对于 STM32 用户，经常会涉及到通过用户启动程序实现对用户应用程序的更新升级。一般来讲，用户启动程序主要用来跟外界通信，获取新的用户程序代码并实现对用户代码区的应用程序升级。用户应用程序是指实现各种用户功能的代码。
. a, d# V/ z7 r  K- a" n在这个过程中，往往需要做从用户引导程序区（以下简称【BOOT 区】）到用户应用程序区（以下简称【APP 区】）的跳转，有时可能还需实现从用户应用程序区跳回到用户启动程序区，甚至不同用户程序区的互相跳转等操作。在这些跳转过程中，常常有人的开发工作在此遇到阻碍，甚至破费周折。
/ U3 b& R" ^0 |4 s' Z- D
' }4 e$ Y; J/ D) KSTM32F0 代码区跳转
; \! P2 i+ Q4 m- z在此我们以 STM32F0 为例，就芯片内不同程序区的跳转问题做些交流与介绍，限于篇幅，这里仅直接介绍具体操作和注意事项，不做过多拓展介绍。相关知识点可阅读 STM32 芯片参考手册、STM32 相关内核编程手册。

5 E9 Y4 D6 a# Y1 D3 n( |  k下面介绍中提及的集成编译环境是指 ARM MDK，硬件基于 STM32F072RB Nucleo 开发板。后面我将逐一介绍不同跳转操作的基本流程和注意事项，涉及以下三种情况：
 从【BOOT 区】跳转到【APP 区】
 从【APP 区】跳转到另外新【APP 区】
6 {2 B* b5 V  @2 B; Y+ e 从【APP 区】跳回【BOOT 区】
7 o- L  A% [& a1 P* b) w7 Y一般来讲，不同区段的执行代码我们通过建立不同的工程项目来实现，最终将不同区段执行代码写入芯片。这里假定 BOOT 区对应的内部 FLASH 地址段为 0x8000000—0x8004000,APP1 区对应的内部 FLASH 地址段为 0x8004000—0x8008000, APP2 区对应的内部 FLASH 地址段为 0x8008000—0x800C000.

' }3 h9 U3 d8 \; W( g
$ ~5 D% x7 Z- a9 n" D
从【BOOT 区】跳转到【APP 区】
: e( q- y2 B. z+ o& v6 c, G+ C
9 G6 }4 K8 H- y3 l* Y6 t先说从 BOOT 区跳转到 APP 区。这个跳转代码比较简洁、简单，注意跳转前要关闭刚才程序区开启过的所有中断使能，保证所有中断请求位都被清除，不是简单的关闭总中断，否则往往隐患多多。BOOT 区相关跳转代码如下：

1. If ( Jump_Condition Satisfied )
   7 r3 g0 m5 [- A  _, z$ x
2. { if(((*(__IO uint32_t*)APPLICATION_ADDRESS_APP) & 0x2FFE0000) == 0x20000000)
   8 \8 z& z. b9 `! r- z% a$ w
3. { /* Jump to user app */
   6 [# d  M: p; g, Q
4. JumpAddress = *(__IO uint32_t*) (APPLICATION_ADDRESS_APP + 4
   
5. JumpToApplication = (pFunction) JumpAddress;
   
6. __set_MSP(*(__IO uint32_t*) APPLICATION_ADDRESS_APP);
   ! W1 ^$ _2 Z8 a' i( {
7. JumpToApplication();
   9 z( Z5 Q" _* t' [/ m
8. }

复制代码

这个从 BOOT 区到 APP 区的跳转最终能否成功，关键还是取决于 APP 区代码相关配置及准备工作。假设这里的 APP 区是上面提到的 APP1 区，内部 FLASH 地址段为 0x8004000—0x8008000，那么在 MDK 的 option 项里的 memory 配置板块要做正确配置，即 flash 空间与 ram 空间的配置，如下图所示：
0 v$ f3 n9 y# s$ Z5 b% d
0 p% j! L1 q# w2 O8 `8 P
3 l! G/ k. m: T/ U5 m
IROM1 的配置就是 APP1 代码摆放的起始空间地址及长度。IRAM 的配置要注意先保留 48个字的空间用来存放中断矢量表的内容。因为 stm32F0 芯片的中断矢量表的大小就是 48个字（即 0xc0 字节）。至于剩下的内部 RAM 空间大小由芯片本身的 RAM 容量决定（这里是基于 STM32F072RB 芯片，其内部 RAM 总容量为 0x40000）。
, D5 t- V$ i& Q1 ~) w
另外一件很重要的事情就是做中断矢量表的拷贝。在 APP1 区的 main()程序开头部分，将放在 flash 程序空间起始部分的连续 48 个中断矢量地址表拷贝到内部 RAM 的起始地址段。即将矢量表从 0x8004000 地址开始拷到 0x20000000 开始的连续 48 个字空间（前面提到的存储配置正是为了配合这个拷贝操作）。基于 MDK 环境的参考代码如下：
0 ^$ C# m. t2 j

' j; @6 @* {/ D) e+ E/ B0 _

1. #define APPLICATION_ADDRESS4 (uint32_t)0x08004000
   
2. __IO uint32_t VectorTable[48] __attribute__((at(0x20000000)));
   
