请教一下，目前我们有用STM32G0B1VE系列的芯片，由于应用需求，在机器开机时，会有大约2个page的flash操作。但是在做上下电测试时，经常会发现，在测试的过程中，会造成整台机器变成砖头，断电重启无法恢复。 经过一系列的排查，应该是由于在上下电的过程中，Flash数据更新的过程中，造成ECC未写入，造成最终读Flash时，ECC错误，造成了NMI中断。。 由于G系列比较新，我们只是搜到了一片CSDN上的老兄有遇到过相同的情况。

https://blog.csdn.net/qq_29083043/article/details/107891658 发这个帖子，一来感谢下这位仁兄。。二来还是想确认下，除了将Flash擦除，重写之外，是否还有其他解决的方式？

另外，查看芯片手册，针对FLASH_ECCR的描述，似乎有误。。 在手册里，针对FLASH_ECCR->ADDR_ECC的描述，应该是该地址乘以8，应该就是Flash ECC错误的地方。但是ADDR_ECC只有14bit，乘以8也就17bit，总共为128KB。 但是我们用的G0B1VE是两个Bank， 每个Bank为256KB，所以，文档这里是否描述有误？个人觉得，手册是不是针对128KB/Bank的型号所做的？

第一个问题，当出现ECC错误时会触发NMI中断，的确会这样,这点在手册中也明确出来了。你期望有针对FLASH进行重写的其它办法，目前没有。


至于你提到的第二个问题，你看得很仔细。认同你关于这点的分析，初步怀疑是手册在这个地方是基于128KB BANK的型号来描述的。


首先,STM32G0系列里面，1个BANK有128KB的，也有256KB的。具体到你现在的STM32G0B1，它的1个BANK是256KB.


其中，FLASH_ECCR和FLASH_ECCR2 分别 存放对应于BANK1和BANK2里ECC出错的双字地址。这样的话，FLASH_ECCR里存放地址偏移量的位宽为14的确


不满足256KB存储空间的用于记录ECC出错的偏移地址所需宽度了。关于这点，我们继续跟踪之。

感谢。。

假如有确认是文档错误的话，也请帮忙更新下帖子哦。。