本文测试 L051 flash的读写，用来处理以后应用中的掉电数据保存。

1、STM32L051内部存储模块地址范围

开始找到F103的FLASH图复习了一遍，然后L051C8T6,64KB的flash，  然后我惊奇的发现还有2KB的EEPROM。发现L051系列的地址与F103完全不同，F103的flash每页的长度有1KB（小容量<=64KB）和2KB（大容量128KB起）查看各种资料， 查了2个小时， 还是不知道L051的flash 每页长度是 128Byte 还是256Byte？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？还是请教了一下大佬，发现直接在J-Flash中可以找到答案，先上个F103的图：

+ C% W" ]: Z& B1 T

然后来看个L051的图：图中64KB 的flash 和2KB的EEPROM都能都明显的看出地址，flash 512页，每页128bytes，EEPROM只有4页，每页512bytes.知道了基本的地址，就可以操作起来了。

最后还需要确定的一点事，最小擦除单元是128bytes，还是256bytes，按以前的认知，删除是按照一个Sector擦除的，也就是128bytes，但是我查看了一些网上的例子和资料，有的是说256bytes，所以后面需要自己确定一下

其实在HAL库的 stm32l0xx_hal_flash.h 文件中有过 FLASH_PAGE_SIZE    的定义，就是128bytes       ：

. A( }* k0 I5 M& Y& Y# Z, p

1. #define FLASH_SIZE                (uint32_t)((*((uint32_t *)FLASHSIZE_BASE)&0xFFFF) * 1024U)
   : i3 ^# ?% n  K3 I. J
2. #define FLASH_PAGE_SIZE           ((uint32_t)128U)  /*!< FLASH Page Size in bytes */

复制代码

对于flash的操作，有一些基础知识补充一下：

Read interface organized by word, half-word or byte in every area • Programming in the Flash memory performed by word or half-page • Programming in the Option bytes area performed by word • Programming in the data EEPROM performed by word, half-word or byte • Erase operation performed by page (in Flash memory, data EEPROM and Option bytes)

STM32L051写Flash必须字，读 字节、半字、字都支持。（这句话也是错误的，这是以前哪里看到的，实际测试写可以根据字，半字，字节来写）

一些基本概念：定义字是根据处理器的特性决定的。首先ARM是32bit处理器，所以它的字是32bit的。半字自然就是16bit；字节不论在哪个CPU上都是8bit。1 Byte = 8 bits（即 1B=8b） 1 KB = 1024 Bytes Bit意为“位”或“比特”，是计算机运算的基础，属于二进制的范畴；Byte意为“字节”，是计算机文件大小的基本计算单位；

2、读写函数的设计

HAL库中肯定是有对flash和EEPROM进行操作的函数，我们这里新建一个stml0_flash.c 和stml0_flash.h 函数分别放在对应位置，进行自己的函数设计。库中Flash与EEPROM的函数看样子是分别放在 stm32l0xx_hal_flash.c 和 stm32l0xx_hal_flash_ex.c 中的，我们先使用EEPROM，因为提供EEPROM，就是让用户可以保存一些掉电后的数据的嘛，测试完EEPROM，再去测试下flash，因为怕有时候数据不够放……

1 d6 U+ t$ G6 Y1 o2.1 读取函数

1. //读取指定地址的半字(16位数据)
   ; @" c9 [( p+ j+ o( s
2. uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address)
   ' }6 ]) P, Q' w0 M& f! j
3. {
   
4.   return *(__IO uint16_t*)address;
   
5. }
   
6. 
   
7. //读取指定地址的全字(32位数据)
   5 z& n2 Q, Y: s( b8 _* x
8. uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address)
   
9. {
   
10.   return *(__IO uint32_t*)address;
    : _. M/ H" ?7 Y, _& r/ a7 \
11. }

复制代码

) ?8 C% v) z* W+ k4 x
& f; r' p# ?  O% M; q

简单测试一下：

1. u32 read_data1=0XFFFFFFFF;
   
2. u32 read_data2=0XFFFFFFFF;
   
3. ...
   - ~; m% i; |# j& W) r
4. read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
   
5. printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
   
6. read_data2 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR + EEPROM_PAGE_SIZE);
   ' r( C" L/ G& R! o  [8 s
7. printf("the EEPROM sceond page test data is: 0x %x \r\n",read_data2);

复制代码

没有写入数据读取的值应该都是0。

& m% o& L% y2 y9 n' N2.2   EEPROM写函数

对EEPROM的写函数：stm32l0xx_hal_flash_ex.h中函数如下：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(void);
   
