本文测试 L051 flash的读写，用来处理以后应用中的掉电数据保存。

1、STM32L051内部存储模块地址范围

开始找到F103的FLASH图复习了一遍，然后L051C8T6,64KB的flash，  然后我惊奇的发现还有2KB的EEPROM。发现L051系列的地址与F103完全不同，F103的flash每页的长度有1KB（小容量<=64KB）和2KB（大容量128KB起）查看各种资料， 查了2个小时， 还是不知道L051的flash 每页长度是 128Byte 还是256Byte？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？还是请教了一下大佬，发现直接在J-Flash中可以找到答案，先上个F103的图：

然后来看个L051的图：图中64KB 的flash 和2KB的EEPROM都能都明显的看出地址，flash 512页，每页128bytes，EEPROM只有4页，每页512bytes.知道了基本的地址，就可以操作起来了。

最后还需要确定的一点事，最小擦除单元是128bytes，还是256bytes，按以前的认知，删除是按照一个Sector擦除的，也就是128bytes，但是我查看了一些网上的例子和资料，有的是说256bytes，所以后面需要自己确定一下

其实在HAL库的 stm32l0xx_hal_flash.h 文件中有过 FLASH_PAGE_SIZE    的定义，就是128bytes       ：

+ }3 r8 G! \: }7 l0 M, Z6 r& M

1. #define FLASH_SIZE                (uint32_t)((*((uint32_t *)FLASHSIZE_BASE)&0xFFFF) * 1024U)
   
2. #define FLASH_PAGE_SIZE           ((uint32_t)128U)  /*!< FLASH Page Size in bytes */

复制代码

# u$ u. E. }. K3 ^( v- q4 |- e

对于flash的操作，有一些基础知识补充一下：

Read interface organized by word, half-word or byte in every area • Programming in the Flash memory performed by word or half-page • Programming in the Option bytes area performed by word • Programming in the data EEPROM performed by word, half-word or byte • Erase operation performed by page (in Flash memory, data EEPROM and Option bytes)

STM32L051写Flash必须字，读 字节、半字、字都支持。（这句话也是错误的，这是以前哪里看到的，实际测试写可以根据字，半字，字节来写）

一些基本概念：定义字是根据处理器的特性决定的。首先ARM是32bit处理器，所以它的字是32bit的。半字自然就是16bit；字节不论在哪个CPU上都是8bit。1 Byte = 8 bits（即 1B=8b） 1 KB = 1024 Bytes Bit意为“位”或“比特”，是计算机运算的基础，属于二进制的范畴；Byte意为“字节”，是计算机文件大小的基本计算单位；

2、读写函数的设计

HAL库中肯定是有对flash和EEPROM进行操作的函数，我们这里新建一个stml0_flash.c 和stml0_flash.h 函数分别放在对应位置，进行自己的函数设计。库中Flash与EEPROM的函数看样子是分别放在 stm32l0xx_hal_flash.c 和 stm32l0xx_hal_flash_ex.c 中的，我们先使用EEPROM，因为提供EEPROM，就是让用户可以保存一些掉电后的数据的嘛，测试完EEPROM，再去测试下flash，因为怕有时候数据不够放……

0 A8 m% k# J( {- [6 {2 g6 a2.1 读取函数

1. //读取指定地址的半字(16位数据)
   
2. uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address)
   ' q0 x+ u$ A; x1 `- m
3. {
   
4.   return *(__IO uint16_t*)address;
   
5. }
   6 w5 P  M0 b& Q" f
6. 
   3 j, W6 f: [* D# J+ ?# ~
7. //读取指定地址的全字(32位数据)
   ) R$ b% V" K  z1 D
8. uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address)
   $ h$ Q- V7 T3 c4 T# H
9. {
   
10.   return *(__IO uint32_t*)address;
    . z* b: F: ?' c+ K) f0 X
11. }

复制代码

9 h5 P0 u% M6 m

简单测试一下：

1. u32 read_data1=0XFFFFFFFF;
   
2. u32 read_data2=0XFFFFFFFF;
   3 O5 i. J( F+ f! R7 h3 B
3. ...
   
