本文测试 L051 flash的读写，用来处理以后应用中的掉电数据保存。

1、STM32L051内部存储模块地址范围

开始找到F103的FLASH图复习了一遍，然后L051C8T6,64KB的flash，  然后我惊奇的发现还有2KB的EEPROM。发现L051系列的地址与F103完全不同，F103的flash每页的长度有1KB（小容量<=64KB）和2KB（大容量128KB起）查看各种资料， 查了2个小时， 还是不知道L051的flash 每页长度是 128Byte 还是256Byte？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？还是请教了一下大佬，发现直接在J-Flash中可以找到答案，先上个F103的图：

0 |, n2 {, E% w9 x; N* }3 |

然后来看个L051的图：图中64KB 的flash 和2KB的EEPROM都能都明显的看出地址，flash 512页，每页128bytes，EEPROM只有4页，每页512bytes.知道了基本的地址，就可以操作起来了。

最后还需要确定的一点事，最小擦除单元是128bytes，还是256bytes，按以前的认知，删除是按照一个Sector擦除的，也就是128bytes，但是我查看了一些网上的例子和资料，有的是说256bytes，所以后面需要自己确定一下

其实在HAL库的 stm32l0xx_hal_flash.h 文件中有过 FLASH_PAGE_SIZE    的定义，就是128bytes       ：

1. #define FLASH_SIZE                (uint32_t)((*((uint32_t *)FLASHSIZE_BASE)&0xFFFF) * 1024U)
     k' L! n+ \/ o0 O( B
2. #define FLASH_PAGE_SIZE           ((uint32_t)128U)  /*!< FLASH Page Size in bytes */

复制代码

# s  p8 Y* d: j" P0 d5 X9 Q  [. i

对于flash的操作，有一些基础知识补充一下：

Read interface organized by word, half-word or byte in every area • Programming in the Flash memory performed by word or half-page • Programming in the Option bytes area performed by word • Programming in the data EEPROM performed by word, half-word or byte • Erase operation performed by page (in Flash memory, data EEPROM and Option bytes)

STM32L051写Flash必须字，读 字节、半字、字都支持。（这句话也是错误的，这是以前哪里看到的，实际测试写可以根据字，半字，字节来写）

一些基本概念：定义字是根据处理器的特性决定的。首先ARM是32bit处理器，所以它的字是32bit的。半字自然就是16bit；字节不论在哪个CPU上都是8bit。1 Byte = 8 bits（即 1B=8b） 1 KB = 1024 Bytes Bit意为“位”或“比特”，是计算机运算的基础，属于二进制的范畴；Byte意为“字节”，是计算机文件大小的基本计算单位；

2、读写函数的设计

HAL库中肯定是有对flash和EEPROM进行操作的函数，我们这里新建一个stml0_flash.c 和stml0_flash.h 函数分别放在对应位置，进行自己的函数设计。库中Flash与EEPROM的函数看样子是分别放在 stm32l0xx_hal_flash.c 和 stm32l0xx_hal_flash_ex.c 中的，我们先使用EEPROM，因为提供EEPROM，就是让用户可以保存一些掉电后的数据的嘛，测试完EEPROM，再去测试下flash，因为怕有时候数据不够放……

2.1 读取函数

1. //读取指定地址的半字(16位数据)
   
2. uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address)
   $ g( \5 L  R8 G/ V# B  @9 j
3. {
   
4.   return *(__IO uint16_t*)address;
   
5. }
   - {9 u% ]/ R- a+ k* X" M* P) @
6. 
   
7. //读取指定地址的全字(32位数据)
   9 M, V8 Z4 r4 G6 K7 _
8. uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address)
   
9. {
   ) h* x* ?/ ?5 G! h8 q4 Q
10.   return *(__IO uint32_t*)address;
    4 c" l, }$ g( y9 n3 r, @
11. }

复制代码

+ }( m6 }% B2 D% l

简单测试一下：

1. u32 read_data1=0XFFFFFFFF;
   
2. u32 read_data2=0XFFFFFFFF;
   
3. ...
   ) Y, g7 o: m. @. l* F  f
4. read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
   
5. printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
   1 J" Q6 C5 [) N! H
6. read_data2 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR + EEPROM_PAGE_SIZE);
   
7. printf("the EEPROM sceond page test data is: 0x %x \r\n",read_data2);

复制代码

7 I3 l- C3 L' v

没有写入数据读取的值应该都是0。

2.2   EEPROM写函数

对EEPROM的写函数：stm32l0xx_hal_flash_ex.h中函数如下：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(void);
   
