前言
本参考手册面向应用开发人员，提供有关使用 STM32L0x3 微控制器存储器与外设的完整信息。
STM32L0x3 构成一个微控制器系列，各产品具有不同的存储器大小、封装和外设。
有关订购信息以及器件的机械与电气特性，请参见相应的数据手册。
有关 ARM® Cortex®-M0+ 内核的信息，请参见Cortex®-M0+技术参考手册。


1 文档约定
1.1 寄存器相关缩写词列表
寄存器说明中使用以下缩写词：



1.2 词汇表
本节简要介绍本文档中所用首字母缩略词和缩写词的定义：




1.3 外设可用性
有关各型号产品的外设可用性及数量信息，请参见特殊器件数据手册。

1.4 产品类别定义
表 1 概括介绍了存储器容量和产品线。
当前参考手册介绍了每个产品线特性的超集，有关每个类别的特性列表，请参见表 2。








2 系统和存储器概述
2.1 系统架构
主系统包括：
 两个主器件：
– Cortex®-M0+内核（AHB-lite 总线）
– GP-DMA，通用微控制器
 三个从器件：
– 内部 SRAM
– 内部非易失性存储器
– AHB到APB，连接所有APB外设
这些外设使用多层 AHB 总线架构互连，如图 1 所示。





2.1.1 S0：Cortex® 总线
此总线用于将 Cortex®-M0+ 内核的 DCode/ICode 总线连接到总线矩阵。内核会使用此总线获取指令、获取数据以及访问 AHB/APB 资源。

2.1.2 S1：DMA 总线
此总线用于将 DMA 的 AHB 主接口连接到总线矩阵，而总线矩阵管理着不同主器件对 Flash和 EEPPROM、SRAM 以及 AHB/APB 外设的访问。


2.1.3 总线矩阵
总线矩阵用于主控总线之间的访问仲裁管理。仲裁采用循环调度算法。总线矩阵由两个主器件（CPU、DMA）和三个从器件（NVM 接口、SRAM、AHB2APB1/2 总线桥）构成。

AHB/APB 总线桥
AHB/APB 总线桥可在 AHB 与 2 条 APB 总线之间实现完全同步的连接。APB1 和 APB2 的最大工作频率高达 32 MHz。
有关连接到此总线桥的外设的地址映射，请参见第 57 页的第 2.2.2节：存储器映射和寄存器边界地址。
每次芯片复位后，所有外设时钟都被关闭（SRAM 和 MIF 除外）。使用外设前，必须在RCC_AHBENR、RCC_APB2ENR、RCC_APB1ENR 或 RCC_IOPENR 寄存器中使能其时钟。

注： 对 APB 寄存器执行 16 位或 8 位访问时，该访问将转换为 32 位访问：总线桥将 16 位或 8 位数据复制后提供给 32 位向量。

2.2 存储器组织结构
2.2.1 简介
程序存储器、数据存储器、寄存器和 I/O 端口排列在同一个线性（即地址连续）的 4 GB 地址空间内。
各字节按小端格式在存储器中编码。字中编号最低的字节被视为该字的最低有效字节，而编号最高的字节被视为最高有效字节。
可寻址的存储空间分为 8 个主要块，每个块为 512 MB。




未分配给片上存储器和外设的所有存储区域均视为“保留区”。有关可用存储器和寄存器区域的详细映射，请参见存储器映射和寄存器边界地址和外设章节。

2.2.2 存储器映射和寄存器边界地址
有关综合存储器映射图，请参见相应器件的数据手册。
下表给出了器件中可用外设的边界地址。











2.3 嵌入式 SRAM
STM32L0x3器件的静态 SRAM 高达 20 KB。
此 RAM 可按字节、半字（16 位）或全字（32 位）访问。此存储器可以最大系统时钟频率进行寻址，无等待状态，因此可由 CPU 和 DMA 访问。
SRAM 起始地址为 0x2000 0000。
若通过启动引脚或 MEM_MODE 选择物理重映射，CPU 可从地址 0x0000 0000 访问 SRAM（参见第 10.2.1 节：SYSCFG 存储器重映射寄存器 (SYSCFG_CFGR1)）。

2.4 自举配置
在 STM32L0x3 中，可通过 BOOT0 引脚以及用户选项字节中的启动配置位选择三种不同的启动模式，如下表所示。




复位后，在 SYSCLK 的第四个上升沿锁存启动模式配置。用户可以通过设置 nBOOT1 和BOOT0 引脚来选择需要的启动模式。
退出待机模式后，还可以对启动模式配置进行重新采样。因此不得在待机模式下修改启动模式配置。该启动延迟结束后，CPU 将从地址 0x0000 0000 获取栈顶值，然后从始于 0x00000004 的启动存储器开始执行代码。
根据所选的启动模式，Flash 程序存储器、系统存储器或 SRAM 可通过以下方式进行访问：
 从 Flash 程序存储器启动：Flash 程序存储器在启动存储空间 (0x0000 0000) 中有别名，但也可从它原来的存储空间 (0x0800 0000) 访问。换句话说，Flash 存储器内容可从地址 0x0000 0000 或 0x0800 0000 开始访问。
 从系统存储器启动：系统存储器在启动存储空间 (0x0000 0000) 中有别名，但也可从它原来的存储空间 (0x1FF0 0000) 访问。
 从嵌入式 SRAM 启动：SRAM 在启动存储空间 (0x0000 0000) 中有别名，但也可从它原来的存储空间 (0x2000 0000) 访问。

存储区交换（仅限第 5 类器件）
对于具有两个存储区的器件，存储区交换机制允许 CPU 指向启动存储空间 (0x00000000) 中的存储区 1 或存储区 2。Flash 程序和数据 EEPROM 地址会更改（参见表 8：UFB = 0 时的 NVM 构成（128 KB 第 5 类器件）、表 10：UFB = 0 时的 NVM 构成（64 KB第 5 类器件））。

物理重映射
选择了启动引脚和启动位后，应用程序软件可修改代码区域中可访问的存储器。这种修改是通过对 SYSCFG 存储器重映射寄存器 (SYSCFG_CFGR1) 中的 MEM_MODE 位进行编程实现的。

内部自举程序
嵌入式启动加载器位于系统存储器中，由 ST 在生产阶段编程。它用于通过以下串行接口重
新编程 Flash：
 对于第 3 类器件：USART1、USART2、SPI1 或 SPI2。
 对于配有 USB 接口的第 5 类器件：USART1、USART2 或 USB。
 对于没有 USB 接口的第 5 类器件：USART1、USART2、SPI1、SPI2、I2C1 或 I2C2。
关于启动加载器串行接口对应的 I/O 的详细信息，请参见器件数据表。
更多关于 STM32 启动加载器的详细信息，请参见 AN2606。



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