4. read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
   
5. printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
   # Q' [' F5 ~4 W8 E1 P7 M
6. read_data2 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR + EEPROM_PAGE_SIZE);
   
7. printf("the EEPROM sceond page test data is: 0x %x \r\n",read_data2);

复制代码

没有写入数据读取的值应该都是0。

0 w" Q6 r. w/ n0 R2.2   EEPROM写函数

对EEPROM的写函数：stm32l0xx_hal_flash_ex.h中函数如下：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(void);
   
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(void);
   
3. 
   $ C4 s6 F% v4 D! Y/ n) u7 T2 u
4. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address);
   
5. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);

复制代码

. f  ?% O5 x! W' U

通过函数看来，可以直接用，但是这里有一个问题

需要测试一下，擦除是否会擦除整个扇区，有待验证！！

答：EEPROM的擦除可以直接擦除某个地址的字，不会擦除整个片区

EEPROM的操作相对Flash，比较简单，直接使用HAL库中的函数即可完成

1. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
2. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
   
3. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   # h3 V2 X7 e6 t; A
4. ...
   " I1 p( t; [6 o6 p. l
5. if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
   
6.         printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
   
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   . c: b1 U! d9 i4 O9 l
8.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(DATA_EEPROM_START_ADDR+4);
   
9.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   
10.         HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
    
11.     }
    
12. ...
    
13. if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    
14.         printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");
    
15.         read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
    : x2 E7 G4 J5 z" o
16.         printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
      w" P7 O* _2 h$ J
17.     }

复制代码

按照上面的例子，擦除DATA_EEPROM_START_ADDR+4的地址不会影响DATA_EEPROM_START_ADDR地址的开始写入的数据 写入一样，如果不在意以前的数据，直接写入就可以。 总结来说EEPROM的使用还是很好用而且简单的。而且EEPROM是可以按照字节，半字，全字写入的，测试了一下，是右对齐

右对齐什么意思呢，打个比方就是如果在地址 addr 中，本来写入全字 0x12345678 然后直接在EEPROM 的 addr 这个地址，写入半字 0xFFFF， 再读取全字的话，addr 地址的全字就变成了 0x1234FFFF  ，这个具体的为什么在地址写入半字，不会直接从地址开始占用2个字节，是因为地址的类型为 uint32_t ，所以该地址就是 4个字节类型的数。

写入问题说明修改

2021/11/23 修改说明 上面一段的解释有误，这里修改一下，不是因为地址类型为uint32_t，地址类型永远是这个，是因为定义的数据类型为uint32_t ，然后STM32又是小端模式，所以保存的方式是从地址的最后开始保存，4个字节的全字，第一个字节放在地址开始+4 的位置，第二个字节放在地址开始+3的位置，所以如果调用HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);关键在于FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD以全字方式写入半字，那么内核会自动分配4个字节的宽度，半字的第一个字节放在写入地址+4 的位置，第二个字节放在写入地址+3的位置，所以导致了上面的结果

1.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
2.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, DATA_EEPROM_START_ADDR, 0X88);
   . l1 U. A5 K& ^( [9 M; i/ O# _
3.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   & O0 W- O5 `  \  [+ n
4.   read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
   
5.   printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);

复制代码

$ v9 X4 u9 Q( d8 r

最后在 stml0_flash.h 中把函数完善声明一下，使得主函数中的程序更加简洁。

1. void MY_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)   
   
2. {
   ) h; [; r% ]* Y* J5 U
3. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();        
   # u* J* m, G1 S7 \: k
4.     HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(TypeProgram, Address, Data);
   9 y0 D! q, o. B4 O
5. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   2 y* ?! E1 u. ~7 ~+ a$ f* X0 _
6. }

复制代码

! D9 e, T: w* D) D0 [

那么L051 的EEPROM的测试就到这里，其实有EEPROM，在项目中的保存数据的功能就问题不大了，但是我们既然开始了，就把L051 Flash的读写也测试一下。

% P0 S) e8 }4 @! E/ G& P2.3   Flash写函数

Flash的读取其实和EEPROM一样，主要是写函数，来看一下stm32l0xx_hal_flash.h 中有哪些函数

1. /* IO operation functions *****************************************************/
   
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
   ( d) j1 Z3 }* E+ g1 S6 t% @$ R2 U. X/ B
3. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program_IT(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
   . T9 W! c' {- @! x" n
4. 
   