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(void);
   0 h" P2 u$ }+ a
3. 
   2 ^; g3 @7 A. o
4. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address);
   # j3 E8 ]2 e3 R5 M# F: ]) x/ e
5. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);

复制代码

/ V; e. P  Z5 a. z

通过函数看来，可以直接用，但是这里有一个问题

需要测试一下，擦除是否会擦除整个扇区，有待验证！！

答：EEPROM的擦除可以直接擦除某个地址的字，不会擦除整个片区

EEPROM的操作相对Flash，比较简单，直接使用HAL库中的函数即可完成

1. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   7 D2 u2 {; J6 b( P
2. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
   . P7 W& u9 _6 U( a
3. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   
4. ...
   
5. if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
   
6.         printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
   
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   $ `* \; J/ A. o  d6 s8 S
8.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(DATA_EEPROM_START_ADDR+4);
   . ]* ^2 K+ E0 E- _" A, \8 r6 a) W1 T' C2 U
9.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   8 W9 R( ]" d; u
10.         HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
    6 @8 s1 U! t  P: C
11.     }
    
12. ...
    7 ~( a8 P3 t$ ~" I: W
13. if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    ) g! Q  X3 o) r( b
14.         printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");
    3 r! Y7 J5 k, x% G
15.         read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
    % i% O: l# c/ ~2 G" j/ @( }
16.         printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
17.     }

复制代码

! K6 M' z& [# O* n' d* R/ D7 t

按照上面的例子，擦除DATA_EEPROM_START_ADDR+4的地址不会影响DATA_EEPROM_START_ADDR地址的开始写入的数据 写入一样，如果不在意以前的数据，直接写入就可以。 总结来说EEPROM的使用还是很好用而且简单的。而且EEPROM是可以按照字节，半字，全字写入的，测试了一下，是右对齐

右对齐什么意思呢，打个比方就是如果在地址 addr 中，本来写入全字 0x12345678 然后直接在EEPROM 的 addr 这个地址，写入半字 0xFFFF， 再读取全字的话，addr 地址的全字就变成了 0x1234FFFF  ，这个具体的为什么在地址写入半字，不会直接从地址开始占用2个字节，是因为地址的类型为 uint32_t ，所以该地址就是 4个字节类型的数。

写入问题说明修改

2021/11/23 修改说明 上面一段的解释有误，这里修改一下，不是因为地址类型为uint32_t，地址类型永远是这个，是因为定义的数据类型为uint32_t ，然后STM32又是小端模式，所以保存的方式是从地址的最后开始保存，4个字节的全字，第一个字节放在地址开始+4 的位置，第二个字节放在地址开始+3的位置，所以如果调用HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);关键在于FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD以全字方式写入半字，那么内核会自动分配4个字节的宽度，半字的第一个字节放在写入地址+4 的位置，第二个字节放在写入地址+3的位置，所以导致了上面的结果

1.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   / W7 n' m, U* |" J& O- ]
2.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, DATA_EEPROM_START_ADDR, 0X88);
   
3.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   
4.   read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
   
5.   printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);

复制代码

$ C( i) X2 h7 N8 ?) @, A; S2 m" {

最后在 stml0_flash.h 中把函数完善声明一下，使得主函数中的程序更加简洁。

1. void MY_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)   
   , c& L- M9 c* j& h+ l
2. {
   
3. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();        
   / y- p; ~7 u' U
4.     HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(TypeProgram, Address, Data);
   
5. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   9 o8 l# `! N! X& A' L" U8 Y
6. }

复制代码

  D8 S% H8 f3 _* t* j; g/ h5 H

那么L051 的EEPROM的测试就到这里，其实有EEPROM，在项目中的保存数据的功能就问题不大了，但是我们既然开始了，就把L051 Flash的读写也测试一下。

4 N) M9 r3 W" A2.3   Flash写函数

Flash的读取其实和EEPROM一样，主要是写函数，来看一下stm32l0xx_hal_flash.h 中有哪些函数

1. /* IO operation functions *****************************************************/
   ( Z5 x3 z. n0 i: V7 @2 h1 j
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
   ( v; x  v" B% V
3. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program_IT(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
   
4. 
   
