Stm32H7XX GCC下分散加载实现

[复制链接]

STMCU小助手发布时间：2022-12-28 17:00

文章
文章封面:
文章简介:	Stm32H7XX GCC下分散加载实现

Stm32H7XX GCC下分散加载实现
STM32H750XBHT这块单片机，里面有五块内存区：

TCM 区
速度： 400MHz。
DTCM 地址： 0x2000 0000，大小 128KB。
ITCM 地址： 0x0000 0000，大小 64KB。
k8 F" }8 w5 \9 v
AXI SRAM 区
位于 D1 域，数据带宽是 64bit，挂在 AXI 总线上。除了 D3 域中的 BDMB
主控不能访问，其它都可以访问此 RAM 区。
速度： 200MHz。
地址： 0x2400 0000，大小 512KB。
用途：用途不限，可以用于用户应用数据存储或者 LCD 显存。

SRAM1， SRAM2 和 SRAM3 区，这三块都位于D2区
位于 D2 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上。除了 D3 域中的 BDMB
主控不能访问这三块 SRAM，其它都可以访问这几个 RAM 区。
速度： 200MHz。
SRAM1：地址 0x3000 0000，大小 128KB，用途不限，可用于 D2 域中的 DMA
缓冲，也可以当D1 域断电后用于运行程序代码。
SRAM2：地址 0x3002 0000，大小 128KB，用途不限，可用于 D2 域中的 DMA
缓冲，也可以用于用户数据存取。
SRAM3：地址 0x3004 0000，大小 32KB，用途不限，主要用于以太网和 USB 的缓冲。

SRAM4 区
位于 D3 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能访这块 SRAM 区。
速度： 200MHz。
地址： 0x3800 0000，大小 64KB。
用途：用途不限，可以用于 D3 域中的 DMA 缓冲，也可以当 D1 和 D2 域进入 DStandby
待机方式后，继续保存用户数据。
. O' v( t2 E& S4 G b
Backup SRAM 区
备份 RAM 区，位于 D3 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能
访问这块 SRAM区。
速度： 200MHz。
地址： 0x3880 0000，大小 4KB。
用途：用途不限，主要用于系统进入低功耗模式后，继续保存数据（Vbat 引脚外接电池）。

既然有这么多快内存区域，那么我们在使用gnu环境下应该怎么使用各块区域的内存呢？
这里就要使用“分散加载法”。

打开STM32H7的链接脚本：

MEMORY& o" x$ s0 `, _0 n2 d: e
{2 s' M& O0 ~7 Z+ Z, j& m, x
DTCMRAM (xrw) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 128K7 V( D' ~! y' S4 n
ITCMRAM (xrw) : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 64K6 x9 Z- X0 x) M+ r" s5 f
RAM_D1 (xrw) : ORIGIN = 0x24000000, LENGTH = 512K
2 x) K' I( L9 [2 g# K* N
RAM_D2 (xrw) : ORIGIN = 0x30000000, LENGTH = 288K$ B g$ ~- Y6 m% l/ M5 m: |& n
RAM_D3 (xrw) : ORIGIN = 0x38000000, LENGTH = 64K% O& a4 E& j( K- X0 |/ M4 Z
FLASH (rx) : ORIGIN = 0x8000000, LENGTH = 128K% y$ Z+ j; z& O8 l7 B8 g7 X
}
* I0 \* u, p8 r7 m& P- S( |2 R& z$ Y

复制代码

链接脚本中已经给我们定义好了各个内存区块，可以看到跟我们前面介绍的是一样的。
那么怎么使用呢？
先抛出一个问题，我们之前在写stm32代码的时候，定义的全局变量会保存在哪里？
答案是全局区，那这个全局区到底在哪？
链接脚本会告诉我们：

/* Initialized data sections into "RAM_D1" Ram type memory */
/ b1 P8 N4 M& t( x1 A
.data : 4 c' [. i% e+ B$ w8 S7 \3 i/ c
{- I1 G# Q' L2 ^5 R" v
. = ALIGN(4);' k4 ?5 Q- f# d7 ~1 T! h
_sdata = .; /* create a global symbol at data start */ u' M7 K8 ~2 R: x4 l7 ^
*(.data) /* .data sections */
" Q- v& L$ U: T$ @
*(.data*) /* .data* sections */$ Z8 x+ t Y" _
( C) @% o' f6 n+ K5 \4 V
. = ALIGN(4);' ^# D5 P% u! W6 t- y4 h" E2 {
_edata = .; /* define a global symbol at data end */3 N2 y# u: I i
1 [- D4 _' q# Z3 G8 v! B/ W0 y
} >RAM_D1 AT> FLASH
0 ?- K8 s1 h2 W0 w% A% Y0 ^6 c

复制代码

可以看到我们定义的全局变量会保存在RAM_D1区域。
所以我们要将这些内存区域定义成相关的sectin。加到ld文件中
写法如下：

/*************************************************************************************************; b0 L9 l* ]3 ] v7 {
** DEFINE DTCMRAM RAM_D2 RAM_D3- B. h% x7 q7 S, I" w5 c i# P/ S
** WE CAN USE THESE RAM LIKE THIS:6 k* T2 H1 |/ O* G. c
** uint8_t mpudata[128] __attribute__((section(".dtcmram")));* M/ ~/ Z' S" n1 x" O
*************************************************************************************************/
7 |+ R. G$ f6 [( w W
.dtcmram :! @9 j4 D# D* I I1 l4 g
{
: ?& k' Y0 ^1 p3 G& h7 g7 _
. = ALIGN(4);
3 `+ u( b( W$ I; w
*(.data) /* .data sections */* O- `* t+ ?( ~- R; c& g& m
*(.data*) /* .data* sections *// I- E3 s# t6 |% j4 q" x, P9 [9 T
. = ALIGN(4);
8 z! @, K- T1 e7 x* p% v
} >DTCMRAM AT> FLASH2 G3 S9 H/ f/ J0 J( Q
* X2 j" B" M! m8 {+ _$ V; e/ W! q
.ramd2 :& r& k Z; x3 V! T$ J+ U
{# ~1 K# m: r6 P2 D- s8 Z5 H
. = ALIGN(4);' h% d: |, M1 b( k
*(.data) /* .data sections */; u c$ T, S+ z- J% e* s" \% ?; p& s
*(.data*) /* .data* sections */
2 j- G. N) a" u: J5 y
. = ALIGN(4);% ]5 Z; \* Y$ q9 W' ?
} >RAM_D2 AT> FLASH- C+ A, z2 S+ x" i
4 i3 T8 O( W- M3 W9 z5 h* y
.ramd3 :8 t. [. H! c1 T9 }% l( D* n7 s, O
{
! I* L7 Q+ @( ?; {& p5 e
. = ALIGN(4);9 |% O9 h2 Y2 W$ P
*(.data) /* .data sections *// K1 u8 C. m' J/ R9 a
*(.data*) /* .data* sections */9 h. W, ^3 i/ W0 Y B( ?
. = ALIGN(4);
7 M% c# B% n) W! M' W/ ^
} >RAM_D3 AT> FLASH' x1 J; b1 R8 x# ^* ]