5. /* FLASH IRQ handler function */
   
6. void       HAL_FLASH_IRQHandler(void);
   
7. /* Callbacks in non blocking modes */
   7 h1 y, h" Z- Z$ J) I
8. void       HAL_FLASH_EndOfOperationCallback(uint32_t ReturnValue);
   
9. void       HAL_FLASH_OperationErrorCallback(uint32_t ReturnValue);
   
10. 
    ; {) l! S8 F/ v6 d) N4 P* Y
11. /**
    " I, Z4 ?/ e# t; y7 f4 Z! U+ D: h. L; s
12.   * @}
    
13.   */
    ) ]* L% |7 ~* m% s0 ]! q
14. 
    ; n7 a! b" W% [6 S, A8 _+ p
15. /** @addtogroup FLASH_Exported_Functions_Group2
    + e3 _- S9 |. l; z
16.   * @{
    & m& c9 Z$ j8 I4 s; ~
17.   */
    
18. /* Peripheral Control functions ***********************************************/
    
19. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
    , [2 T+ h( a* G, b" P- O
20. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);
    
21. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Unlock(void);
    , Q' w8 f* z+ s  m! y9 l9 V
22. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Lock(void);
    
23. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Launch(void);

复制代码

* J5 K$ Z  B: i/ s- p

有点忙，Flash的后面再也，看了几个demo，只需要做几个测试就可以；

5 _7 `8 |# ~" I/ f8 X% H% f

2021.8.5  今天有空来接着测试一下L051  Flash的读写，看了下HAL_FLASH_Program函数：

* }! S: O5 j" R4 {' M/ v

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)
     I! W  k* n% z0 ~/ _
2. {
   
3.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_ERROR;
     o- e# |" t  _( Y
4.   
   
5.   /* Process Locked */
   
6.   __HAL_LOCK(&pFlash);
   
7. 
   
8.   /* Check the parameters */
   ' S, C: A. L  j* k$ r8 O
9.   assert_param(IS_FLASH_TYPEPROGRAM(TypeProgram));
   # B2 F# A9 a* ~; f( `2 H4 E
10.   assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));
    . n  y" I- n9 S# F5 Q& r
11. 
    
12.   /* Wait for last operation to be completed */
    
13.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    9 i! ]3 \3 ]* R) x( b2 _
14.   
    8 ]4 G! T0 F: Q; h2 i5 C5 F
15.   if(status == HAL_OK)
    
16.   {
    
17.     /* Clean the error context */
    2 w5 G7 R, S' y( w- u
18.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    : a4 _; _1 I# B
19. 
    5 O, f; d! ~' P
20.     /*Program word (32-bit) at a specified address.*/
    
21.     *(__IO uint32_t *)Address = Data;
    & D* W" z( o5 s4 d( n- N/ W
22. 
    
23.     /* Wait for last operation to be completed */
    
24.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    - d# R2 o5 s+ w. b: n
25.   }
    
26. 
    
27.   /* Process Unlocked */
    / R# b2 {9 a4 }2 X7 I1 p) u- E9 n
28.   __HAL_UNLOCK(&pFlash);
    ' b6 \1 A$ Z" h* F) N
29. 
    " _5 G# H. m3 X% h4 Z
30.   return status;
    . H& }) N0 A3 i' ?) o' H0 r
31. }
    

复制代码

0 J: ^: u( u/ h9 c/ S; y

这里也再次说明了，L051的写必须以字的方式写入。

不管了，先测试一下，不擦除直接写入，这里先定义一下写入的地址，前面我们已经知道了L051 flash一共 512页，每页128bytes，所以我们直接拿最后面的几页来测试

1. #define ADDR_FLASH_PAGE_505      0X08000000 + 128*504   //
   
2. #define ADDR_FLASH_PAGE_506      0X08000000 + 128*505   //
   
3. #define ADDR_FLASH_PAGE_507      0X08000000 + 128*506   //
   9 y  n9 z: O$ o
4. #define ADDR_FLASH_PAGE_508      0X08000000 + 128*507   //
   
5. #define ADDR_FLASH_PAGE_509      0X08000000 + 128*508   //
   
6. #define ADDR_FLASH_PAGE_510      0X08000000 + 128*509   //
   
7. #define ADDR_FLASH_PAGE_511      0X08000000 + 128*510   //
   % |1 Y7 {) p" P/ j6 T: \
8. #define ADDR_FLASH_PAGE_512      0X08000000 + 128*511   //最后一页

复制代码

开始先不擦除，直接在最后一页写入一个字读取一下试试，整理一下写入函数：

1. void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data)   
   
2. {
   
3. HAL_FLASH_Unlock();        
   
4.   if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
   0 [5 q6 }8 z8 `- v; s& \! M1 ]
5.     printf("write data 0x%x OK\n", Data);
   0 r, |6 F8 ^# D0 P0 K+ w; Z
6.   }
   
7.   else{
   3 J5 q, {5 B& l  ?3 S7 j
8.     printf("failed!!!\n");
   * i7 V; ~1 Q% Z$ L
9.   }
   $ {9 c# |4 c1 A. C$ j2 d
10. HAL_FLASH_Lock();
    : E. f/ Z5 |3 `/ A! e+ \! ?
11. }