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(void);
   
3. 
   6 s) n( S$ j7 _( j
4. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address);
   
5. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);

复制代码

/ b; l: j9 y( J3 t

通过函数看来，可以直接用，但是这里有一个问题

需要测试一下，擦除是否会擦除整个扇区，有待验证！！

答：EEPROM的擦除可以直接擦除某个地址的字，不会擦除整个片区

EEPROM的操作相对Flash，比较简单，直接使用HAL库中的函数即可完成

1. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   * ~8 p, s5 h& `8 \
2. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
   
3. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   ) J+ A1 }0 U, L  s# S2 [) U
4. ...
   & i! O" j# M9 X6 W( a( }
5. if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
   
6.         printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
   + R! v" h  A# h' R1 E: I
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
     c/ I4 ^# A$ V( ]9 Z7 |
8.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(DATA_EEPROM_START_ADDR+4);
   # ]3 h3 S3 L8 p3 n, u) y( t
9.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   7 c) m2 i( e' Q0 U; g
10.         HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
    
11.     }
    
12. ...
    3 V* q% Y0 U! ^" V8 J! I3 ~
13. if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    
14.         printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");
    5 n1 V+ G9 o' c9 V: C# C  G9 \. F5 |
15.         read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
    
16.         printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
17.     }

复制代码

按照上面的例子，擦除DATA_EEPROM_START_ADDR+4的地址不会影响DATA_EEPROM_START_ADDR地址的开始写入的数据 写入一样，如果不在意以前的数据，直接写入就可以。 总结来说EEPROM的使用还是很好用而且简单的。而且EEPROM是可以按照字节，半字，全字写入的，测试了一下，是右对齐

右对齐什么意思呢，打个比方就是如果在地址 addr 中，本来写入全字 0x12345678 然后直接在EEPROM 的 addr 这个地址，写入半字 0xFFFF， 再读取全字的话，addr 地址的全字就变成了 0x1234FFFF  ，这个具体的为什么在地址写入半字，不会直接从地址开始占用2个字节，是因为地址的类型为 uint32_t ，所以该地址就是 4个字节类型的数。

4 Y4 k  ?% q3 y写入问题说明修改

2021/11/23 修改说明 上面一段的解释有误，这里修改一下，不是因为地址类型为uint32_t，地址类型永远是这个，是因为定义的数据类型为uint32_t ，然后STM32又是小端模式，所以保存的方式是从地址的最后开始保存，4个字节的全字，第一个字节放在地址开始+4 的位置，第二个字节放在地址开始+3的位置，所以如果调用HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);关键在于FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD以全字方式写入半字，那么内核会自动分配4个字节的宽度，半字的第一个字节放在写入地址+4 的位置，第二个字节放在写入地址+3的位置，所以导致了上面的结果

1.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   9 o0 D( N3 |2 U4 L$ n& {
2.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, DATA_EEPROM_START_ADDR, 0X88);
   
3.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
     a. X5 v$ g' p* b
4.   read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
   
5.   printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);

复制代码

最后在 stml0_flash.h 中把函数完善声明一下，使得主函数中的程序更加简洁。

1. void MY_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)   
   
2. {
   
3. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();        
   * z4 E2 [; }2 \
4.     HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(TypeProgram, Address, Data);
     v  ~& g% X1 g* o: ^
5. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   5 I: b$ k$ S7 A- r1 Z
6. }

复制代码

4 d+ c) }- N4 T/ k* Z

那么L051 的EEPROM的测试就到这里，其实有EEPROM，在项目中的保存数据的功能就问题不大了，但是我们既然开始了，就把L051 Flash的读写也测试一下。

2.3   Flash写函数

Flash的读取其实和EEPROM一样，主要是写函数，来看一下stm32l0xx_hal_flash.h 中有哪些函数

1. /* IO operation functions *****************************************************/
   
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
   . k( e2 d  a0 G
3. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program_IT(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
   9 l0 y9 b) A# u
4. 
   8 I" C; w+ l; X9 Z& U+ i* t: H. c
5. /* FLASH IRQ handler function */
   / G7 X1 M$ a: ^; ~% L  W- F
6. void       HAL_FLASH_IRQHandler(void);
   
7. /* Callbacks in non blocking modes */
   6 G* c( W2 @6 X8 U+ l3 x
8. void       HAL_FLASH_EndOfOperationCallback(uint32_t ReturnValue);
   * I" l" `3 P8 l
9. void       HAL_FLASH_OperationErrorCallback(uint32_t ReturnValue);
   
10. 
    