5. /* FLASH IRQ handler function */
   ' j7 w3 H3 g/ t+ y; v; Q( r
6. void       HAL_FLASH_IRQHandler(void);
   8 d1 A2 D# Z1 n6 v6 j
7. /* Callbacks in non blocking modes */
   5 h7 {- m: |4 o, R, e
8. void       HAL_FLASH_EndOfOperationCallback(uint32_t ReturnValue);
   
9. void       HAL_FLASH_OperationErrorCallback(uint32_t ReturnValue);
   
10. 
    ) _" V( x9 x( K% u9 b
11. /**
    3 `5 }) P+ s2 P: B& {
12.   * @}
    
13.   */
    - n  ?: N' l1 v& X
14. 
    & \( q2 @$ H# E  a' e- Y
15. /** @addtogroup FLASH_Exported_Functions_Group2
    
16.   * @{
    + k: M/ K- x/ p6 @! r% J; _
17.   */
    8 |) g3 L. u3 V$ K% A  I4 F
18. /* Peripheral Control functions ***********************************************/
    
19. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
    
20. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);
    
21. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Unlock(void);
    
22. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Lock(void);
    ; O& G/ p9 Z6 ], O
23. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Launch(void);

复制代码

" o# H# |% ~! v, V

有点忙，Flash的后面再也，看了几个demo，只需要做几个测试就可以；

( M4 o( m1 }, o4 v% ?

2021.8.5  今天有空来接着测试一下L051  Flash的读写，看了下HAL_FLASH_Program函数：

! F) j- y  k6 \  M

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)
   
2. {
     ^3 F" \. a3 u% C
3.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_ERROR;
   
4.   
   
5.   /* Process Locked */
   " V6 Z) ]5 b: P" D; O9 D) I$ c
6.   __HAL_LOCK(&pFlash);
   7 j; E3 U4 R% X% t
7. 
   5 j6 J# K2 B* w- G: D5 N
8.   /* Check the parameters */
   : V) o2 _0 Y- [3 m3 P  O$ l
9.   assert_param(IS_FLASH_TYPEPROGRAM(TypeProgram));
   
10.   assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));
    
11. 
    6 w5 |0 U- l( }7 H
12.   /* Wait for last operation to be completed */
    7 w8 T4 X# y& B/ h
13.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    - x/ q; V, y- j) C( A
14.   
    ( X  @# k: T( a1 T( O7 e; e9 d
15.   if(status == HAL_OK)
    
16.   {
    
17.     /* Clean the error context */
    
18.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    " T) `; B, K5 {& y5 E4 N) g
19. 
    + x1 M7 b' s, Z8 y$ T
20.     /*Program word (32-bit) at a specified address.*/
    
21.     *(__IO uint32_t *)Address = Data;
    
22. 
    
23.     /* Wait for last operation to be completed */
    
24.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    ' Q+ j0 p( }$ F' t
25.   }
    " J& o& W5 V" \
26. 
    
27.   /* Process Unlocked */
    9 Q7 S% ~5 V0 Y* D8 B/ o
28.   __HAL_UNLOCK(&pFlash);
    
29. 
    
30.   return status;
    1 G9 B/ {: u' j. x5 x, C
31. }
    2 S+ M8 U) W6 s" z

复制代码

% \8 M& s' e/ O* o, i

这里也再次说明了，L051的写必须以字的方式写入。

不管了，先测试一下，不擦除直接写入，这里先定义一下写入的地址，前面我们已经知道了L051 flash一共 512页，每页128bytes，所以我们直接拿最后面的几页来测试

1. #define ADDR_FLASH_PAGE_505      0X08000000 + 128*504   //
   5 \7 [& w& z- E) {/ L' y+ E
2. #define ADDR_FLASH_PAGE_506      0X08000000 + 128*505   //
   
3. #define ADDR_FLASH_PAGE_507      0X08000000 + 128*506   //
   ' Y. v% ]- J+ L9 ^; x
4. #define ADDR_FLASH_PAGE_508      0X08000000 + 128*507   //
   ( j/ ?' [  z' o# Q- {
5. #define ADDR_FLASH_PAGE_509      0X08000000 + 128*508   //
   
6. #define ADDR_FLASH_PAGE_510      0X08000000 + 128*509   //
   
7. #define ADDR_FLASH_PAGE_511      0X08000000 + 128*510   //
   
8. #define ADDR_FLASH_PAGE_512      0X08000000 + 128*511   //最后一页

复制代码

开始先不擦除，直接在最后一页写入一个字读取一下试试，整理一下写入函数：

1. void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data)   
   5 F& h" h$ c( c
2. {
   * H6 _1 T7 e$ h$ e
3. HAL_FLASH_Unlock();        
   7 W# V7 y# i9 V" D1 [9 y
4.   if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
   2 X9 d6 _' P; ]1 p, b" ^  a* Q
5.     printf("write data 0x%x OK\n", Data);
   
