本文测试 L051 flash的读写，用来处理以后应用中的掉电数据保存。

1、STM32L051内部存储模块地址范围

开始找到F103的FLASH图复习了一遍，然后L051C8T6,64KB的flash，  然后我惊奇的发现还有2KB的EEPROM。发现L051系列的地址与F103完全不同，F103的flash每页的长度有1KB（小容量<=64KB）和2KB（大容量128KB起）查看各种资料， 查了2个小时， 还是不知道L051的flash 每页长度是 128Byte 还是256Byte？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？还是请教了一下大佬，发现直接在J-Flash中可以找到答案，先上个F103的图：

, G+ }- I7 H7 U  Q( ?+ `

然后来看个L051的图：图中64KB 的flash 和2KB的EEPROM都能都明显的看出地址，flash 512页，每页128bytes，EEPROM只有4页，每页512bytes.知道了基本的地址，就可以操作起来了。

最后还需要确定的一点事，最小擦除单元是128bytes，还是256bytes，按以前的认知，删除是按照一个Sector擦除的，也就是128bytes，但是我查看了一些网上的例子和资料，有的是说256bytes，所以后面需要自己确定一下

其实在HAL库的 stm32l0xx_hal_flash.h 文件中有过 FLASH_PAGE_SIZE    的定义，就是128bytes       ：

1. #define FLASH_SIZE                (uint32_t)((*((uint32_t *)FLASHSIZE_BASE)&0xFFFF) * 1024U)
   $ y' _# n; ^9 c- I& D
2. #define FLASH_PAGE_SIZE           ((uint32_t)128U)  /*!< FLASH Page Size in bytes */

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* f. s( a* x, `: e. Z4 m& ]

对于flash的操作，有一些基础知识补充一下：

Read interface organized by word, half-word or byte in every area • Programming in the Flash memory performed by word or half-page • Programming in the Option bytes area performed by word • Programming in the data EEPROM performed by word, half-word or byte • Erase operation performed by page (in Flash memory, data EEPROM and Option bytes)

STM32L051写Flash必须字，读 字节、半字、字都支持。（这句话也是错误的，这是以前哪里看到的，实际测试写可以根据字，半字，字节来写）

一些基本概念：定义字是根据处理器的特性决定的。首先ARM是32bit处理器，所以它的字是32bit的。半字自然就是16bit；字节不论在哪个CPU上都是8bit。1 Byte = 8 bits（即 1B=8b） 1 KB = 1024 Bytes Bit意为“位”或“比特”，是计算机运算的基础，属于二进制的范畴；Byte意为“字节”，是计算机文件大小的基本计算单位；

- q! w8 s; H6 c2、读写函数的设计

HAL库中肯定是有对flash和EEPROM进行操作的函数，我们这里新建一个stml0_flash.c 和stml0_flash.h 函数分别放在对应位置，进行自己的函数设计。库中Flash与EEPROM的函数看样子是分别放在 stm32l0xx_hal_flash.c 和 stm32l0xx_hal_flash_ex.c 中的，我们先使用EEPROM，因为提供EEPROM，就是让用户可以保存一些掉电后的数据的嘛，测试完EEPROM，再去测试下flash，因为怕有时候数据不够放……

2.1 读取函数

1. //读取指定地址的半字(16位数据)
   , L9 c' j3 d# R! E9 B6 W
2. uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address)
   $ p9 R/ |- E+ G: k; y
3. {
   
4.   return *(__IO uint16_t*)address;
   ) p* c# m$ B# D$ t5 b
5. }
   7 e, q( N) y7 H6 ]  i# |
6. 
   
7. //读取指定地址的全字(32位数据)
   
8. uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address)
   
9. {
   
10.   return *(__IO uint32_t*)address;
    
11. }

复制代码

; H! L2 p) s& h% R- b
4 _9 B/ q; J( R7 c

简单测试一下：

1. u32 read_data1=0XFFFFFFFF;
   7 Y( h6 g, Z  {
2. u32 read_data2=0XFFFFFFFF;
   
3. ...
   
4. read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
   : E. p' a# z- P  X# }
5. printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
     Y% b5 l( t- _7 N
6. read_data2 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR + EEPROM_PAGE_SIZE);
   ( Z/ q: y- ^/ o5 Z1 w. t, E1 @( L
7. printf("the EEPROM sceond page test data is: 0x %x \r\n",read_data2);

复制代码

; _: j' o1 f- |6 V. E4 X" y

没有写入数据读取的值应该都是0。

2.2   EEPROM写函数

对EEPROM的写函数：stm32l0xx_hal_flash_ex.h中函数如下：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(void);
   / g% s' u% @) a" r
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(void);
   
3. 
   
4. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address);
   
5. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);

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通过函数看来，可以直接用，但是这里有一个问题

需要测试一下，擦除是否会擦除整个扇区，有待验证！！

答：EEPROM的擦除可以直接擦除某个地址的字，不会擦除整个片区

EEPROM的操作相对Flash，比较简单，直接使用HAL库中的函数即可完成

1. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   1 N) s0 U- k0 H5 A: h, ~0 U
2. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
   
3. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   
4. ...
   6 U* x+ j: G; v7 f
5. if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
   ) }5 ]. f6 ?3 I4 t7 m3 r* Q
6.         printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
   
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   - a& v8 l: n# q
8.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(DATA_EEPROM_START_ADDR+4);
   
9.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   6 M/ p% K( N- Z: s
10.         HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
    9 {2 j0 I9 L7 N# O, z* ^6 w& R8 b* k# u2 Q
11.     }
    + M' r$ i8 v) f! H' y; ]1 O
12. ...
    : j6 @  G" L# M$ n& L8 N6 G1 @
13. if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    
14.         printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");
    & Z( g0 r7 K% l1 S
15.         read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
    
16.         printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
17.     }

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按照上面的例子，擦除DATA_EEPROM_START_ADDR+4的地址不会影响DATA_EEPROM_START_ADDR地址的开始写入的数据 写入一样，如果不在意以前的数据，直接写入就可以。 总结来说EEPROM的使用还是很好用而且简单的。而且EEPROM是可以按照字节，半字，全字写入的，测试了一下，是右对齐

右对齐什么意思呢，打个比方就是如果在地址 addr 中，本来写入全字 0x12345678 然后直接在EEPROM 的 addr 这个地址，写入半字 0xFFFF， 再读取全字的话，addr 地址的全字就变成了 0x1234FFFF  ，这个具体的为什么在地址写入半字，不会直接从地址开始占用2个字节，是因为地址的类型为 uint32_t ，所以该地址就是 4个字节类型的数。

写入问题说明修改

2021/11/23 修改说明 上面一段的解释有误，这里修改一下，不是因为地址类型为uint32_t，地址类型永远是这个，是因为定义的数据类型为uint32_t ，然后STM32又是小端模式，所以保存的方式是从地址的最后开始保存，4个字节的全字，第一个字节放在地址开始+4 的位置，第二个字节放在地址开始+3的位置，所以如果调用HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);关键在于FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD以全字方式写入半字，那么内核会自动分配4个字节的宽度，半字的第一个字节放在写入地址+4 的位置，第二个字节放在写入地址+3的位置，所以导致了上面的结果

1.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   , _+ i4 i; U  C1 b' u
2.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, DATA_EEPROM_START_ADDR, 0X88);
   * C4 U8 V7 Z  Q+ N
3.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   1 Q: _$ l% u! c8 I
4.   read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
     I' l0 a$ B9 J$ l% E( n3 y3 D
5.   printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);

复制代码

* x" v1 n' Y5 s6 j

最后在 stml0_flash.h 中把函数完善声明一下，使得主函数中的程序更加简洁。

1. void MY_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)   
   
2. {
   
3. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();        
   , U3 Q* p. D, t+ c/ T4 E
4.     HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(TypeProgram, Address, Data);
   
5. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   5 h3 a9 k$ D: }
6. }

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0 Z* `$ N) J( S. m& u

那么L051 的EEPROM的测试就到这里，其实有EEPROM，在项目中的保存数据的功能就问题不大了，但是我们既然开始了，就把L051 Flash的读写也测试一下。

2.3   Flash写函数

Flash的读取其实和EEPROM一样，主要是写函数，来看一下stm32l0xx_hal_flash.h 中有哪些函数

1. /* IO operation functions *****************************************************/
   
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
   
3. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program_IT(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
   
4. 
   
5. /* FLASH IRQ handler function */
   
6. void       HAL_FLASH_IRQHandler(void);
   5 V- V( D1 ?! c  [+ J; S3 D8 b
7. /* Callbacks in non blocking modes */
   $ Q% I. k; X* o( B; O5 T9 S# j4 B) t
8. void       HAL_FLASH_EndOfOperationCallback(uint32_t ReturnValue);
   
9. void       HAL_FLASH_OperationErrorCallback(uint32_t ReturnValue);
   7 [6 }- L% {$ D. k
10. 
    