11. /**
    ) J0 Y0 p7 D6 G' k- O! C$ m- f
12.   * @}
    * v" Z1 z) \" {4 l) p
13.   */
    ( l8 q3 ~( U- z1 P* e% I
14. 
    8 _, I; Q( h5 F
15. /** @addtogroup FLASH_Exported_Functions_Group2
    * p! a2 T9 |* f& }( L" }
16.   * @{
    $ a, K% y: v  w4 b. ?3 a
17.   */
    / p: r, }* e3 _8 Y0 l0 m
18. /* Peripheral Control functions ***********************************************/
    
19. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
    . p6 D) W. }; O; N
20. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);
    
21. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Unlock(void);
    
22. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Lock(void);
    % ~4 r3 H$ r1 l: K9 C4 S1 a1 g
23. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Launch(void);

复制代码

有点忙，Flash的后面再也，看了几个demo，只需要做几个测试就可以；

% T3 R$ I, }, d) b

2021.8.5  今天有空来接着测试一下L051  Flash的读写，看了下HAL_FLASH_Program函数：

$ b# h. p9 C) I. r

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)
   
2. {
   & k9 d0 S( w5 A" L6 a
3.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_ERROR;
   
4.   
   
5.   /* Process Locked */
   " M- _) |) B1 k5 q' |
6.   __HAL_LOCK(&pFlash);
   
7. 
   
8.   /* Check the parameters */
   ( d3 D7 }- q% w  @$ z
9.   assert_param(IS_FLASH_TYPEPROGRAM(TypeProgram));
   / Q9 d) S7 N# F6 ], b# M
10.   assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));
    ) v* D( C. I0 ?2 S$ D7 G
11. 
    
12.   /* Wait for last operation to be completed */
    3 _5 f( y& U: a9 F1 ]+ u
13.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
14.   
    
15.   if(status == HAL_OK)
    
16.   {
    
17.     /* Clean the error context */
    
18.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    
19. 
    
20.     /*Program word (32-bit) at a specified address.*/
    
21.     *(__IO uint32_t *)Address = Data;
    
22. 
    
23.     /* Wait for last operation to be completed */
    2 n7 c5 J3 m  D
24.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
      ?- ]% ?& i% ?3 [4 B1 r
25.   }
    - F- Y; Y" j$ c: s# _
26. 
    + J" f8 j( y0 ~/ i) W" {
27.   /* Process Unlocked */
    7 l% V+ N2 s$ J# ^: \/ Z
28.   __HAL_UNLOCK(&pFlash);
    
29. 
    
30.   return status;
    # r8 z3 [9 C4 y  ^8 _' M+ h; i
31. }
    ( f- N  e5 W/ D# \4 M5 U& R1 Z

复制代码

这里也再次说明了，L051的写必须以字的方式写入。

不管了，先测试一下，不擦除直接写入，这里先定义一下写入的地址，前面我们已经知道了L051 flash一共 512页，每页128bytes，所以我们直接拿最后面的几页来测试

1. #define ADDR_FLASH_PAGE_505      0X08000000 + 128*504   //
   / v6 i7 T: Y0 V" ?  k, {  L
2. #define ADDR_FLASH_PAGE_506      0X08000000 + 128*505   //
   
3. #define ADDR_FLASH_PAGE_507      0X08000000 + 128*506   //
   
4. #define ADDR_FLASH_PAGE_508      0X08000000 + 128*507   //
   
5. #define ADDR_FLASH_PAGE_509      0X08000000 + 128*508   //
   
6. #define ADDR_FLASH_PAGE_510      0X08000000 + 128*509   //
   : n4 h( W$ t. q; o
7. #define ADDR_FLASH_PAGE_511      0X08000000 + 128*510   //
   
8. #define ADDR_FLASH_PAGE_512      0X08000000 + 128*511   //最后一页

复制代码

开始先不擦除，直接在最后一页写入一个字读取一下试试，整理一下写入函数：

1. void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data)   
   6 W( ]/ n$ {" ?2 _6 Y
2. {
   + }0 z* j7 `8 W. T
3. HAL_FLASH_Unlock();        
   * D; A! X0 u0 J' `/ q
4.   if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
   6 z  r% `- T; R$ ]6 [
5.     printf("write data 0x%x OK\n", Data);
   