6.   }
   
7.   else{
   
8.     printf("failed!!!\n");
   
9.   }
   
10. HAL_FLASH_Lock();
    
11. }

复制代码

* e& l! u) I( z* W

测试一下；

1.   MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_512,write_data2);
   : d$ k* L2 Z2 K& n  H
2.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_512);
   
3.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_512 is: 0x %x \r\n",read_data1);

复制代码

在没有写入flash之前，该地址读出来的数据为0，写入后读出来是正常写入的数据这里有个疑问，按理来说，flash存储器有个特点，就是只能写0，不能写1，所以flash的写入，比需先擦除，或者至少检查一下该数据区是否可以写入，但是L051 怎么初始的时候读出来是0？ 难道L051的有区别，需要测试一下

先在一个地址写0XFFFFFFFF ，然后写完了再写一次别的数据看看能否直接写入，结果是写入了0XFFFFFFFF ，不能继续直接写数据，说明，估计L051是相反的，这里具体是不是我只看测试结果，结论的话我自己知道就可以应用，希望有权威大神指正。

这里我们得用到一个关键的函数 ，这个函数是在stm32l0xx_hal_flash_ex.c 这个文件中的，是flash的擦除函数：HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

所以这里我们知道了以后，可以优化一下写入函数，我们项目中用到的是可以直接对某个地址的写入，然后也不需要保存，此页其他的数据，所以我们把函数改成如下：

1. void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data)   
   
2. {
   
3.   FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
   
4.   uint32_t checkdata;
   + y, N6 |) p2 C% B0 ?
5.   uint32_t PAGEError = 0;
   
6.   checkdata = FLASH_ReadWord(Address);
   1 E4 z; B& K* N* |
7. HAL_FLASH_Unlock();
   . |0 T3 O8 m; W  M
8.   /*如果是0，直接写*/
   0 C& _& ?) B. y/ T3 M
9.   if(checkdata == 0){      
   1 ]/ G+ ^7 s# |+ A7 G1 f' l
10.     if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
    0 ~* W$ {' `  ^* o4 K$ p9 K6 k
11.       printf("write data 0x%x OK\n", Data);
    8 J4 g7 ~+ k2 H) E7 h) b  `: H' Q  f
12.     }
    
13.     else{
    5 N- \2 y" W  @7 R' f6 {( G
14.       printf("failed!!!\n");
    
15.     }
    2 i, {2 H" ^$ K6 c6 T9 U/ L) |. d4 E
16.   }
    6 e* j5 t: q  I/ h) q2 I
17.   /*否则擦除再写*/
    
18.   else{
    3 y0 a, v) T! F& H
19.      __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
    
20. 
    2 l, ^+ G4 c% H% E- u
21.       EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // 刷除方式
    
22.    EraseInitStruct.PageAddress = Address; // 起始地址
    
23.       EraseInitStruct.NbPages = 1;
    : c5 E6 l: i+ U/ e  A8 [6 T
24. 
    * Z/ ]+ |9 C& w9 B+ u8 q
25.       if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK)
    ; @! j* n5 a; \) E+ j! s
26.       {
    " Y' c# ^( P# k& P
27.         // 如果刷除错误
    
28.         printf("\r\n FLASH Erase Fail\r\n");
    
29.         printf("Fail Code:%d\r\n",HAL_FLASH_GetError());
    
30.         printf("Fail Page:%d\r\n",PAGEError);
    / M( D2 K) r9 O$ S3 h
31.       }
    6 Q8 V1 J0 U) Z* n5 O& x
32. 
    
33.       if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
    
34.       printf("write data 0x%x OK\n", Data);
    8 J2 @/ e1 w& U! ^- b, f2 H- |7 Z
35.       }
    ! f! a- B$ }+ [  o9 C  f3 V
36.       else{
    : y7 i* S) O. d( `" X& e% ]! D
37.         printf("failed!!!\n");
    
38.       }
    $ E- J  X- e, {7 h/ S1 x
39. 
    