11. /**
    
12.   * @}
    
13.   */
    
14. 
    ) c5 f) k* t5 b# x& O$ E
15. /** @addtogroup FLASH_Exported_Functions_Group2
    2 P: M$ R" C: B7 V  D& X
16.   * @{
    
17.   */
    . |2 A; i% X) D
18. /* Peripheral Control functions ***********************************************/
    
19. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
    ; W5 S3 M. M( J/ f/ f
20. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);
    
21. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Unlock(void);
    % u$ o3 j* q! W1 E8 A) q
22. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Lock(void);
    
23. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Launch(void);

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7 ~1 o+ \+ m: C! D

有点忙，Flash的后面再也，看了几个demo，只需要做几个测试就可以；

2021.8.5  今天有空来接着测试一下L051  Flash的读写，看了下HAL_FLASH_Program函数：

; O+ g# X- E% r* ]7 U

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)
   
2. {
   ) A# {* b: Q; I& [1 g
3.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_ERROR;
   - K% V5 F- `( n% k; m
4.   
   ! ?4 ~2 c: H" }# g* y) S7 k
5.   /* Process Locked */
   2 q! r5 Q+ p+ c9 ~2 O  l
6.   __HAL_LOCK(&pFlash);
   $ a) m. G; d% J- x
7. 
   7 q* w% r0 U/ f. `
8.   /* Check the parameters */
   % g. O* P4 b& t9 ]: e
9.   assert_param(IS_FLASH_TYPEPROGRAM(TypeProgram));
   % w) o; d! K5 Q. Z
10.   assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));
    
11. 
    
12.   /* Wait for last operation to be completed */
    
13.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    ' H& Q2 \5 Z# |
14.   
    # C* P! ?. n& b
15.   if(status == HAL_OK)
    . @- }: x1 i9 n/ Z/ h2 U+ m" d
16.   {
    
17.     /* Clean the error context */
    ' K, l/ J9 y6 I7 p
18.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    6 W8 I3 v7 n8 r& J* Q$ g- k0 G1 J
19. 
    
20.     /*Program word (32-bit) at a specified address.*/
    7 T2 ~% @7 i( U, D  N  k0 e
21.     *(__IO uint32_t *)Address = Data;
    7 \) e9 K' N4 [* P
22. 
    
23.     /* Wait for last operation to be completed */
    
24.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    7 b+ w# n8 x9 a! |6 y/ F
25.   }
    
26. 
    
27.   /* Process Unlocked */
    
28.   __HAL_UNLOCK(&pFlash);
    2 Z. Y7 H& g" K( i( }9 O1 \/ q( p
29. 
    4 S, w; F& s' Q. B
30.   return status;
    ' c" N: |; |) O# a4 u
31. }
    + T& |6 q. X! i7 R$ _

复制代码

- ~" s7 c! \" T& \( E$ ]

这里也再次说明了，L051的写必须以字的方式写入。

不管了，先测试一下，不擦除直接写入，这里先定义一下写入的地址，前面我们已经知道了L051 flash一共 512页，每页128bytes，所以我们直接拿最后面的几页来测试

1. #define ADDR_FLASH_PAGE_505      0X08000000 + 128*504   //
   * P4 s  q. V! t% g
2. #define ADDR_FLASH_PAGE_506      0X08000000 + 128*505   //
   5 ?1 d+ v, ]5 Q7 z
3. #define ADDR_FLASH_PAGE_507      0X08000000 + 128*506   //
   
4. #define ADDR_FLASH_PAGE_508      0X08000000 + 128*507   //
   
5. #define ADDR_FLASH_PAGE_509      0X08000000 + 128*508   //
   
6. #define ADDR_FLASH_PAGE_510      0X08000000 + 128*509   //
   
7. #define ADDR_FLASH_PAGE_511      0X08000000 + 128*510   //
   5 y! k' B- o  H, u6 L2 `2 |
8. #define ADDR_FLASH_PAGE_512      0X08000000 + 128*511   //最后一页

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开始先不擦除，直接在最后一页写入一个字读取一下试试，整理一下写入函数：

1. void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data)   
   
2. {
   
3. HAL_FLASH_Unlock();        
   8 i( \0 H! V7 {6 Z: B
4.   if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
   
5.     printf("write data 0x%x OK\n", Data);
   
6.   }
   . g$ d' }, z$ X$ a, c
7.   else{
   
8.     printf("failed!!!\n");
   