6.   }
   : [. D# Q) q* W- _
7.   else{
   6 \1 C0 A! h4 y7 b- {# M  i* K) g1 p
8.     printf("failed!!!\n");
   $ B% O: q3 U- e7 L( d# G
9.   }
   4 b' ]1 z* [& X- V+ O9 ~
10. HAL_FLASH_Lock();
    0 x2 v& l& v" z" d' ~8 A
11. }

复制代码

) c" A+ `& ^* l

测试一下；

1.   MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_512,write_data2);
   
2.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_512);
   
3.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_512 is: 0x %x \r\n",read_data1);

复制代码

在没有写入flash之前，该地址读出来的数据为0，写入后读出来是正常写入的数据这里有个疑问，按理来说，flash存储器有个特点，就是只能写0，不能写1，所以flash的写入，比需先擦除，或者至少检查一下该数据区是否可以写入，但是L051 怎么初始的时候读出来是0？ 难道L051的有区别，需要测试一下

先在一个地址写0XFFFFFFFF ，然后写完了再写一次别的数据看看能否直接写入，结果是写入了0XFFFFFFFF ，不能继续直接写数据，说明，估计L051是相反的，这里具体是不是我只看测试结果，结论的话我自己知道就可以应用，希望有权威大神指正。

这里我们得用到一个关键的函数 ，这个函数是在stm32l0xx_hal_flash_ex.c 这个文件中的，是flash的擦除函数：HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

所以这里我们知道了以后，可以优化一下写入函数，我们项目中用到的是可以直接对某个地址的写入，然后也不需要保存，此页其他的数据，所以我们把函数改成如下：

1. void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data)   
   8 Y2 C+ ^% E4 p' f% u
2. {
   
3.   FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
   
4.   uint32_t checkdata;
   
5.   uint32_t PAGEError = 0;
   
6.   checkdata = FLASH_ReadWord(Address);
   " n, k3 x) _$ A# p' i- [3 y- Q
7. HAL_FLASH_Unlock();
   0 B7 T! X3 `. |) \
8.   /*如果是0，直接写*/
   
9.   if(checkdata == 0){      
   
10.     if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
    
11.       printf("write data 0x%x OK\n", Data);
    $ Z2 ^+ j# l- M0 H# J$ t4 X
12.     }
    
13.     else{
    
14.       printf("failed!!!\n");
    , X' M: O* `& T6 [% q- y
15.     }
    , N9 K3 P( i  m, P" y% X# G
16.   }
    ) O. W$ K* w1 i0 H6 x% Z, u
17.   /*否则擦除再写*/
    
18.   else{
    
19.      __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
    
20. 
    
21.       EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // 刷除方式
    
22.    EraseInitStruct.PageAddress = Address; // 起始地址
    ; ?+ C- M: d+ S. U8 R4 r, c
23.       EraseInitStruct.NbPages = 1;
    ( i7 B! N1 d$ _( {, A
24. 
    3 J: J. {3 w: u7 W2 x5 u$ C
25.       if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK)
    
26.       {
    - \: B: i9 F" k4 W
27.         // 如果刷除错误
    - T5 Z* ^: J: a' b
28.         printf("\r\n FLASH Erase Fail\r\n");
    
29.         printf("Fail Code:%d\r\n",HAL_FLASH_GetError());
    ; C" R2 r+ e5 T0 f0 a( S
30.         printf("Fail Page:%d\r\n",PAGEError);
    
31.       }
    . E" A0 d& |6 o
32. 
    ( L  ?& j  m0 d1 i
33.       if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
    
34.       printf("write data 0x%x OK\n", Data);
    1 x% j. g4 z4 J- L
35.       }
    
36.       else{
    
37.         printf("failed!!!\n");
    ( G( u2 H8 N8 z- w4 {5 Z
38.       }
    
39. 
    
40.   }
    
41. HAL_FLASH_Lock();
    + B7 r. Q  j  m9 x6 p
42. }

复制代码

$ ?8 D: k" b9 T# C

自己修改了一个函数， 改成这样以后，就能直接在想写入的地方写入数据了，到这里，flash足够我项目中的使用了。但是还有最后一个疑问，就是擦除的一页到底是不是128bytes我来验证一下。

1. u32 write_data1 = 0X12345678;
   , f, n8 N; e7 S
2. u32 write_data2 = 0X87654321;
   / J, p: @# x( k9 _+ S* i6 t! x
3. u32 write_data3 = 0XFFFFFFFF;
   
4. 
   $ N8 P6 \1 z9 F) D- h3 L
5. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124,0X508508FF);
   
6. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,write_data3);
   
7. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+4,write_data2);
   : m4 `- r9 G' {: u6 q! I
8. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+8,write_data1);
   
9. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_510,0X510510FF);
   
10. 
    