40.   }
    " J2 ~. X9 S6 W# m( J% z' o" I6 t
41. HAL_FLASH_Lock();
    2 d' X* n3 z0 y7 T
42. }

复制代码

. A5 t( |" ~9 P9 A8 r  f

自己修改了一个函数， 改成这样以后，就能直接在想写入的地方写入数据了，到这里，flash足够我项目中的使用了。但是还有最后一个疑问，就是擦除的一页到底是不是128bytes我来验证一下。

1. u32 write_data1 = 0X12345678;
   , Q' i/ |8 Z0 ?! }. m: F
2. u32 write_data2 = 0X87654321;
   
3. u32 write_data3 = 0XFFFFFFFF;
   % P( S  b. ~* u( x; `
4. 
   
5. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124,0X508508FF);
   0 \  O% Q) `& S. G2 j! w
6. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,write_data3);
   
7. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+4,write_data2);
   
8. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+8,write_data1);
   8 i$ M6 c3 c- y8 |* X  b# B
9. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_510,0X510510FF);
   ( t/ \; V( N( a: a
10. 
    
11. read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);
    $ O, _% D7 {$ ^$ W7 A' f
12. printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);
    0 H, s, G. D" x
13.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);
    7 H# Z6 {5 f$ d7 w) x. d
14.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    & i) T8 l. l4 U1 z/ v" ]8 e) D
15.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);
    
16.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    # H& L; y8 |) h" s, S
17.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);
    % q( d2 m+ y- i& X* C5 y1 ~
18.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
19.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);
    8 O1 H! `3 ~1 A( W/ \0 _/ J# a4 `, n
20.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
21. 
    
22. if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    
23.         printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");
    
24.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);
    
25.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
26.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);
    8 R) U# {0 g& K0 H9 W) ]
27.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
28.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);
    6 {$ r- `) u8 Y
29.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
30.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);
      }7 O2 Z7 ?% ^% n4 t! e
31.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    , {, x. U0 S1 O( }" I
32.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);
    
33.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);
    ) Z  c" Z, X7 x3 O4 i4 K; m6 Z
34. 
    : |/ j, _% }# }; U0 i5 j6 T$ M
35.     }
    
36. if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    
37.         // printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
    
38.         // MY_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
    3 \+ T" O& ]. d1 e4 i
39.         printf(" K1 150ms button!,flash write test\r\n");
    
40.         MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,0X33333333);
    
41.         HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
    1 v$ a* _+ o( S9 s
42.     }

复制代码

因为地址位置如果有数据的话会擦除一页再写入，所以我们看了一下508页最后一个地址，和510页的第一个地址数据，对509页的数据进行了操作，结果发现不会改变508 和510的数据，509页的数据会全部清除!

* h4 e3 z: i: n1 A* l! |

所以得出的结论显而易见，flash擦除按照一页一页擦除， 在L051上面一页为128bytes，而且擦除后数据全部为 0；

* T  }4 k& b& g% T- |2.4 读写EEPROM的后续问题

最近有一个项目，因为缺货 STM32L051R系列缺货，买了 STM32L071RBT6 替代：

7 a, O& o- N# g' I6 L

看了一下地址，其实我们上面所有的测试代码基本都是可以直接用的，代码直接用STM32L051的代码也是可以的，实际项目中，还是使用EEPROM比较方便，所以在使用EEPROM的时候，发现了一个问题（并不是换了芯片的问题），还是数据读取和写入的问题。

2.4.1 问题的出现和解决

下面程序的硬件平台是 STM32L071RBT6，首先在程序中，有一个写ID的函数：

2 H6 P; G7 T; M, z: s5 V

- f* \% P! f' U* s

写入IO是通过字节的方式 byte  写入的，写了6个字节（蓝牙设备的ID）。

然后最初读取的函数用的是：

, ]+ p. F) u/ ?* c. e

5 Y& s" U& D: j4 t

使用这个读ID的函数，问题就出来了。上图代码中，我读取ID使用的是半字读取，处理方式是把读到的半字前面8位给ID1， 后面8位给ID2， 但是测试中发现 数据读出来与想要的相反，什么意思呢，看下面的测试说明：

上电打印出EEPROM中读取的一个地址的，每个ID（每个ID是uint8_t类型）的数据，在代码开始定义了测试数据：

1. BlueID_STRUCT test;
   
2. ...
   
3. /*
   
4. CHBlueID_STRUCT Flash_PowerOn_BlueCheck()
   
5. {
   
6. 
   