复制代码

+ X9 A7 l+ e% d

测试一下；

1.   MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_512,write_data2);
   
2.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_512);
   
3.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_512 is: 0x %x \r\n",read_data1);

复制代码

& [# k) }* P# P4 A4 _2 v

在没有写入flash之前，该地址读出来的数据为0，写入后读出来是正常写入的数据这里有个疑问，按理来说，flash存储器有个特点，就是只能写0，不能写1，所以flash的写入，比需先擦除，或者至少检查一下该数据区是否可以写入，但是L051 怎么初始的时候读出来是0？ 难道L051的有区别，需要测试一下

先在一个地址写0XFFFFFFFF ，然后写完了再写一次别的数据看看能否直接写入，结果是写入了0XFFFFFFFF ，不能继续直接写数据，说明，估计L051是相反的，这里具体是不是我只看测试结果，结论的话我自己知道就可以应用，希望有权威大神指正。

这里我们得用到一个关键的函数 ，这个函数是在stm32l0xx_hal_flash_ex.c 这个文件中的，是flash的擦除函数：HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

所以这里我们知道了以后，可以优化一下写入函数，我们项目中用到的是可以直接对某个地址的写入，然后也不需要保存，此页其他的数据，所以我们把函数改成如下：

1. void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data)   
   8 L6 ]" A( J" p" T% I; l
2. {
   
3.   FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
   
4.   uint32_t checkdata;
   
5.   uint32_t PAGEError = 0;
   
6.   checkdata = FLASH_ReadWord(Address);
   + v( _; A2 I' n( d: O
7. HAL_FLASH_Unlock();
   
8.   /*如果是0，直接写*/
   ! |4 r! S2 @5 B5 d& [. i
9.   if(checkdata == 0){      
   
10.     if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
    ; E- |- P8 z( @0 ^
11.       printf("write data 0x%x OK\n", Data);
    
12.     }
    
13.     else{
    
14.       printf("failed!!!\n");
    
15.     }
    
16.   }
    ' l) {+ {2 N: o' ~. w, B6 Q
17.   /*否则擦除再写*/
    
18.   else{
    
19.      __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
    
20. 
    
21.       EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // 刷除方式
    1 n5 a# E4 \* R0 q' X
22.    EraseInitStruct.PageAddress = Address; // 起始地址
    
23.       EraseInitStruct.NbPages = 1;
    7 s: D0 ~( O. W% }7 F
24. 
    
25.       if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK)
    
26.       {
    5 j+ U" O8 b) ?* y* r$ c
27.         // 如果刷除错误
    : O+ V5 `- Z+ R
28.         printf("\r\n FLASH Erase Fail\r\n");
    
29.         printf("Fail Code:%d\r\n",HAL_FLASH_GetError());
    , i2 l5 _& M  R4 A" E
30.         printf("Fail Page:%d\r\n",PAGEError);
    , }. z3 M( _! p7 @) F
31.       }
    
32. 
    , d. ^0 T0 `8 F/ E4 E
33.       if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
    
34.       printf("write data 0x%x OK\n", Data);
    . N- d" V! V- G" O
35.       }
    / m9 J8 h. Y3 a) D; a
36.       else{
    ( k% D0 U8 I( M; ?
37.         printf("failed!!!\n");
    3 L" _) G1 k% @$ y7 b2 n
38.       }
    9 {- C3 @. ?2 G4 Q& |0 t
39. 
    ! d4 i+ y! A0 c  }/ r% |
40.   }
    ' i4 `( p0 j* p" N' M( y6 V) }) o
41. HAL_FLASH_Lock();
    * D9 S' {& ?8 M6 m& w4 S% Q
42. }

复制代码

自己修改了一个函数， 改成这样以后，就能直接在想写入的地方写入数据了，到这里，flash足够我项目中的使用了。但是还有最后一个疑问，就是擦除的一页到底是不是128bytes我来验证一下。

1. u32 write_data1 = 0X12345678;
   . z& k9 O# z! I9 \9 G, ^
2. u32 write_data2 = 0X87654321;
   ' Z2 z: a( ]% a
3. u32 write_data3 = 0XFFFFFFFF;
   . X7 n7 w1 P5 c
4. 
   
5. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124,0X508508FF);
   
6. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,write_data3);
   " Q* ~7 i  s+ W/ ^: r7 J) ?
7. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+4,write_data2);
   + @- D4 \2 ~. l- O4 w3 l2 V6 o
8. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+8,write_data1);
   6 |* l: e; S4 U/ S' K
9. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_510,0X510510FF);
   8 y+ Y4 B: V- k; ~* j  _2 E
10. 
      `0 g7 l' F2 \7 Y' A
11. read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);
    6 Q5 m' x. R, i& i% n
12. printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
13.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);
    / E- J6 {. y; G8 {3 I
14.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
15.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);
    # l6 `1 R7 p, ~; a& u) }! @
16.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    ! n' A3 x  `1 g  W6 y9 r
17.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);
    " j- O- p- A9 ^) y$ ^" a1 L
18.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    ' g' k% @- {3 _0 [8 ?1 m$ g3 Q/ R8 z8 i' E
19.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);
    
20.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
21. 
    - _- L' ]9 M, o, f6 L4 K5 _
22. if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    8 F1 q/ L" U7 n- n$ I& s
23.         printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");
    5 i' V) P$ i0 R5 x' l
24.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);
    
25.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);
    % A* x$ L- ^) E1 d1 N
26.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);
    $ Y8 ?8 y' u' g% b8 i5 P$ i
27.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    ' y% p5 e. T. d. D
28.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);
    
29.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    , `7 }+ s2 s* k, V0 y0 ]7 i
30.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);
    
31.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    - C( t6 @$ C8 D
32.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);
    ' p# |5 u  _( L3 z8 d5 w. p+ v
33.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);
    - Z! n; d9 r- k+ r7 w
34. 
      c/ C. c1 a8 @9 R
35.     }
    
36. if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    6 x7 e* Z9 L  x2 B3 f
37.         // printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
    
38.         // MY_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
    
39.         printf(" K1 150ms button!,flash write test\r\n");
    
40.         MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,0X33333333);
    
41.         HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
    
42.     }

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因为地址位置如果有数据的话会擦除一页再写入，所以我们看了一下508页最后一个地址，和510页的第一个地址数据，对509页的数据进行了操作，结果发现不会改变508 和510的数据，509页的数据会全部清除!

" X+ e' l7 Q; _8 v: |4 p

  Q& f+ P* {& D

$ u- J0 O9 ^1 E. ^2 E

所以得出的结论显而易见，flash擦除按照一页一页擦除， 在L051上面一页为128bytes，而且擦除后数据全部为 0；

2.4 读写EEPROM的后续问题

最近有一个项目，因为缺货 STM32L051R系列缺货，买了 STM32L071RBT6 替代：

( F4 i! v: ~  A5 m8 i6 d

+ E  V9 Z+ F" h" R' U% E

看了一下地址，其实我们上面所有的测试代码基本都是可以直接用的，代码直接用STM32L051的代码也是可以的，实际项目中，还是使用EEPROM比较方便，所以在使用EEPROM的时候，发现了一个问题（并不是换了芯片的问题），还是数据读取和写入的问题。

2.4.1 问题的出现和解决

下面程序的硬件平台是 STM32L071RBT6，首先在程序中，有一个写ID的函数：

) p# o& {) ^: j3 r  L; p

写入IO是通过字节的方式 byte  写入的，写了6个字节（蓝牙设备的ID）。

然后最初读取的函数用的是：

, M+ U- _5 Q) I. ]8 Q! u  ~' A

使用这个读ID的函数，问题就出来了。上图代码中，我读取ID使用的是半字读取，处理方式是把读到的半字前面8位给ID1， 后面8位给ID2， 但是测试中发现 数据读出来与想要的相反，什么意思呢，看下面的测试说明：

上电打印出EEPROM中读取的一个地址的，每个ID（每个ID是uint8_t类型）的数据，在代码开始定义了测试数据：

1. BlueID_STRUCT test;
   
2. ...
   
3. /*
   ! K+ R* M9 x2 N, X8 c- Z
4. CHBlueID_STRUCT Flash_PowerOn_BlueCheck()
   
5. {
   
6. 
   
7. CHBlueID_STRUCT PowerOn_ID;
   
8. PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_blueIDRead(CH1_ID_ADDR);
   ! Q$ K7 K+ [: q! l/ N1 A
9. PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_blueIDRead(CH2_ID_ADDR);
   
10. PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_blueIDRead(CH3_ID_ADDR);
    
11. PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_blueIDRead(CH4_ID_ADDR);
    0 d) [5 f: t3 G/ d2 ]8 c
12. PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_blueIDRead(CH5_ID_ADDR);
    5 v( J" o8 V. t& \6 f# n# }% t
13. PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_blueIDRead(CH6_ID_ADDR);
      \, J6 B6 p2 \7 t2 U
14. PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_blueIDRead(CH7_ID_ADDR);
    
15. PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_blueIDRead(CH8_ID_ADDR);
    
16. PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_blueIDRead(CH9_ID_ADDR);
    
17. PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_blueIDRead(CH10_ID_ADDR);
    
18. 
    