9.   }
   
10. HAL_FLASH_Lock();
    9 {0 Q& e+ w8 R" T0 O4 r+ l  L
11. }

复制代码

测试一下；

1.   MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_512,write_data2);
   9 y  x3 x% `5 f& E
2.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_512);
   
3.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_512 is: 0x %x \r\n",read_data1);

复制代码

在没有写入flash之前，该地址读出来的数据为0，写入后读出来是正常写入的数据这里有个疑问，按理来说，flash存储器有个特点，就是只能写0，不能写1，所以flash的写入，比需先擦除，或者至少检查一下该数据区是否可以写入，但是L051 怎么初始的时候读出来是0？ 难道L051的有区别，需要测试一下

先在一个地址写0XFFFFFFFF ，然后写完了再写一次别的数据看看能否直接写入，结果是写入了0XFFFFFFFF ，不能继续直接写数据，说明，估计L051是相反的，这里具体是不是我只看测试结果，结论的话我自己知道就可以应用，希望有权威大神指正。

这里我们得用到一个关键的函数 ，这个函数是在stm32l0xx_hal_flash_ex.c 这个文件中的，是flash的擦除函数：HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

所以这里我们知道了以后，可以优化一下写入函数，我们项目中用到的是可以直接对某个地址的写入，然后也不需要保存，此页其他的数据，所以我们把函数改成如下：

1. void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data)   
   1 m- h( }( a6 G/ F( \
2. {
   
3.   FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
   8 R) \8 T. U4 A9 I7 U
4.   uint32_t checkdata;
   + s0 Y( ]; R3 n9 E
5.   uint32_t PAGEError = 0;
   ; r! }4 _3 h6 [
6.   checkdata = FLASH_ReadWord(Address);
   
7. HAL_FLASH_Unlock();
   & c, s8 p# |' i  k; a9 h' ?
8.   /*如果是0，直接写*/
   5 J1 {5 {" R* D( H8 W  D
9.   if(checkdata == 0){      
   
10.     if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
    * B3 |+ W0 c, A, B+ X  [
11.       printf("write data 0x%x OK\n", Data);
    
12.     }
    
13.     else{
    
14.       printf("failed!!!\n");
    ! Y: B- y# g$ H) q! }
15.     }
    % y* @  ^' g& }' B$ w1 F
16.   }
    ' ^$ x* N2 e$ e3 Y2 E0 o+ a
17.   /*否则擦除再写*/
    
18.   else{
    3 @) l6 \2 d8 P, f* O! e# `
19.      __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
    
20. 
    
21.       EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // 刷除方式
    & H% {- k( j$ l
22.    EraseInitStruct.PageAddress = Address; // 起始地址
    
23.       EraseInitStruct.NbPages = 1;
    
24. 
    
25.       if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK)
    
26.       {
    5 \1 w. X) i) f" Q" F
27.         // 如果刷除错误
    
28.         printf("\r\n FLASH Erase Fail\r\n");
    
29.         printf("Fail Code:%d\r\n",HAL_FLASH_GetError());
    4 z, R# z0 \% O& N* \6 {
30.         printf("Fail Page:%d\r\n",PAGEError);
    7 x% E$ ?2 n+ o8 C1 _5 C9 [
31.       }
    
32. 
    
33.       if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
    * B/ R" A$ V& a! N" y3 U; I9 v: N
34.       printf("write data 0x%x OK\n", Data);
      P  H5 Z4 j4 T5 D# u. ]# d- c4 Q
35.       }
    5 H8 p' H0 l7 ], ^
36.       else{
    4 P# v  _, O' l. i; L  H( E! z
37.         printf("failed!!!\n");
    
38.       }
    
39. 
    
40.   }
    
41. HAL_FLASH_Lock();
    
42. }

复制代码

自己修改了一个函数， 改成这样以后，就能直接在想写入的地方写入数据了，到这里，flash足够我项目中的使用了。但是还有最后一个疑问，就是擦除的一页到底是不是128bytes我来验证一下。

1. u32 write_data1 = 0X12345678;
   * S# L5 r1 {8 P- H1 ?' S; p
2. u32 write_data2 = 0X87654321;
   % }; j% R8 E, ]7 F, U1 R
3. u32 write_data3 = 0XFFFFFFFF;
   ( g. }; j( F6 p% H
4. 
   , C( x  e! V6 q4 m9 {6 c
5. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124,0X508508FF);
   ! |3 G  y7 y* Y- X/ e. w
6. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,write_data3);
   
7. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+4,write_data2);
   % i# n: Z; ~! P5 |0 o
8. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+8,write_data1);
   
9. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_510,0X510510FF);
   
10. 
    ( y' c; B9 v1 {- |7 K+ ^
11. read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);
    
12. printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);
    # c' {3 \; l/ N. c1 z
13.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);
    
14.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    + R! i" j1 h3 \* u" {
15.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);
    / ]- r# ^3 h& M7 @$ p: t" y7 b
16.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    & I8 `. O4 T$ E9 F* s
17.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);
    
18.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
19.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);
    
20.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
21. 
    