11. read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);
    / d( q# S% d- H$ Z$ u' k
12. printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);
    . U# x2 b$ r5 [0 M4 J
13.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);
    
14.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    - T; O7 x4 G+ C; M  F
15.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);
    - U2 r1 y  e/ t7 ?
16.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    ! Q; _! B" b& ]2 [( t
17.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);
    + T# R( V7 d: u" b# k# ]
18.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
19.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);
    
20.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
21. 
    
22. if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    
23.         printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");
    
24.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);
    
25.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);
    " D  T1 M+ W0 w9 F
26.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);
    ! Z; ~! c# k5 e" N  p2 ~8 i
27.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    0 z9 |* z; B- K1 O5 C  y3 A$ ?
28.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);
    
29.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    3 W) A3 ~* E# t
30.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);
    & `0 w4 [" l! I2 c
31.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    9 M- U$ m! c' O- m4 ?
32.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);
    
33.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);
    2 ^) T$ [: D1 t& i) G5 h
34. 
    9 E+ ]& [  w+ o3 v8 }
35.     }
    
36. if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    $ ~) A3 }" Y% q& @# I( m
37.         // printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
    
38.         // MY_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
    3 A0 g* X/ i1 S/ c+ Q- h
39.         printf(" K1 150ms button!,flash write test\r\n");
    
40.         MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,0X33333333);
    
41.         HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
    
42.     }

复制代码

0 |( X% i& p  U1 i9 ~$ z( I9 b

因为地址位置如果有数据的话会擦除一页再写入，所以我们看了一下508页最后一个地址，和510页的第一个地址数据，对509页的数据进行了操作，结果发现不会改变508 和510的数据，509页的数据会全部清除!

2 V# r; E* B4 n; {. I

# C: l2 k( v2 O! x4 b6 m  ]

所以得出的结论显而易见，flash擦除按照一页一页擦除， 在L051上面一页为128bytes，而且擦除后数据全部为 0；

2.4 读写EEPROM的后续问题

最近有一个项目，因为缺货 STM32L051R系列缺货，买了 STM32L071RBT6 替代：

/ U" E2 l2 w0 M0 O+ A. q2 I* X

& u. c" }8 a; W: k: ]6 Q6 Z* p

看了一下地址，其实我们上面所有的测试代码基本都是可以直接用的，代码直接用STM32L051的代码也是可以的，实际项目中，还是使用EEPROM比较方便，所以在使用EEPROM的时候，发现了一个问题（并不是换了芯片的问题），还是数据读取和写入的问题。

0 {- O' V1 H8 m+ h  [0 j9 Y/ u" l; [1 t2.4.1 问题的出现和解决

下面程序的硬件平台是 STM32L071RBT6，首先在程序中，有一个写ID的函数：

& [2 [5 p6 m! z9 ]# f- N4 s

写入IO是通过字节的方式 byte  写入的，写了6个字节（蓝牙设备的ID）。

然后最初读取的函数用的是：

使用这个读ID的函数，问题就出来了。上图代码中，我读取ID使用的是半字读取，处理方式是把读到的半字前面8位给ID1， 后面8位给ID2， 但是测试中发现 数据读出来与想要的相反，什么意思呢，看下面的测试说明：

上电打印出EEPROM中读取的一个地址的，每个ID（每个ID是uint8_t类型）的数据，在代码开始定义了测试数据：

1. BlueID_STRUCT test;
   
2. ...
   # X) N/ ^: Q# i8 M9 V& u" m
3. /*
   
4. CHBlueID_STRUCT Flash_PowerOn_BlueCheck()
   
5. {
   7 S$ V, `5 z8 H) C' b. y. [
6. 
   