19. return PowerOn_ID;
    8 t/ [, ~* O1 B. M# t  u6 J
20. }
    
21. */
    - z  \" |" L* p4 V" k
22. BlueChipID = Flash_PowerOn_BlueCheck(); //上电先把ID读出来做比较
    ) A# ?5 a$ d0 Q: I& z
23. //打印一个出来测试，看结果
    
24. printf("BlueChipID.CH1ID is 0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x\r\n",BlueChipID.CH1ID.ID1,BlueChipID.CH1ID.ID2,BlueChipID.CH1ID.ID3,BlueChipID.CH1ID.ID4,BlueChipID.CH1ID.ID5,BlueChipID.CH1ID.ID6);
    $ d& w* ^( i4 G3 ^2 E1 x  V# S
25. 
    5 w4 z; L% n% ?+ v* R3 C
26. test.ID1= 0XFF; //结构体每个元素是 uint8_t 类型
    
27. test.ID2= 0XEE;
    
28. test.ID3= 0XDD;
    3 G( B* U7 v5 J
29. test.ID4= 0XCC;
    . `( U# @0 W# N! N* o$ J
30. test.ID5= 0XBB;
    
31. test.ID6= 0XAA;
    0 F7 X3 }5 T* F& u
32. 
    
33. while (1){...}

复制代码

在程序中通过操作，写入测试数据，调用上面提到过的写ID的函数，写ID的函数是每个字节每个字节写的：

+ B4 {7 C/ ^; C0 L

, N9 w# S9 ~7 w  S1 q/ j2 K3 w

按我们希望的结果来说，读出来按照顺序打印，应该是：0xff,0xee,0xdd,0xcc,0xbb,0xaa 。测试实际上是：

) t& K8 p6 v1 W% a% ~

0 j: `2 [! \' T7 h5 H

为了确实是读的问题还是写的问题，添加了读字节的函数：

) H6 P8 \& W4 y8 i/ d- t+ B

打印的结果：

5 Y( W0 q# \- r7 k

说明确实是ID的读取函数出的问题，是因为使用的半字读取，问题处理不麻烦，我们把读取函数修改一下：

1. BlueID_STRUCT FLASH_blueIDRead(uint32_t address)
   
2. {
   
3. BlueID_STRUCT u48id;
   1 m5 k0 ?6 }# d- z
4.   // uint16_t temp1,temp2,temp3;  /**(__IO uint16_t*)address; */
   ( h9 p! A, t  T! Z/ {/ N+ L7 r
5.   // temp1=*(__IO uint16_t*)address;
   6 v; T) z0 ~0 h; d; J6 r& ?* a. P# F
6. // u48id.ID1 = (uint8_t)(temp1>>8);
   
7. // u48id.ID2 = (uint8_t)(temp1&0X00FF);
   
8.   // temp2=*(__IO uint16_t*)(address+2);
   
9. // u48id.ID3 = (uint8_t)(temp2>>8);
   - \! w5 b; q  q9 E+ {4 `( U4 S
10. // u48id.ID4 = (uint8_t)(temp2&0X00FF);
    
11. // temp3=*(__IO uint16_t*)(address+4);
    
12. // u48id.ID5 = (uint8_t)(temp3>>8);
    
13. // u48id.ID6 = (uint8_t)(temp3&0X00FF);
    
14. 
    0 p* X5 r7 M6 `8 W6 e) E
15.   u48id.ID1 =  FLASH_Readbyte(address);
    $ q; L. I; |( A) p9 q* H1 y
16.   u48id.ID2 =  FLASH_Readbyte(address+1);
    
17.   u48id.ID3 =  FLASH_Readbyte(address+2);
    3 t1 f& u) T; ~4 R* J2 h
18.   u48id.ID4 =  FLASH_Readbyte(address+3);
    
19.   u48id.ID5 =  FLASH_Readbyte(address+4);
    
20.   u48id.ID6 =  FLASH_Readbyte(address+5);
    : I4 F1 |' ]7 X/ g; o
21. 
      g2 b. }! q2 d0 z: i. @' E$ x
22.   return u48id;
    
