最近用Cortex-M0内核的STM32F030K6T6做个东西,需要做IAP升级,发现它的中断向量与M3、M4等内核的单片机不太一样,这里分享给大家。0 a% U5 t- |1 p6 { # q! m' F/ Y. l- f5 ` IAP升级需要一个BootLoader程序,一个应用程序。BootLoader程序直接烧写到flash起始地址就行,中断向量也不用改。但是应用程序需要烧写到BootLoader程序后面,且中断向量必须重新映射。M3、M4等内核的单片机,直接修改中断向量的偏移地址(VECT_TAB_OFFSET)就行。但在M0内核的库中,根本就没有这个定义。查阅相关资料发现,M0内核的中断向量需要用户自己从Flash映射到RAM中,即0x20000000地址。- J: ~$ G" P# I9 Q* R - W" o( Z4 b: h, r 实际操作也很简单,在程序开始加上这两句话:8 I+ C9 A3 f5 O8 r% H
其中0x20000000是SRAM的地址,IAP_ADDR是应用程序的起始地址,0xB4是中断向量表的大小。具体多大可以在startup.s文件里计算得到。以下以startup_stm32f030.s为例作说明:" i. P# O: c4 @# Y 1 O4 R1 K% `3 g" r 可以看到,中断向量从29行开始到75行结束(中间空2行),一共45个,每个占4字节,一共180字节,即0xB4。( _* I6 `% ^ e5 O 由于SRAM开始的180字节被用作中断向量映射了,所以用户程序就不能在使用这里了,需要在编译器中把这部分空出来,设置如下。空出大于0xB4的空间就行,这里设置的是0xC0。 . E `0 p, P: d1 |6 q' o! k! f 4 X$ {3 h0 W1 u" b2 a5 [0 ? 转载自:[url=]电子产品世界[/url] ' \7 d$ |' @: L% d, @ 8 b; Q2 Q: M% w. ]0 w; n1 o: o |
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