7. CHBlueID_STRUCT PowerOn_ID;
   - F$ v" e9 p0 J# X# }3 u
8. PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_blueIDRead(CH1_ID_ADDR);
   5 L/ u5 ~- C9 j7 A3 l& V" \1 m4 v  ^
9. PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_blueIDRead(CH2_ID_ADDR);
   
10. PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_blueIDRead(CH3_ID_ADDR);
    
11. PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_blueIDRead(CH4_ID_ADDR);
    
12. PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_blueIDRead(CH5_ID_ADDR);
    6 m* w3 H# O$ u
13. PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_blueIDRead(CH6_ID_ADDR);
    9 {/ L1 G2 ~! K' p% `
14. PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_blueIDRead(CH7_ID_ADDR);
    5 m* s; t1 m2 ^# M: P
15. PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_blueIDRead(CH8_ID_ADDR);
    ! Y, r1 I: B% t: K3 D( K; o& w( N: ~
16. PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_blueIDRead(CH9_ID_ADDR);
    9 q! U6 s) \7 d5 p  z4 r/ l) i
17. PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_blueIDRead(CH10_ID_ADDR);
      q: G: E2 V5 j
18. 
    5 V: H3 l+ K) z% f
19. return PowerOn_ID;
    ( t% l: i1 u. u' m$ {3 R$ a- C# o' {
20. }
    + p+ T2 J! X* D$ s3 R1 T
21. */
      f6 M7 l3 Q9 g# T6 o
22. BlueChipID = Flash_PowerOn_BlueCheck(); //上电先把ID读出来做比较
    9 t/ Z" H6 }6 z( v# M3 W2 r
23. //打印一个出来测试，看结果
    3 z) ]* N4 h, [
24. printf("BlueChipID.CH1ID is 0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x\r\n",BlueChipID.CH1ID.ID1,BlueChipID.CH1ID.ID2,BlueChipID.CH1ID.ID3,BlueChipID.CH1ID.ID4,BlueChipID.CH1ID.ID5,BlueChipID.CH1ID.ID6);
    6 R8 u0 n) R% b
25. 
    
26. test.ID1= 0XFF; //结构体每个元素是 uint8_t 类型
    + [3 T6 e3 s" r! t& j3 {" f: N
27. test.ID2= 0XEE;
    
28. test.ID3= 0XDD;
    
29. test.ID4= 0XCC;
    
30. test.ID5= 0XBB;
    
31. test.ID6= 0XAA;
    . L3 s2 b6 |5 m* T
32. 
    ( I  e+ x# i" N3 e, w2 s. ^
33. while (1){...}

复制代码

在程序中通过操作，写入测试数据，调用上面提到过的写ID的函数，写ID的函数是每个字节每个字节写的：

& W) t2 S2 _2 G5 i) p2 W1 j

按我们希望的结果来说，读出来按照顺序打印，应该是：0xff,0xee,0xdd,0xcc,0xbb,0xaa 。测试实际上是：

) o( I& g6 E. x1 q) G

为了确实是读的问题还是写的问题，添加了读字节的函数：

! P. y$ v+ s) N, Q

1 A3 l) ?( ]( ^+ B1 K9 K- L& h8 c6 R

- Q% o' ~! ~2 v! @

打印的结果：

! j/ z6 `2 c  m% y2 ~

说明确实是ID的读取函数出的问题，是因为使用的半字读取，问题处理不麻烦，我们把读取函数修改一下：

1. BlueID_STRUCT FLASH_blueIDRead(uint32_t address)
   7 X# ^8 o$ Z7 v8 ]
2. {
   
3. BlueID_STRUCT u48id;
   
4.   // uint16_t temp1,temp2,temp3;  /**(__IO uint16_t*)address; */
   
5.   // temp1=*(__IO uint16_t*)address;
     q! a6 {3 _3 Y* w
6. // u48id.ID1 = (uint8_t)(temp1>>8);
   
7. // u48id.ID2 = (uint8_t)(temp1&0X00FF);
   . R; e" i4 T9 t: W
8.   // temp2=*(__IO uint16_t*)(address+2);
   
9. // u48id.ID3 = (uint8_t)(temp2>>8);
   , `' p* f0 O8 ^+ |
10. // u48id.ID4 = (uint8_t)(temp2&0X00FF);
    9 ]; @8 U4 o5 _7 E
11. // temp3=*(__IO uint16_t*)(address+4);
    
12. // u48id.ID5 = (uint8_t)(temp3>>8);
    
13. // u48id.ID6 = (uint8_t)(temp3&0X00FF);
    
14. 
    
