本文测试 L051 flash的读写，用来处理以后应用中的掉电数据保存。

1、STM32L051内部存储模块地址范围

开始找到F103的FLASH图复习了一遍，然后L051C8T6,64KB的flash，  然后我惊奇的发现还有2KB的EEPROM。发现L051系列的地址与F103完全不同，F103的flash每页的长度有1KB（小容量<=64KB）和2KB（大容量128KB起）查看各种资料， 查了2个小时， 还是不知道L051的flash 每页长度是 128Byte 还是256Byte？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？还是请教了一下大佬，发现直接在J-Flash中可以找到答案，先上个F103的图：

然后来看个L051的图：图中64KB 的flash 和2KB的EEPROM都能都明显的看出地址，flash 512页，每页128bytes，EEPROM只有4页，每页512bytes.知道了基本的地址，就可以操作起来了。

最后还需要确定的一点事，最小擦除单元是128bytes，还是256bytes，按以前的认知，删除是按照一个Sector擦除的，也就是128bytes，但是我查看了一些网上的例子和资料，有的是说256bytes，所以后面需要自己确定一下

其实在HAL库的 stm32l0xx_hal_flash.h 文件中有过 FLASH_PAGE_SIZE    的定义，就是128bytes       ：

1. #define FLASH_SIZE                (uint32_t)((*((uint32_t *)FLASHSIZE_BASE)&0xFFFF) * 1024U)
   
2. #define FLASH_PAGE_SIZE           ((uint32_t)128U)  /*!< FLASH Page Size in bytes */

复制代码

对于flash的操作，有一些基础知识补充一下：

Read interface organized by word, half-word or byte in every area • Programming in the Flash memory performed by word or half-page • Programming in the Option bytes area performed by word • Programming in the data EEPROM performed by word, half-word or byte • Erase operation performed by page (in Flash memory, data EEPROM and Option bytes)

STM32L051写Flash必须字，读 字节、半字、字都支持。（这句话也是错误的，这是以前哪里看到的，实际测试写可以根据字，半字，字节来写）

一些基本概念：定义字是根据处理器的特性决定的。首先ARM是32bit处理器，所以它的字是32bit的。半字自然就是16bit；字节不论在哪个CPU上都是8bit。1 Byte = 8 bits（即 1B=8b） 1 KB = 1024 Bytes Bit意为“位”或“比特”，是计算机运算的基础，属于二进制的范畴；Byte意为“字节”，是计算机文件大小的基本计算单位；

2、读写函数的设计

HAL库中肯定是有对flash和EEPROM进行操作的函数，我们这里新建一个stml0_flash.c 和stml0_flash.h 函数分别放在对应位置，进行自己的函数设计。库中Flash与EEPROM的函数看样子是分别放在 stm32l0xx_hal_flash.c 和 stm32l0xx_hal_flash_ex.c 中的，我们先使用EEPROM，因为提供EEPROM，就是让用户可以保存一些掉电后的数据的嘛，测试完EEPROM，再去测试下flash，因为怕有时候数据不够放……

2.1 读取函数

1. //读取指定地址的半字(16位数据)
   
2. uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address)
   
3. {
   
4.   return *(__IO uint16_t*)address;
   
5. }
   
6. 
   
7. //读取指定地址的全字(32位数据)
   
8. uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address)
   
9. {
   
10.   return *(__IO uint32_t*)address;
    
11. }

复制代码

简单测试一下：

1. u32 read_data1=0XFFFFFFFF;
   
2. u32 read_data2=0XFFFFFFFF;
   
3. ...
   
4. read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
   
5. printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
   
6. read_data2 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR + EEPROM_PAGE_SIZE);
   
7. printf("the EEPROM sceond page test data is: 0x %x \r\n",read_data2);

复制代码

没有写入数据读取的值应该都是0。

2.2   EEPROM写函数

对EEPROM的写函数：stm32l0xx_hal_flash_ex.h中函数如下：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(void);
   
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(void);
   
3. 
   
4. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address);
   
5. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);

复制代码

通过函数看来，可以直接用，但是这里有一个问题

需要测试一下，擦除是否会擦除整个扇区，有待验证！！

答：EEPROM的擦除可以直接擦除某个地址的字，不会擦除整个片区

EEPROM的操作相对Flash，比较简单，直接使用HAL库中的函数即可完成

1. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
2. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
   
3. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   
4. ...
   
5. if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
   
6.         printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
   
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
8.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(DATA_EEPROM_START_ADDR+4);
   
9.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   
10.         HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
    
11.     }
    
12. ...
    