7. CHBlueID_STRUCT PowerOn_ID;
   
8. PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_blueIDRead(CH1_ID_ADDR);
   . D" o" X7 k# B7 K0 M
9. PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_blueIDRead(CH2_ID_ADDR);
   : I  {! W/ y1 f: e( |. X! d
10. PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_blueIDRead(CH3_ID_ADDR);
    $ d; |5 I* L% _* v- C1 d0 @( v
11. PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_blueIDRead(CH4_ID_ADDR);
    
12. PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_blueIDRead(CH5_ID_ADDR);
    0 T. {. F% m, I# s, B
13. PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_blueIDRead(CH6_ID_ADDR);
    ) H+ j& K* @! t/ t3 E
14. PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_blueIDRead(CH7_ID_ADDR);
    
15. PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_blueIDRead(CH8_ID_ADDR);
    
16. PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_blueIDRead(CH9_ID_ADDR);
    
17. PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_blueIDRead(CH10_ID_ADDR);
    
18. 
    7 j! D# a2 C% a
19. return PowerOn_ID;
    ! {8 e' M1 N- b, x! ]
20. }
    
21. */
    
22. BlueChipID = Flash_PowerOn_BlueCheck(); //上电先把ID读出来做比较
    " z/ J0 u  _" E" e
23. //打印一个出来测试，看结果
    3 w1 K6 N& q- X4 q
24. printf("BlueChipID.CH1ID is 0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x\r\n",BlueChipID.CH1ID.ID1,BlueChipID.CH1ID.ID2,BlueChipID.CH1ID.ID3,BlueChipID.CH1ID.ID4,BlueChipID.CH1ID.ID5,BlueChipID.CH1ID.ID6);
    
25. 
    
26. test.ID1= 0XFF; //结构体每个元素是 uint8_t 类型
    
27. test.ID2= 0XEE;
    
28. test.ID3= 0XDD;
    ! D# ?: u# Z% e5 {2 N
29. test.ID4= 0XCC;
    3 i4 T+ r( h8 N8 k  r6 ^! f
30. test.ID5= 0XBB;
    
31. test.ID6= 0XAA;
    
32. 
    8 \% ^! Y. K3 J8 e/ C
33. while (1){...}

复制代码

0 s. S; d$ E' t: k! h4 o) y4 O+ r

在程序中通过操作，写入测试数据，调用上面提到过的写ID的函数，写ID的函数是每个字节每个字节写的：

" ]  L9 u. m( D; ~% k7 J

按我们希望的结果来说，读出来按照顺序打印，应该是：0xff,0xee,0xdd,0xcc,0xbb,0xaa 。测试实际上是：

为了确实是读的问题还是写的问题，添加了读字节的函数：

1 ?8 f) c0 N" U: N

' w. _6 w' i4 C

打印的结果：

说明确实是ID的读取函数出的问题，是因为使用的半字读取，问题处理不麻烦，我们把读取函数修改一下：

1. BlueID_STRUCT FLASH_blueIDRead(uint32_t address)
   
2. {
   
3. BlueID_STRUCT u48id;
   7 [! I7 n, e; B" a( C! M% W) c# x
4.   // uint16_t temp1,temp2,temp3;  /**(__IO uint16_t*)address; */
   
5.   // temp1=*(__IO uint16_t*)address;
   
6. // u48id.ID1 = (uint8_t)(temp1>>8);
   1 w7 Y* x. i) p  ?2 F
7. // u48id.ID2 = (uint8_t)(temp1&0X00FF);
   
8.   // temp2=*(__IO uint16_t*)(address+2);
   8 K! t. e3 v8 h0 C( ^2 [
9. // u48id.ID3 = (uint8_t)(temp2>>8);
   
10. // u48id.ID4 = (uint8_t)(temp2&0X00FF);
    : r& d% K  e* p
11. // temp3=*(__IO uint16_t*)(address+4);
    + V6 l; ]7 C3 R2 r& c+ {
12. // u48id.ID5 = (uint8_t)(temp3>>8);
    
13. // u48id.ID6 = (uint8_t)(temp3&0X00FF);
    
14. 
    
15.   u48id.ID1 =  FLASH_Readbyte(address);
    
16.   u48id.ID2 =  FLASH_Readbyte(address+1);
    1 P. O6 K1 l' ~% t+ V
17.   u48id.ID3 =  FLASH_Readbyte(address+2);
    3 n1 o2 W5 ~) Y( {
18.   u48id.ID4 =  FLASH_Readbyte(address+3);
    
19.   u48id.ID5 =  FLASH_Readbyte(address+4);
    
20.   u48id.ID6 =  FLASH_Readbyte(address+5);
    
21. 
    