15.   u48id.ID1 =  FLASH_Readbyte(address);
    ) h8 P7 z- e9 {! v- K' W
16.   u48id.ID2 =  FLASH_Readbyte(address+1);
    
17.   u48id.ID3 =  FLASH_Readbyte(address+2);
    - b7 ~: t4 Q+ s( ~
18.   u48id.ID4 =  FLASH_Readbyte(address+3);
    ' o9 J: h- R% ]$ U
19.   u48id.ID5 =  FLASH_Readbyte(address+4);
    . v6 X5 ~" h, W2 S! h, G3 e, v' J
20.   u48id.ID6 =  FLASH_Readbyte(address+5);
    
21. 
    & N6 N; R7 q2 e
22.   return u48id;
    8 D7 I5 g* O( H0 c
23. }

复制代码

测试结果才正常了，如下图：

& L" N4 c4 n# E. i

2.4.2 问题的分析（大小端模式数据格式）

出现上面的问题，其实是和我们经常说的大端模式和小端模式有关的。

STM32使用的是小端模式，简单介绍一下大端模式小端模式数据存放的方式，如下图：

! l4 S- |$ h! K* s

知道上面的知识，我们在开始的读取函数中是直接读取的半字(__IO uint16_t*)address; ，但是我们写入的时候是一个字节一个字节写入，上面的例子所以我们内存中的数据实际上如下图所示：

0 n4 e* {8 F( I& ]

使用(__IO uint16_t*)address; 去读取，读取出来的数值一个uint16_t类型的数值：

假设是 a，a=*(__IO uint16_t*)addr; 会有 a = 0xEEFF; 所以高8位变成了 0xEE。OK！解释清楚！问题解决！

至此，我们基本上把STM32L051 的EEPROM 和Flash 功能都测试过了，把工程中需要用到的功能做了测试，也学到了一些新的知识，还是实践出结论啊，当初没有自己测试之前看了网上的有关类似的介绍，还是很多误解，这下全部清晰了。

2.4.3 STM32L071RBT6 EEPROM读写全字问题
/ H; _$ t& V2 u8 x读问题的出现

前面其实测试过，读取全字是可以的，直接使用return *(__IO uint32_t*)address;：便可以读到该地址的全字：

1. uint32_t  FLASH_ReadWord(uint32_t address)
   5 N5 e* t2 l# M; _1 w1 }' |
2. {
   
3.   return *(__IO uint32_t*)address;
   0 E/ z, q* u4 n
4. }

复制代码

所以在后面使用过程中，有这么一个函数：

一开始还真的不知道哪里出了问题？折腾了好一阵才发现调用函数读取ID时就会卡死。

; U& j- u5 X9 O3 _

问题的解决：

因为还有另外一个蓝牙版本的产品，如果是蓝牙设备的ID，因为蓝牙设备的ID是6位的，所以当时读取蓝牙的ID的时候使用的是（蓝牙版本是没问题的）：

其实折腾了好一会儿，后来想着蓝牙是读一个字节，要不要试着把 全字 分为 4个字节，单独读取试一试？

于是学蓝牙把程序分为4个字节读取：

- _4 k/ u/ |, M

3 J! Z' y: T1 P/ Y

代码也放一下，方便复制：

1. u32 FLASH_ReadEnoceanID(uint32_t address)
   
2. {
   ! ]$ n, y, }0 a  b/ T" R% R* u' r
3.   u32 keepid;
   ' F, L& Q; n, Y: R
4.   u8 i;
   
5.   keepid = FLASH_Readbyte(address);
   ( z3 A. }1 q) n" {$ t, Q5 Q
6.   i = FLASH_Readbyte(address + 1);
   
7.   keepid = (i<<8)|keepid;
   & f, ^3 C4 Z5 {
8.   i = FLASH_Readbyte(address + 2);
   
9.   keepid = (i<<16)|keepid;
   
10.   i = FLASH_Readbyte(address + 3);
    4 F: }; |  {' _. |  O6 L- y
11.   keepid = (i<<24)|keepid;
    
12.   return keepid;
    
13. }
    " {; `+ e$ Y' u" ^! c4 f; X9 c2 H
14. 
    , o  W2 L/ l& A9 Q5 d
15. CHID_STRUCT Flash_PowerOn_Check()
    
16. {
    
17. 
    : r+ y  n/ l& E; G/ }
18. CHID_STRUCT PowerOn_ID;
    " V+ i" @& d6 I( Y& S
19. PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH1_ID_ADDR);
    8 q5 i: \* X/ }3 B& C
20. PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH2_ID_ADDR);
      ~5 X) q, g0 M4 d! y5 }) O$ C
21. PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH3_ID_ADDR);
    
22. PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH4_ID_ADDR);
    
23. PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH5_ID_ADDR);
    
24. PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH6_ID_ADDR);
    ' w& a2 d6 k6 o, c
25. PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH7_ID_ADDR);
    
26. PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH8_ID_ADDR);
    
27. PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH9_ID_ADDR);
    
28. PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH10_ID_ADDR);
    ( h7 p8 Z: i5 ^8 r
29. 
      J& z  [- y2 o: G: X/ q! u
30. return PowerOn_ID;
    
31. }

复制代码

, a' n( r/ U! O+ M1 t! P4 H

测试一下，发现就好了，至于原因，目前还不知道为什么……（最后问题解决有说明，内存字节对齐问题）

7 ]  d) W# s; _/ T写问题的出现

本来以为解决了上面问题OK了，可是后面测试的时候发现写的时候也有问题：

一直用的写全字函数为：

1. FLASH_Status  FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   
2. {
   
3. 
   & w: B- U' \3 `) b  K  T
4. FLASH_Status i = FLASH_COMPLETE;
   8 _. z. K9 r* q. M; E/ W3 J
5. 
   * N0 ^/ C5 P7 Q6 I3 m2 W
6. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();  
   ' k  t& p, E  U9 B3 `+ `
7.   while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, Address, Data) != HAL_OK);
   " j- V" E- s9 m' A8 K: A' z+ R
8. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   
9. 
   - t+ ~1 O- y9 c: Q- Q* G
10. return i;
    
11. }

复制代码

在程序中会调用此函数进行 ID 保存：

但是使用时候发现：

& H& \4 v  I  a: h5 c

问题的解决：

其实这个问题也莫名其妙，真是说不出来为什么，估计是得详细的查看数据手册，但是还是 因为 在蓝牙的版本上面没有此类问题：

/ r; c$ a2 O2 \4 h3 I, G' s

所以这里还是尝试改成 以 字节 方式写入：

1. FLASH_Status  FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   
2. {
   7 P3 c) M' d0 |2 A# Z2 B& ~( G
3. 
   
4.   FLASH_Status state = FLASH_COMPLETE;
   
5.   u8 i = 0;
   
6.   u8 writedata[6]={0};
   " o5 m: W/ g& K& N: P8 t
7. 
   
8.   writedata[0] = (u8)Data;
   
9.   writedata[1] = (u8)(Data>>8);
   6 w" K+ ^( Q; x! L6 j
10.   writedata[2] = (u8)(Data>>16);
    
11.   writedata[3] = (u8)(Data>>24);
    7 Q8 T6 t; p& V9 E
12. 
    
13. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();  
    
14.   for(i=0; i<4; i++){
    
15.     while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, Address + i, writedata[i]) != HAL_OK);
    
16.   }
    
17. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    
18. 
    
19. return state;
    
20. }

复制代码

使用此种方式写入，就不会出现问题！

其实也可以尝试修改地址，使得成为 4 的倍数，可能也不会出问题，这里就不测试了（最后问题解决有还是测试了，内存字节对齐问题）

2.4.3小结使用的芯片为  STM32L071RBT6

最后问题的解决

先直接说结论，就是EEPROM地址定义的问题，应该是4字节对齐（4的整数倍），读取全字的操作才能正常！

上面 STM32L071RBT6 EEPROM 读写全字问题的关键在于，存储地址的定义上，如上面一张图所示：（我在EEPROM区域定义了10个地址，用来存放无线设备的ID数据，如果是蓝牙芯片，那么ID为6个字节，如果是Enocean芯片，那么ID为4个字节，为了保持代码的统一，我在使用保存4个字节的ID数据的地址定义时候沿用的是蓝牙的 EEPROM区域定义）

/ `0 U7 t* v# ?5 T( a7 b' U

那么正如我图中猜想的一样，蓝牙的 ID 6个字节，我是都是通过一个字节一个字节操作，组合起来进行的，所以一切正常。但是对于 4个字节的 ID ，期初是用的 全字的方式，就出问题了，换成一个字节一个字节的操作，看上去是解决问题了。

但是实际上多了一些隐藏问题，暂时也说不清楚，在产品使用的时候，读写ID还是会有莫名其妙的问题，最终还是对当初的这个猜想，地址是不是也需要4字节对齐？进行了修改测试，于是乎，对于 4 个字节 ID的处理，地址改成：

, [8 s+ [7 _6 X! D1 Z

把地址修改成 4  的倍数以后，上面的读取全字的两个函数便可以正常使用，而不会出上面莫名其妙的问题。