最近用Cortex-M0内核的STM32F030K6T6做个东西，需要做IAP升级，发现它的中断向量与M3、M4等内核的单片机不太一样，这里分享给大家。

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IAP升级需要一个BootLoader程序，一个应用程序。BootLoader程序直接烧写到flash起始地址就行，中断向量也不用改。但是应用程序需要烧写到BootLoader程序后面，且中断向量必须重新映射。
8 v: Y6 ]! F1 M: h5 p& dM3、M4等内核的单片机，直接修改中断向量的偏移地址（VECT_TAB_OFFSET）就行。但在M0内核的库中，根本就没有这个定义。查阅相关资料发现，M0内核的中断向量需要用户自己从Flash映射到RAM中，即0x20000000地址。
9 O% t2 X, N6 j0 T1 [1 X
实际操作也很简单，在程序开始加上这两句话：
- E1 j  O  [! o

1. #define IAP_ADDR                 ((uint32_t)0x08002800)
   1 @# X7 \5 S& n7 ?  I
2. 
   . S* _$ i. c' `- n  Y7 y- v8 Z% @
3. memcpy((void*)0x20000000,(void*)IAP_ADDR,0xB4);
   
4. __HAL_SYSCFG_REMAPMEMORY_SRAM();

复制代码

+ S/ Z, u* o8 J, Y0 o其中0x20000000是SRAM的地址，IAP_ADDR是应用程序的起始地址，0xB4是中断向量表的大小。具体多大可以在startup.s文件里计算得到。以下以startup_stm32f030.s为例作说明：
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% S; A6 g7 |: C" E可以看到，中断向量从29行开始到75行结束（中间空2行），一共45个，每个占4字节，一共180字节，即0xB4。
& ]1 x6 |  b8 R! @1 Q+ d由于SRAM开始的180字节被用作中断向量映射了，所以用户程序就不能在使用这里了，需要在编译器中把这部分空出来，设置如下。空出大于0xB4的空间就行，这里设置的是0xC0。

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这样，STM32F0系列Cortex-M0内核芯片中断向量表重映射的问题就解决了。
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  h9 N, }: h% ^0 B" p9 @2 r转载自：[url=]电子产品世界[/url]
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