23. }

复制代码

测试结果才正常了，如下图：

/ W+ c4 q$ i# S0 D% S! f8 P

( H5 e+ t# c+ k: Q: m2.4.2 问题的分析（大小端模式数据格式）

出现上面的问题，其实是和我们经常说的大端模式和小端模式有关的。

STM32使用的是小端模式，简单介绍一下大端模式小端模式数据存放的方式，如下图：

) B6 i$ w1 Q: Y$ p1 M& x

( ^7 I1 f: o5 S3 b. G

知道上面的知识，我们在开始的读取函数中是直接读取的半字(__IO uint16_t*)address; ，但是我们写入的时候是一个字节一个字节写入，上面的例子所以我们内存中的数据实际上如下图所示：

1 s, {* {! X4 i, p

使用(__IO uint16_t*)address; 去读取，读取出来的数值一个uint16_t类型的数值：

假设是 a，a=*(__IO uint16_t*)addr; 会有 a = 0xEEFF; 所以高8位变成了 0xEE。OK！解释清楚！问题解决！

至此，我们基本上把STM32L051 的EEPROM 和Flash 功能都测试过了，把工程中需要用到的功能做了测试，也学到了一些新的知识，还是实践出结论啊，当初没有自己测试之前看了网上的有关类似的介绍，还是很多误解，这下全部清晰了。

2.4.3 STM32L071RBT6 EEPROM读写全字问题
读问题的出现

前面其实测试过，读取全字是可以的，直接使用return *(__IO uint32_t*)address;：便可以读到该地址的全字：

1. uint32_t  FLASH_ReadWord(uint32_t address)
   % C" f1 m" Q: w/ @/ @
2. {
   
3.   return *(__IO uint32_t*)address;
   ) t  W- e9 m# Q% D* c
4. }

复制代码

: k1 X) _0 A! @, R

所以在后面使用过程中，有这么一个函数：

" {6 }5 P7 q: [1 _) c9 K

4 D7 o3 A. W( A8 m7 B# @6 t

一开始还真的不知道哪里出了问题？折腾了好一阵才发现调用函数读取ID时就会卡死。

2 m+ P4 m( j) L& y' A) n

问题的解决：

因为还有另外一个蓝牙版本的产品，如果是蓝牙设备的ID，因为蓝牙设备的ID是6位的，所以当时读取蓝牙的ID的时候使用的是（蓝牙版本是没问题的）：

, Q8 ~! Q( F% D! X

其实折腾了好一会儿，后来想着蓝牙是读一个字节，要不要试着把 全字 分为 4个字节，单独读取试一试？

于是学蓝牙把程序分为4个字节读取：

9 e8 l2 Q0 h( _0 l/ l% G( i

: Y0 _6 T* g" \5 S' H( F" C2 A

代码也放一下，方便复制：

1. u32 FLASH_ReadEnoceanID(uint32_t address)
   $ f8 O+ e; Z* k+ [
2. {
   
3.   u32 keepid;
   1 R7 W' u) i0 q
4.   u8 i;
   
5.   keepid = FLASH_Readbyte(address);
   
6.   i = FLASH_Readbyte(address + 1);
   0 F& B7 ~5 q( G" a+ c
7.   keepid = (i<<8)|keepid;
   2 q) w1 I  y7 F! i
8.   i = FLASH_Readbyte(address + 2);
   
9.   keepid = (i<<16)|keepid;
   
10.   i = FLASH_Readbyte(address + 3);
    9 \: v7 w8 I( g& R1 a
11.   keepid = (i<<24)|keepid;
    1 ~9 H6 e- M" M( X" {
12.   return keepid;
    
13. }
    
14. 
    9 c9 M8 |! G8 \) e6 ]' S) x0 ^
15. CHID_STRUCT Flash_PowerOn_Check()
    
16. {
    
17. 
    ' Z" Q7 J( h+ n
18. CHID_STRUCT PowerOn_ID;
    2 L, U+ P! P* ?8 Y$ ~# ~( h
19. PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH1_ID_ADDR);
    
20. PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH2_ID_ADDR);
    
21. PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH3_ID_ADDR);
    
22. PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH4_ID_ADDR);
    
23. PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH5_ID_ADDR);
    
24. PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH6_ID_ADDR);
    & t' O+ E! b0 ?& C6 o0 G
25. PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH7_ID_ADDR);
    " f$ d1 K( r  O6 e
26. PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH8_ID_ADDR);
    - X; g/ g- x; I7 ~9 k! G; b( [
27. PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH9_ID_ADDR);
    " S0 @0 T0 W7 J$ c# F3 B; p/ c3 y( N9 L
28. PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH10_ID_ADDR);
    
29. 
    
