉电流负载:一种负载电流从驱动门流向外电路,称为拉电流负载。比如使用STM32H7的GPIO直接驱动LED就是拉电流形式。 # j( O$ J$ o v% u! @ ![]() 灌电流负载:负载电流从外电路流入驱动门,称为灌电流负载。比如下面这种形式的LED驱动电路 6 k8 ]. F6 e* G$ ] ![]() 有了上面这些知识后再来看STM32H7的IO驱动能力(截图来自STM32H7参考手册): 1 ^$ A' X# [% h; @) J8 ` ![]() ; ]+ o# n! ~, ~7 r: C6 l: S 通过上面的截图可知:STM32H7总的拉电流和灌电流不可超过140mA,单个引脚最大不可超过20mA,这个知识点,大家要知道。 ( ^, e" J; O7 t; i4 J O 15.5 IO补偿单元,用于高速 IO补偿单元用于控制I/O通信压摆率(tfall / trise)以此来降低I/O噪声。当前STM32H7的速度等级可以配置为以下四种:! o# I2 m( k# C3 r7 B 5 M' i+ g2 _$ L
使用后两种速度等级的话,最好使能IO补偿单元。 - x* o. q. \. Q+ S, R* r/ b 15.6 GPIO兼容CMOS和TTL电平& Z: v: ~6 \$ C ~0 ? CMOS和TTL电平兼容问题也是一个比较重要的知识点,关于这方面的知识已经在论坛进行了总结, s, v8 N7 M$ _ 1 D6 J: w# D( P5 {; f ![]() % j+ j5 o I" E2 `3 W4 i 15.7 不使用的引脚推荐设置为模拟模式 主要从功耗和防干扰考虑。& f) K- R1 J5 S+ t* p' a$ P 5 Q% e9 w! C3 U6 D6 x 所有用作带上拉电阻输入的 I/O都会在引脚外部保持为低时产生电流消耗。此电流消耗的值可通过使用的静态特性中给出的上拉 / 下拉电阻值简单算出。( {+ w) B+ W9 s 对于输出引脚,还必须考虑任何外部下拉电阻或外部负载以估计电流消耗。 若外部施加了中间电平,则额外的 I/O 电流消耗是因为配置为输入的 I/O。此电流消耗是由用于区分输入值的输入施密特触发器电路导致。除非应用需要此特定配置,否则可通过将这些I/O 配置为模拟模式以避免此供电电流消耗。 ADC 输入引脚应配置为模拟输入就是这种情况。- X6 }$ Z! F6 r8 Y 任何浮空的输入引脚都可能由于外部电磁噪声,成为中间电平或意外切换。为防止浮空引脚相关的电流消耗,它们必须配置为模拟模式,或内部强制为确定的数字值。这可通过使用上拉 / 下拉电阻或将引脚配置为输出模式做到。' D/ g, c, D# w r( u ( h) a& P6 w6 Z g; Z* U 5 A8 F# ^5 A4 p% @ 综上考虑,不使用的引脚设置为模拟模式,悬空即可。 15.8 总结- I/ F$ e6 {# u( l3 j 本章节就为大家讲解这么多,其中GPIO功能模式小节(本章15.3)最重要,大家务必要掌握。 |' g, m8 G9 f+ K. }# G3 U% l0 w / m& Y) q; F. R$ v$ f2 U8 O% f |
拷打cubemx【003】——找不到的芯片包
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