13. if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    
14.         printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");
    
15.         read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
    
16.         printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
17.     }

复制代码

按照上面的例子，擦除DATA_EEPROM_START_ADDR+4的地址不会影响DATA_EEPROM_START_ADDR地址的开始写入的数据 写入一样，如果不在意以前的数据，直接写入就可以。 总结来说EEPROM的使用还是很好用而且简单的。而且EEPROM是可以按照字节，半字，全字写入的，测试了一下，是右对齐

右对齐什么意思呢，打个比方就是如果在地址 addr 中，本来写入全字 0x12345678 然后直接在EEPROM 的 addr 这个地址，写入半字 0xFFFF， 再读取全字的话，addr 地址的全字就变成了 0x1234FFFF  ，这个具体的为什么在地址写入半字，不会直接从地址开始占用2个字节，是因为地址的类型为 uint32_t ，所以该地址就是 4个字节类型的数。

写入问题说明修改

2021/11/23 修改说明 上面一段的解释有误，这里修改一下，不是因为地址类型为uint32_t，地址类型永远是这个，是因为定义的数据类型为uint32_t ，然后STM32又是小端模式，所以保存的方式是从地址的最后开始保存，4个字节的全字，第一个字节放在地址开始+4 的位置，第二个字节放在地址开始+3的位置，所以如果调用HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);关键在于FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD以全字方式写入半字，那么内核会自动分配4个字节的宽度，半字的第一个字节放在写入地址+4 的位置，第二个字节放在写入地址+3的位置，所以导致了上面的结果

1.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
2.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, DATA_EEPROM_START_ADDR, 0X88);
   
3.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   
4.   read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
   
5.   printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);

复制代码

最后在 stml0_flash.h 中把函数完善声明一下，使得主函数中的程序更加简洁。

1. void MY_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)   
   
2. {
   
3. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();        
   
4.     HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(TypeProgram, Address, Data);
   
5. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   
6. }

复制代码

那么L051 的EEPROM的测试就到这里，其实有EEPROM，在项目中的保存数据的功能就问题不大了，但是我们既然开始了，就把L051 Flash的读写也测试一下。

2.3   Flash写函数

Flash的读取其实和EEPROM一样，主要是写函数，来看一下stm32l0xx_hal_flash.h 中有哪些函数

1. /* IO operation functions *****************************************************/
   
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
   
3. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program_IT(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
   
4. 
   
5. /* FLASH IRQ handler function */
   
6. void       HAL_FLASH_IRQHandler(void);
   
7. /* Callbacks in non blocking modes */
   
8. void       HAL_FLASH_EndOfOperationCallback(uint32_t ReturnValue);
   
9. void       HAL_FLASH_OperationErrorCallback(uint32_t ReturnValue);
   
10. 
    
11. /**
    
12.   * @}
    
13.   */
    
14. 
    
15. /** @addtogroup FLASH_Exported_Functions_Group2
    
16.   * @{
    
17.   */
    
18. /* Peripheral Control functions ***********************************************/
    
19. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
    
20. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);
    
21. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Unlock(void);
    
22. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Lock(void);
    
23. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Launch(void);

复制代码

有点忙，Flash的后面再也，看了几个demo，只需要做几个测试就可以；

2021.8.5  今天有空来接着测试一下L051  Flash的读写，看了下HAL_FLASH_Program函数：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)
   
2. {
   
3.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_ERROR;
   
4.   
   
5.   /* Process Locked */
   
6.   __HAL_LOCK(&pFlash);
   
7. 
   
8.   /* Check the parameters */
   
9.   assert_param(IS_FLASH_TYPEPROGRAM(TypeProgram));
   
10.   assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));
    
11. 
    
12.   /* Wait for last operation to be completed */
    
13.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
14.   
    
15.   if(status == HAL_OK)
    
16.   {
    
17.     /* Clean the error context */
    
18.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    
19. 
    
20.     /*Program word (32-bit) at a specified address.*/
    
21.     *(__IO uint32_t *)Address = Data;
    
22. 
    
23.     /* Wait for last operation to be completed */
    
24.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
25.   }
    
26. 
    
27.   /* Process Unlocked */
    
28.   __HAL_UNLOCK(&pFlash);
    
29. 
    