22.   return u48id;
    3 f" O6 M/ s6 {( {0 a8 L
23. }

复制代码

. d5 ?, z5 A7 `! b# q& |6 j& d$ W

测试结果才正常了，如下图：

" L" Y( k% h7 o* a( ]* _: f6 B( Y5 {

2.4.2 问题的分析（大小端模式数据格式）

出现上面的问题，其实是和我们经常说的大端模式和小端模式有关的。

STM32使用的是小端模式，简单介绍一下大端模式小端模式数据存放的方式，如下图：

4 y2 H3 G* o2 I, ?& I

知道上面的知识，我们在开始的读取函数中是直接读取的半字(__IO uint16_t*)address; ，但是我们写入的时候是一个字节一个字节写入，上面的例子所以我们内存中的数据实际上如下图所示：

5 J- u$ N1 U3 a& z9 }8 s7 D" ~

6 g1 j3 a( o' o' t

使用(__IO uint16_t*)address; 去读取，读取出来的数值一个uint16_t类型的数值：

假设是 a，a=*(__IO uint16_t*)addr; 会有 a = 0xEEFF; 所以高8位变成了 0xEE。OK！解释清楚！问题解决！

至此，我们基本上把STM32L051 的EEPROM 和Flash 功能都测试过了，把工程中需要用到的功能做了测试，也学到了一些新的知识，还是实践出结论啊，当初没有自己测试之前看了网上的有关类似的介绍，还是很多误解，这下全部清晰了。

/ z( F! d  f1 I, F2.4.3 STM32L071RBT6 EEPROM读写全字问题
读问题的出现

前面其实测试过，读取全字是可以的，直接使用return *(__IO uint32_t*)address;：便可以读到该地址的全字：

1. uint32_t  FLASH_ReadWord(uint32_t address)
   
2. {
   
3.   return *(__IO uint32_t*)address;
   : V4 A: L3 y- \) z6 y+ t9 S+ m
4. }

复制代码

! A) n8 E0 W9 V' P/ W3 O

所以在后面使用过程中，有这么一个函数：

; h6 U  N2 J( e8 R$ F

) D+ g: y3 z- L6 w1 E

一开始还真的不知道哪里出了问题？折腾了好一阵才发现调用函数读取ID时就会卡死。

问题的解决：

因为还有另外一个蓝牙版本的产品，如果是蓝牙设备的ID，因为蓝牙设备的ID是6位的，所以当时读取蓝牙的ID的时候使用的是（蓝牙版本是没问题的）：

其实折腾了好一会儿，后来想着蓝牙是读一个字节，要不要试着把 全字 分为 4个字节，单独读取试一试？

于是学蓝牙把程序分为4个字节读取：

代码也放一下，方便复制：

1. u32 FLASH_ReadEnoceanID(uint32_t address)
   
2. {
   
3.   u32 keepid;
   
4.   u8 i;
   
5.   keepid = FLASH_Readbyte(address);
   3 C* r5 F  W! A& z
6.   i = FLASH_Readbyte(address + 1);
   
7.   keepid = (i<<8)|keepid;
   * y9 ]4 U' H2 {
8.   i = FLASH_Readbyte(address + 2);
   ' B/ W& h2 I3 f3 X- F9 U
9.   keepid = (i<<16)|keepid;
   ( ^( N+ r6 {& i0 W8 k1 ^1 ?0 w
10.   i = FLASH_Readbyte(address + 3);
    
11.   keepid = (i<<24)|keepid;
    
12.   return keepid;
    
13. }
    
14. 
    
15. CHID_STRUCT Flash_PowerOn_Check()
    - N8 ]1 p+ Q* }4 J/ Y$ x
16. {
    
17. 
    $ z2 \: Q& X9 ~# H6 c
18. CHID_STRUCT PowerOn_ID;
    
19. PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH1_ID_ADDR);
    4 x2 P: k" r$ e8 r4 g5 @2 b9 ~
20. PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH2_ID_ADDR);
    - q6 G/ e( J- ?" p; p! ]
21. PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH3_ID_ADDR);
    
22. PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH4_ID_ADDR);
    
23. PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH5_ID_ADDR);
    $ B) A6 ]9 K8 k# E$ l# {( B
24. PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH6_ID_ADDR);
    % W) ?4 \' Y( N; Q- `' a
25. PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH7_ID_ADDR);
    
26. PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH8_ID_ADDR);
    
27. PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH9_ID_ADDR);
    1 u3 M6 g. R; S, J9 `# c$ Y: w
28. PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH10_ID_ADDR);
    " h: i# c/ k1 t, L0 W& s$ x& T. L
29. 
    