30. return PowerOn_ID;
    7 S7 Q0 q8 O' @/ }, f& j% q
31. }

复制代码

测试一下，发现就好了，至于原因，目前还不知道为什么……（最后问题解决有说明，内存字节对齐问题）

写问题的出现

本来以为解决了上面问题OK了，可是后面测试的时候发现写的时候也有问题：

一直用的写全字函数为：

1. FLASH_Status  FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   
2. {
   - T* l% m/ ?# Z- y6 V$ G6 h8 ~
3. 
   9 \0 A$ Q3 [8 ?; d2 N+ u2 ?, j" K
4. FLASH_Status i = FLASH_COMPLETE;
   
5. 
   
6. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();  
   7 f& o2 O: `" i, J6 X1 Z; B7 t
7.   while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, Address, Data) != HAL_OK);
   ) T+ M8 S5 H1 f. l$ d
8. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   
9. 
   - A$ d% c9 ?! G* h
10. return i;
    - e' `7 b( N$ O6 E* j( i# G
11. }

复制代码

在程序中会调用此函数进行 ID 保存：

( W; c, Z1 o# L/ v0 ]

8 o8 u+ I* x) I+ @; S

但是使用时候发现：

2 Y# c& `6 p8 t& m% a

7 c, ~* V9 o7 z5 v/ w6 ^, i

问题的解决：

其实这个问题也莫名其妙，真是说不出来为什么，估计是得详细的查看数据手册，但是还是 因为 在蓝牙的版本上面没有此类问题：

" }  w3 u) [3 ~, Y# ]6 v: j0 o6 z

所以这里还是尝试改成 以 字节 方式写入：

1. FLASH_Status  FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   6 D  G/ {+ M7 g! v: F
2. {
   
3. 
   
4.   FLASH_Status state = FLASH_COMPLETE;
   ! O& |. M8 P+ ~, p7 H1 I
5.   u8 i = 0;
   9 T# ?9 [( C0 l# C$ u6 b
6.   u8 writedata[6]={0};
   ) ?2 N" e& v2 B* F3 E7 I: i) _
7. 
   
8.   writedata[0] = (u8)Data;
   
9.   writedata[1] = (u8)(Data>>8);
   
10.   writedata[2] = (u8)(Data>>16);
    
11.   writedata[3] = (u8)(Data>>24);
    3 S1 S8 l4 P  L0 y3 R
12. 
    
13. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();  
    % B7 r6 w- c* g: i' [6 b
14.   for(i=0; i<4; i++){
    
15.     while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, Address + i, writedata[i]) != HAL_OK);
    
16.   }
    
17. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    
18. 
    
19. return state;
    " y  N+ p7 u+ \% S7 G/ G
20. }

复制代码

使用此种方式写入，就不会出现问题！

其实也可以尝试修改地址，使得成为 4 的倍数，可能也不会出问题，这里就不测试了（最后问题解决有还是测试了，内存字节对齐问题）

2.4.3小结使用的芯片为  STM32L071RBT6

! \( |# {, q# i: }- B1 O, D3 m0 M最后问题的解决

先直接说结论，就是EEPROM地址定义的问题，应该是4字节对齐（4的整数倍），读取全字的操作才能正常！

上面 STM32L071RBT6 EEPROM 读写全字问题的关键在于，存储地址的定义上，如上面一张图所示：（我在EEPROM区域定义了10个地址，用来存放无线设备的ID数据，如果是蓝牙芯片，那么ID为6个字节，如果是Enocean芯片，那么ID为4个字节，为了保持代码的统一，我在使用保存4个字节的ID数据的地址定义时候沿用的是蓝牙的 EEPROM区域定义）

& r6 y& p8 L8 u& T

那么正如我图中猜想的一样，蓝牙的 ID 6个字节，我是都是通过一个字节一个字节操作，组合起来进行的，所以一切正常。但是对于 4个字节的 ID ，期初是用的 全字的方式，就出问题了，换成一个字节一个字节的操作，看上去是解决问题了。

但是实际上多了一些隐藏问题，暂时也说不清楚，在产品使用的时候，读写ID还是会有莫名其妙的问题，最终还是对当初的这个猜想，地址是不是也需要4字节对齐？进行了修改测试，于是乎，对于 4 个字节 ID的处理，地址改成：

4 r" Y4 }* h. P- V! [

把地址修改成 4  的倍数以后，上面的读取全字的两个函数便可以正常使用，而不会出上面莫名其妙的问题。