从结构上来分析，如果是程序的擦写操作是需要整个区域的擦除。只能从FLASH的电气上进行分析，P2576的电容是否可以导致ST的频繁复位？或者电气参数的影响。我之前遇到过其他的厂家可能是由于频繁的掉电复位导致部分的FLASH内容错误后，而不能正常工作。

还有是否考虑测试过升级操作，升级时导致前八个字节没有写入。

你好，我们产品由一个控制器和两个传感器组成，控制器与两个传感器之间通过CAN网络连接。

控制器上CAN的收发芯片的电源通过P2576提供的5V进行供电。

现出现如下现象，由于控制器上的P2576的滤波大电容虚焊，客户端的产品在经过约270个小时的老化等一些列环境试验后滤波电容脱落，系统自检异常并报错。客户更换控制器后发现还是自检异常，因此怀疑传感器也一起损坏了，并将传感器寄回我方分析。

传感器的主控MCU使用的STM32F405，经过分析发现STM32F405的代码被部分修改了。如下图所示

这个结果使我们很困惑，按照STM32 FLASH的操作步骤来说，如果是程序中误将FLASH的数据修改，那也应该是先将整个扇区的数据擦除，不会出现只修改部分数据的情况。

1.如果没有写入~~不是应该时0xFFFFFFFF吗？

2.被修改的时IAP（首地址：0x8000000）程序，软件通过该程序更新APP（首地址：0x8008000）程序。

3.控制器的电源（P2576)和传感器的电源是分开，P2576电容虚焊只会导致CAN网络上的CANH CANL的电平不正常。

如果是这样就需要考虑一下是不是进行过升级操作，应用程序的升级是操作后面。是否有考虑过boot程序也被升级了？理论上分析，FLASH被修改的可能性比较小。如果是电气参数影响的，应该是在频繁掉电的情况下。

有一种特殊情况，那就是复位不充分时，导致芯片未达到最低电压时开始工作，会有概率导致这样的异常。 同样原因，少数封装的F4有PDR_ON引脚，没有正确连接，也会在频繁上下电时会发生这种情况。 产品频繁上下电是一种极端情况，会对电源和复位有更高的要求。硬件设计时也需要考虑是否存在这种情况。

上面的极端情况~设置FLASH扇区的写保护功能有改善的可能吗？

hc 发表于 2022-3-25 18:00
上面的极端情况~设置FLASH扇区的写保护功能有改善的可能吗？

理论上应该不可能。复位不充分时，电压都没有到最低正常电压，这时候所有的状态都是不正常的，也就是芯片的各种功能都没有保障，不能期待它的正常，只能通过硬件方式来解决这样的问题。