22. if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    
23.         printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");
    
24.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);
    
25.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
26.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);
    # B3 e) s2 n4 P" i& w- C
27.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    % W" @/ G, Z" Z6 R$ b1 h0 P
28.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);
    
29.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
30.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);
    
31.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
32.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);
    - \6 n9 x1 U% {
33.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);
    & U0 t) k3 U! x& X
34. 
    
35.     }
    7 d+ {7 O; [1 O% c; C# U% {
36. if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    , o0 }% u% Y$ q+ h
37.         // printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
    
38.         // MY_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
    
39.         printf(" K1 150ms button!,flash write test\r\n");
    
40.         MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,0X33333333);
    ) s0 f& U5 P- [. ^" I
41.         HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
    . M, G! l: H4 x+ U7 I
42.     }

复制代码

因为地址位置如果有数据的话会擦除一页再写入，所以我们看了一下508页最后一个地址，和510页的第一个地址数据，对509页的数据进行了操作，结果发现不会改变508 和510的数据，509页的数据会全部清除!

" l2 R- Q. ]# [6 [

所以得出的结论显而易见，flash擦除按照一页一页擦除， 在L051上面一页为128bytes，而且擦除后数据全部为 0；

2.4 读写EEPROM的后续问题

最近有一个项目，因为缺货 STM32L051R系列缺货，买了 STM32L071RBT6 替代：

% n( W5 p/ P6 z6 X

看了一下地址，其实我们上面所有的测试代码基本都是可以直接用的，代码直接用STM32L051的代码也是可以的，实际项目中，还是使用EEPROM比较方便，所以在使用EEPROM的时候，发现了一个问题（并不是换了芯片的问题），还是数据读取和写入的问题。

9 m5 o+ _5 [& j7 |* G4 i# T2.4.1 问题的出现和解决

下面程序的硬件平台是 STM32L071RBT6，首先在程序中，有一个写ID的函数：

3 {- N" i/ E& D. d+ C% r

写入IO是通过字节的方式 byte  写入的，写了6个字节（蓝牙设备的ID）。

然后最初读取的函数用的是：

使用这个读ID的函数，问题就出来了。上图代码中，我读取ID使用的是半字读取，处理方式是把读到的半字前面8位给ID1， 后面8位给ID2， 但是测试中发现 数据读出来与想要的相反，什么意思呢，看下面的测试说明：

上电打印出EEPROM中读取的一个地址的，每个ID（每个ID是uint8_t类型）的数据，在代码开始定义了测试数据：

1. BlueID_STRUCT test;
   " }9 S  A; _4 S# V
2. ...
   8 b1 \$ ?/ h9 i
3. /*
   ! K+ d" ~3 L- P$ g2 v9 z; y' J5 Y! [
4. CHBlueID_STRUCT Flash_PowerOn_BlueCheck()
   
5. {
   
6. 
   $ s7 b; c: N7 L6 D+ S+ Z
7. CHBlueID_STRUCT PowerOn_ID;
   3 R8 ?6 s& _! O, L
8. PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_blueIDRead(CH1_ID_ADDR);
   
9. PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_blueIDRead(CH2_ID_ADDR);
   * Q) B7 z' J2 J5 O, U5 ^
10. PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_blueIDRead(CH3_ID_ADDR);
    9 V; X9 T1 v6 @  \) G( t# t  k
11. PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_blueIDRead(CH4_ID_ADDR);
    
12. PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_blueIDRead(CH5_ID_ADDR);
    
13. PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_blueIDRead(CH6_ID_ADDR);
    ( }) U# z% G$ b  t* |/ E
14. PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_blueIDRead(CH7_ID_ADDR);
    $ V' T$ P- h2 h: a" x$ r
15. PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_blueIDRead(CH8_ID_ADDR);
      E6 C3 s/ u+ E- M7 ]
16. PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_blueIDRead(CH9_ID_ADDR);
    
17. PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_blueIDRead(CH10_ID_ADDR);
    
18. 
    ) ]/ ?4 r: t8 |3 o: u, {
19. return PowerOn_ID;
    
20. }
    
21. */
    # n( S. w9 o( h. `# W, P, _
22. BlueChipID = Flash_PowerOn_BlueCheck(); //上电先把ID读出来做比较
    3 V" G4 ]7 n/ }" i: M" G
23. //打印一个出来测试，看结果
    " p( m% Z1 U7 f7 j
24. printf("BlueChipID.CH1ID is 0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x\r\n",BlueChipID.CH1ID.ID1,BlueChipID.CH1ID.ID2,BlueChipID.CH1ID.ID3,BlueChipID.CH1ID.ID4,BlueChipID.CH1ID.ID5,BlueChipID.CH1ID.ID6);
    , |" F" u. z% P3 s, p
25. 
    8 T' Z7 G. Y  ~1 X' q) }: D% _; D
26. test.ID1= 0XFF; //结构体每个元素是 uint8_t 类型
    
27. test.ID2= 0XEE;
    
28. test.ID3= 0XDD;
    
29. test.ID4= 0XCC;
    5 y3 }7 X' O) k  _: w- u
30. test.ID5= 0XBB;
    $ D" j+ H4 n( {  m1 O
31. test.ID6= 0XAA;
    3 ]: _" v5 i7 }) N) r- q- ^
32. 
    2 r% |) E, i' ?6 ?
33. while (1){...}

复制代码

- h" ^0 z' s2 ?' S2 i

在程序中通过操作，写入测试数据，调用上面提到过的写ID的函数，写ID的函数是每个字节每个字节写的：

按我们希望的结果来说，读出来按照顺序打印，应该是：0xff,0xee,0xdd,0xcc,0xbb,0xaa 。测试实际上是：

为了确实是读的问题还是写的问题，添加了读字节的函数：

2 b8 ]8 G+ Z8 X9 w- w  [! C" C

( W8 D& n* G3 p! U9 r/ n

8 j- V( P6 z, ^( y0 d3 r3 ?0 x

打印的结果：

: c( ?$ W% B( D- v5 D

说明确实是ID的读取函数出的问题，是因为使用的半字读取，问题处理不麻烦，我们把读取函数修改一下：

1. BlueID_STRUCT FLASH_blueIDRead(uint32_t address)
   8 m# T* D6 U8 B$ q  q! ]
2. {
   * @8 W; l+ `9 R/ \. v; h" Z
3. BlueID_STRUCT u48id;
   5 X, _, N* h" [. x  O
4.   // uint16_t temp1,temp2,temp3;  /**(__IO uint16_t*)address; */
   
5.   // temp1=*(__IO uint16_t*)address;
   
6. // u48id.ID1 = (uint8_t)(temp1>>8);
   9 K' x. [2 ?: G0 h$ L
7. // u48id.ID2 = (uint8_t)(temp1&0X00FF);
   
8.   // temp2=*(__IO uint16_t*)(address+2);
   8 _( T! [. S, k8 C) k" K  m8 |8 O: j8 P! K
9. // u48id.ID3 = (uint8_t)(temp2>>8);
   
10. // u48id.ID4 = (uint8_t)(temp2&0X00FF);
      ~0 I! O; f) N- q8 q3 n1 ]
11. // temp3=*(__IO uint16_t*)(address+4);
    
12. // u48id.ID5 = (uint8_t)(temp3>>8);
    
13. // u48id.ID6 = (uint8_t)(temp3&0X00FF);
    
14. 
      T. T1 ^7 m: g, K6 x, {8 G0 z% H
15.   u48id.ID1 =  FLASH_Readbyte(address);
    
16.   u48id.ID2 =  FLASH_Readbyte(address+1);
    ) j' p  f+ M, e9 R
17.   u48id.ID3 =  FLASH_Readbyte(address+2);
    # z  G; `, W( ?; J' P* A( j) [' C
18.   u48id.ID4 =  FLASH_Readbyte(address+3);
    $ g) g; v$ K2 d8 d9 G& l
19.   u48id.ID5 =  FLASH_Readbyte(address+4);
    
20.   u48id.ID6 =  FLASH_Readbyte(address+5);
    + y& U( O/ z4 t
21. 
    