3. int main(void)
   " j3 @" o1 \6 T3 r/ ^
4. { HAL_Init();
   ) \, C0 ~! g4 s: Q  e
5. SystemClock_Config();
   
6. for(i = 0; i < 48; i++)
   ; A( u: _; s3 V4 B4 n
7. { VectorTable[i] = *(__IO uint32_t*)(APPLICATION_ADDRESS4 + (i<<2)); }
   * i( l! O; g# T( u
8. /* Enable the SYSCFG peripheral clock*/
   
9. __HAL_RCC_SYSCFG_CLK_ENABLE(); //使能 SYSCFG 外设
   ) r# f2 J4 L! v( L
10. __HAL_SYSCFG_REMAPMEMORY_SRAM();//将内部 SRAM 映射到 0x00000000 地址
    

复制代码

8 M. p* F# A5 \) v9 B8 k7 @8 D* \& L
3 S. O2 [9 w6 F 。。。。。。 后面为用户功能代码。。。。。。
5 l, Y+ f6 l2 M) k, a$ p
# _9 g9 ^' |0 o! Y$ F# S: d8 Y上面代码中绿色语句就是实现中断矢量表从内部 flash 到内部 RAM 的拷贝，而红色语句则是为了实现将程序执行的 0 地址域的重映射，即将程序运行的 0 地址从内部 flash 的0x8000000 通过重映射机制切换到 0x20000000，为的是在 APP1 区发生中断时 CPU 能从正确的地方准确获取相应中断矢量地址去执行中断服务程序。

  d, v- y6 B3 d  {到此，从 BOOT 区跳转到 APP1 区就算完成了。
/ k' E6 o1 O6 }: N
! q9 z. x6 F3 c, V$ b' k" |) ^从【APP 区】调转到新【APP 区】

9 @( l9 H0 l( N  Z! |4 U" G那么，如果想从 APP1 区跳转到另外 APP2 代码区呢？这个跟从 BOOT 区跳转到 APP1 区类似。在 APP1 区的跳转代码这里就不说了，地址给对、代码写对就好。APP2 区的代码也同样必须做中断矢量表的拷贝和 0 地址域的重映射。但因为在 APP1 代码里已经做过了 0 地址的重映射，所以就不必重复做了。
9 B# `2 x9 C2 b$ I
6 d0 u0 h+ v: `5 N8 a$ F: ^假定 APP2 代码区的内部 flash 空间安排在为 0x8008000—0x800C000。则 MDK 里 memory布局配置如下：

3 N, G1 L9 C; }1 h8 y
1 N) l3 ?7 B5 K8 E5 X
从【APP 区】跳转到【BOOT 区】

有时我们还希望或需要程序能从 APP 区跳回用户 BOOT 区，那如何操作呢？对于 STM32F0芯片而言，程序执行区从 APP 区跳回 BOOT 区跟从 BOOT 区跳到 APP 区还不太一样，经常有人在这个跳转过程中卡壳，对于跳得出而跳不回感到难以理解。

假设从 APP2 区跳回 BOOT 区，在 APP2 区做跳转准备时除了给定正确的跳转地址外，另一个要做的就是将之前通过重映射将 0 地址程序空间从内部 SRAM 切换回内部 flash 区。实际应用中，我们往往因为忽视了这点，跳回去后一碰到中断就问题来了。另外，从 APP
区跳回 BOOT 区无须矢量表的拷贝操作。所以在 APP2 区执行跳转前需将 0 地址重映射回内部 flash 空间,通过运行如下库代码完成：
+ E9 l" ~: d1 \) I
: G2 e% W7 U8 [) n% O0 b__HAL_SYSCFG_REMAPMEMORY_FLASH();
0 t9 E1 N8 R2 [  W; m
几点重要经验总结
! k. ^( ?+ q$ ?1 T' ~/ v9 m* b( Z
通过以上几种不同情况下操作过程的描述，我们可以知道，想要避免 STM32F0 在代码调转中出错，应该遵循以下几条关键的经验：
7 ]9 P5 \! b' R2 m& _
+ Y7 U" }/ J+ Z; T4 `2 K 从【BOOT 区】跳转到【APP 区】，在【APP 区】要做中断矢量表的拷贝和将 0 地址从内部 flash 切换到内部 SRAM 起始地址。

 从【APP 区】跳转到其它新的【APP 区】，只需在新的【APP 区】的代码里再做中断矢量表的拷贝，并保证相关存储配置的正确。

8 ?" {+ l  p$ O8 ? 从【APP 区】跳回【BOOT 区】，该过程无矢量表的拷贝，只需将 0 地址执行域重新映射回内部flash 区。

5 X+ A* h! O) J* g" b* l6 C 不论从什么区跳往什么区，跳转前禁用当前用户打开过的所有中断使能、确保无未处理的中断请求存在或在跳转过程中发生中断。

- e" x: v9 u6 S 以上操作流程主要针对基于 COMTEX M0 内核的 STM32F0 系列芯片。

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, u7 k; h1 g/ k- _+ y
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) p! C8 I4 K3 }. m* b. p
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