30. return PowerOn_ID;
    
31. }

复制代码

测试一下，发现就好了，至于原因，目前还不知道为什么……（最后问题解决有说明，内存字节对齐问题）

写问题的出现

本来以为解决了上面问题OK了，可是后面测试的时候发现写的时候也有问题：

一直用的写全字函数为：

1. FLASH_Status  FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   0 j' l5 ?- i2 p) {- e
2. {
   ' w( e) ^9 I3 J) L+ T% F0 {+ i
3. 
   
4. FLASH_Status i = FLASH_COMPLETE;
   
5. 
   
6. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();  
   
7.   while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, Address, Data) != HAL_OK);
   
8. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   , v, g% U9 w7 l
9. 
   7 k7 r7 W) `+ w0 A% J* K) z
10. return i;
    " b0 d3 ~! D8 D: j) e  l! v
11. }

复制代码

在程序中会调用此函数进行 ID 保存：

- e8 E& R  m. w* w6 X$ l

+ z6 o( D8 @3 j

但是使用时候发现：

问题的解决：

其实这个问题也莫名其妙，真是说不出来为什么，估计是得详细的查看数据手册，但是还是 因为 在蓝牙的版本上面没有此类问题：

所以这里还是尝试改成 以 字节 方式写入：

1. FLASH_Status  FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   & I% W- o: N$ t4 K! r
2. {
   
3. 
   / g4 B4 H- ^( F/ O
4.   FLASH_Status state = FLASH_COMPLETE;
   8 k9 x! V8 Y3 W+ G7 _+ _! e- H9 t
5.   u8 i = 0;
   1 B/ K% w0 N  t5 N
6.   u8 writedata[6]={0};
   1 D) t& x6 M/ i: r
7. 
     Q# S- \- s$ F: n, B
8.   writedata[0] = (u8)Data;
   # A+ D5 @4 X9 k$ n0 d; V
9.   writedata[1] = (u8)(Data>>8);
   
10.   writedata[2] = (u8)(Data>>16);
    . P  b: S3 K4 P5 M! s( c3 E" i
11.   writedata[3] = (u8)(Data>>24);
    8 o5 ^9 n9 W8 E) }% ~- b
12. 
    
13. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();  
    
14.   for(i=0; i<4; i++){
    3 \' `( j( f5 X) b6 ?
15.     while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, Address + i, writedata[i]) != HAL_OK);
    
16.   }
    ! J2 Y: S1 V5 @9 Z& s
17. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    3 R" K6 e0 |$ z  p( V5 a( L
18. 
    : \8 b0 d9 y; `& s- T, W
19. return state;
    
20. }

复制代码

使用此种方式写入，就不会出现问题！

其实也可以尝试修改地址，使得成为 4 的倍数，可能也不会出问题，这里就不测试了（最后问题解决有还是测试了，内存字节对齐问题）

2.4.3小结使用的芯片为  STM32L071RBT6

& I6 V# l3 ]' o最后问题的解决

先直接说结论，就是EEPROM地址定义的问题，应该是4字节对齐（4的整数倍），读取全字的操作才能正常！

上面 STM32L071RBT6 EEPROM 读写全字问题的关键在于，存储地址的定义上，如上面一张图所示：（我在EEPROM区域定义了10个地址，用来存放无线设备的ID数据，如果是蓝牙芯片，那么ID为6个字节，如果是Enocean芯片，那么ID为4个字节，为了保持代码的统一，我在使用保存4个字节的ID数据的地址定义时候沿用的是蓝牙的 EEPROM区域定义）

那么正如我图中猜想的一样，蓝牙的 ID 6个字节，我是都是通过一个字节一个字节操作，组合起来进行的，所以一切正常。但是对于 4个字节的 ID ，期初是用的 全字的方式，就出问题了，换成一个字节一个字节的操作，看上去是解决问题了。

但是实际上多了一些隐藏问题，暂时也说不清楚，在产品使用的时候，读写ID还是会有莫名其妙的问题，最终还是对当初的这个猜想，地址是不是也需要4字节对齐？进行了修改测试，于是乎，对于 4 个字节 ID的处理，地址改成：

0 J3 M) y4 ~7 j

把地址修改成 4  的倍数以后，上面的读取全字的两个函数便可以正常使用，而不会出上面莫名其妙的问题。