22.   return u48id;
    
23. }

复制代码

7 t. S6 A% f/ a9 q

测试结果才正常了，如下图：

- f& z4 c% E2 p

2.4.2 问题的分析（大小端模式数据格式）

出现上面的问题，其实是和我们经常说的大端模式和小端模式有关的。

STM32使用的是小端模式，简单介绍一下大端模式小端模式数据存放的方式，如下图：

# G3 }7 Q* N& q! [4 ^% R

知道上面的知识，我们在开始的读取函数中是直接读取的半字(__IO uint16_t*)address; ，但是我们写入的时候是一个字节一个字节写入，上面的例子所以我们内存中的数据实际上如下图所示：

- l- X, ~1 T# j& N$ X

使用(__IO uint16_t*)address; 去读取，读取出来的数值一个uint16_t类型的数值：

假设是 a，a=*(__IO uint16_t*)addr; 会有 a = 0xEEFF; 所以高8位变成了 0xEE。OK！解释清楚！问题解决！

至此，我们基本上把STM32L051 的EEPROM 和Flash 功能都测试过了，把工程中需要用到的功能做了测试，也学到了一些新的知识，还是实践出结论啊，当初没有自己测试之前看了网上的有关类似的介绍，还是很多误解，这下全部清晰了。

2.4.3 STM32L071RBT6 EEPROM读写全字问题
读问题的出现

前面其实测试过，读取全字是可以的，直接使用return *(__IO uint32_t*)address;：便可以读到该地址的全字：

1. uint32_t  FLASH_ReadWord(uint32_t address)
   
2. {
   
3.   return *(__IO uint32_t*)address;
   
4. }

复制代码

所以在后面使用过程中，有这么一个函数：

: U. D( v8 Y! }$ `

一开始还真的不知道哪里出了问题？折腾了好一阵才发现调用函数读取ID时就会卡死。

问题的解决：

因为还有另外一个蓝牙版本的产品，如果是蓝牙设备的ID，因为蓝牙设备的ID是6位的，所以当时读取蓝牙的ID的时候使用的是（蓝牙版本是没问题的）：

! E" C  N% ?! N' _

* A9 x+ t8 r) Z# v% Y% D6 A

其实折腾了好一会儿，后来想着蓝牙是读一个字节，要不要试着把 全字 分为 4个字节，单独读取试一试？

于是学蓝牙把程序分为4个字节读取：

! C, H8 p6 l1 w

代码也放一下，方便复制：

1. u32 FLASH_ReadEnoceanID(uint32_t address)
   
2. {
   
3.   u32 keepid;
   ; O; y& i- `! c( L: }" J
4.   u8 i;
   
5.   keepid = FLASH_Readbyte(address);
   * g2 c6 V" C( p3 y
6.   i = FLASH_Readbyte(address + 1);
     z, f8 ]) h& Z. N7 B  P0 ^+ P
7.   keepid = (i<<8)|keepid;
   / j% W0 P; p7 d& [. z. S* a
8.   i = FLASH_Readbyte(address + 2);
   / @& l; ]) j+ L# b2 F
9.   keepid = (i<<16)|keepid;
   
10.   i = FLASH_Readbyte(address + 3);
    7 S+ i2 B6 v  n! z6 l/ h
11.   keepid = (i<<24)|keepid;
    ! U+ Y  ^0 _% h: [
12.   return keepid;
    
13. }
    1 R; m- l$ R+ E, Z* C8 k6 R
14. 
    9 R" e$ t: d' p0 H+ n
15. CHID_STRUCT Flash_PowerOn_Check()
    , X2 z! N: C9 I  O- S( ?
16. {
    1 `4 N8 f! d9 M% I1 J+ s% u5 o
17. 
    
18. CHID_STRUCT PowerOn_ID;
    
19. PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH1_ID_ADDR);
    1 c3 x- _8 Z( Z+ y
20. PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH2_ID_ADDR);
    
21. PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH3_ID_ADDR);
    5 K1 R4 v9 H: f% [) u
22. PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH4_ID_ADDR);
    
23. PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH5_ID_ADDR);
    
24. PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH6_ID_ADDR);
    : X- P* U9 j- }9 Y# F9 O* w
25. PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH7_ID_ADDR);
    
26. PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH8_ID_ADDR);
    
27. PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH9_ID_ADDR);
    
28. PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH10_ID_ADDR);
    $ w. i& E+ W0 ~+ A: I' c
29. 
    
30. return PowerOn_ID;
    0 Y, L6 ]; ~3 ?5 g) h& d( T' t! R! h
31. }

复制代码

5 f. E7 n4 j) s# A

测试一下，发现就好了，至于原因，目前还不知道为什么……（最后问题解决有说明，内存字节对齐问题）

8 Y3 @5 E/ G7 v& a+ B  L. Y6 B写问题的出现

本来以为解决了上面问题OK了，可是后面测试的时候发现写的时候也有问题：

一直用的写全字函数为：

1. FLASH_Status  FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   ; }$ o- h: i2 E! \2 D, ]
2. {
   
3. 
   # c) Z# f' X3 V# H
4. FLASH_Status i = FLASH_COMPLETE;
   
5. 
   
6. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();  
   : ^' p8 ^% H* [# L! E5 e. _- q$ G
7.   while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, Address, Data) != HAL_OK);
   
8. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   3 `1 J  y; D8 E- m
9. 
   
10. return i;
    & }1 b9 B* E5 C+ o5 Q3 _' a, w9 i
11. }

复制代码

; e( [0 W" S' I. R, ^

在程序中会调用此函数进行 ID 保存：

/ f, D1 R7 |0 I, p. |

' n' i! N! R' M: ^5 |. a6 N

但是使用时候发现：

* t7 l  T7 v& F! g( v: g6 t

问题的解决：

其实这个问题也莫名其妙，真是说不出来为什么，估计是得详细的查看数据手册，但是还是 因为 在蓝牙的版本上面没有此类问题：

; n- [8 @! l+ f$ `7 `8 z

所以这里还是尝试改成 以 字节 方式写入：

1. FLASH_Status  FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   
2. {
   ( M) b! O0 k% l* w
3. 
   
4.   FLASH_Status state = FLASH_COMPLETE;
   ) h" U) N4 ?4 a2 d( Q1 b  I6 b
5.   u8 i = 0;
   . }+ |% g/ r& o7 }1 ?
6.   u8 writedata[6]={0};
   
7. 
   1 [5 U" F2 d& X4 ]; h
8.   writedata[0] = (u8)Data;
   - ]9 `% g) p/ `. ^- i& D
9.   writedata[1] = (u8)(Data>>8);
   4 S5 C, d" K, }6 }
10.   writedata[2] = (u8)(Data>>16);
    3 J8 S# t7 H# M5 }3 g( i
11.   writedata[3] = (u8)(Data>>24);
    
12. 
    . [, [1 o) m+ n$ Q6 M
13. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();  
    
14.   for(i=0; i<4; i++){
    
15.     while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, Address + i, writedata[i]) != HAL_OK);
    
16.   }
    4 V) u8 d" P$ U4 r* O
17. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    9 [! c, B& I. i  w  K6 A
18. 
    ) y* r/ o, m7 C# X
19. return state;
    
20. }

复制代码

使用此种方式写入，就不会出现问题！

其实也可以尝试修改地址，使得成为 4 的倍数，可能也不会出问题，这里就不测试了（最后问题解决有还是测试了，内存字节对齐问题）

2.4.3小结使用的芯片为  STM32L071RBT6

最后问题的解决

先直接说结论，就是EEPROM地址定义的问题，应该是4字节对齐（4的整数倍），读取全字的操作才能正常！

上面 STM32L071RBT6 EEPROM 读写全字问题的关键在于，存储地址的定义上，如上面一张图所示：（我在EEPROM区域定义了10个地址，用来存放无线设备的ID数据，如果是蓝牙芯片，那么ID为6个字节，如果是Enocean芯片，那么ID为4个字节，为了保持代码的统一，我在使用保存4个字节的ID数据的地址定义时候沿用的是蓝牙的 EEPROM区域定义）

/ k, V! y6 `4 J, P' j  ^( ]  k( W( @. o

那么正如我图中猜想的一样，蓝牙的 ID 6个字节，我是都是通过一个字节一个字节操作，组合起来进行的，所以一切正常。但是对于 4个字节的 ID ，期初是用的 全字的方式，就出问题了，换成一个字节一个字节的操作，看上去是解决问题了。

但是实际上多了一些隐藏问题，暂时也说不清楚，在产品使用的时候，读写ID还是会有莫名其妙的问题，最终还是对当初的这个猜想，地址是不是也需要4字节对齐？进行了修改测试，于是乎，对于 4 个字节 ID的处理，地址改成：

% k5 y7 A  k$ l/ I8 [+ y* q

) G) O+ Q& V' x4 }+ {% a

把地址修改成 4  的倍数以后，上面的读取全字的两个函数便可以正常使用，而不会出上面莫名其妙的问题。