30.   return status;
    
31. }
    

复制代码

这里也再次说明了，L051的写必须以字的方式写入。

不管了，先测试一下，不擦除直接写入，这里先定义一下写入的地址，前面我们已经知道了L051 flash一共 512页，每页128bytes，所以我们直接拿最后面的几页来测试

1. #define ADDR_FLASH_PAGE_505      0X08000000 + 128*504   //
   
2. #define ADDR_FLASH_PAGE_506      0X08000000 + 128*505   //
   
3. #define ADDR_FLASH_PAGE_507      0X08000000 + 128*506   //
   
4. #define ADDR_FLASH_PAGE_508      0X08000000 + 128*507   //
   
5. #define ADDR_FLASH_PAGE_509      0X08000000 + 128*508   //
   
6. #define ADDR_FLASH_PAGE_510      0X08000000 + 128*509   //
   
7. #define ADDR_FLASH_PAGE_511      0X08000000 + 128*510   //
   
8. #define ADDR_FLASH_PAGE_512      0X08000000 + 128*511   //最后一页

复制代码

开始先不擦除，直接在最后一页写入一个字读取一下试试，整理一下写入函数：

1. void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data)   
   
2. {
   
3. HAL_FLASH_Unlock();        
   
4.   if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
   
5.     printf("write data 0x%x OK\n", Data);
   
6.   }
   
7.   else{
   
8.     printf("failed!!!\n");
   
9.   }
   
10. HAL_FLASH_Lock();
    
11. }

复制代码

测试一下；

1.   MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_512,write_data2);
   
2.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_512);
   
3.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_512 is: 0x %x \r\n",read_data1);

复制代码

在没有写入flash之前，该地址读出来的数据为0，写入后读出来是正常写入的数据这里有个疑问，按理来说，flash存储器有个特点，就是只能写0，不能写1，所以flash的写入，比需先擦除，或者至少检查一下该数据区是否可以写入，但是L051 怎么初始的时候读出来是0？ 难道L051的有区别，需要测试一下

先在一个地址写0XFFFFFFFF ，然后写完了再写一次别的数据看看能否直接写入，结果是写入了0XFFFFFFFF ，不能继续直接写数据，说明，估计L051是相反的，这里具体是不是我只看测试结果，结论的话我自己知道就可以应用，希望有权威大神指正。

这里我们得用到一个关键的函数 ，这个函数是在stm32l0xx_hal_flash_ex.c 这个文件中的，是flash的擦除函数：HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

所以这里我们知道了以后，可以优化一下写入函数，我们项目中用到的是可以直接对某个地址的写入，然后也不需要保存，此页其他的数据，所以我们把函数改成如下：

1. void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data)   
   
2. {
   
3.   FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
   
4.   uint32_t checkdata;
   
5.   uint32_t PAGEError = 0;
   
6.   checkdata = FLASH_ReadWord(Address);
   
7. HAL_FLASH_Unlock();
   
8.   /*如果是0，直接写*/
   
9.   if(checkdata == 0){      
   
10.     if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
    
11.       printf("write data 0x%x OK\n", Data);
    
12.     }
    
13.     else{
    
14.       printf("failed!!!\n");
    
15.     }
    
16.   }
    
17.   /*否则擦除再写*/
    
18.   else{
    
19.      __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
    
20. 
    
21.       EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // 刷除方式
    
22.    EraseInitStruct.PageAddress = Address; // 起始地址
    
23.       EraseInitStruct.NbPages = 1;
    
24. 
    
25.       if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK)
    
26.       {
    
27.         // 如果刷除错误
    
28.         printf("\r\n FLASH Erase Fail\r\n");
    
29.         printf("Fail Code:%d\r\n",HAL_FLASH_GetError());
    
30.         printf("Fail Page:%d\r\n",PAGEError);
    
31.       }
    
32. 
    
33.       if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
    
34.       printf("write data 0x%x OK\n", Data);
    
35.       }
    
36.       else{
    
37.         printf("failed!!!\n");
    
38.       }
    
39. 
    
40.   }
    
41. HAL_FLASH_Lock();
    
42. }

复制代码

自己修改了一个函数， 改成这样以后，就能直接在想写入的地方写入数据了，到这里，flash足够我项目中的使用了。但是还有最后一个疑问，就是擦除的一页到底是不是128bytes我来验证一下。

1. u32 write_data1 = 0X12345678;
   
2. u32 write_data2 = 0X87654321;
   
3. u32 write_data3 = 0XFFFFFFFF;
   
4. 
   
5. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124,0X508508FF);
   
6. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,write_data3);
   
7. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+4,write_data2);
   
8. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+8,write_data1);
   
9. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_510,0X510510FF);
   
10. 
    
11. read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);
    
12. printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
13.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);
    
14.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
15.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);
    
16.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
17.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);
    
18.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
19.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);
    
20.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
21. 
    
22. if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    
23.         printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");
    
24.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);
    
25.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
26.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);
    
27.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
28.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);
    
29.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
30.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);
    
31.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
32.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);
    
33.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
34. 
    
35.     }
    
36. if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    
37.         // printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
    
38.         // MY_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
    
39.         printf(" K1 150ms button!,flash write test\r\n");
    
40.         MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,0X33333333);
    
41.         HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
    
42.     }

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因为地址位置如果有数据的话会擦除一页再写入，所以我们看了一下508页最后一个地址，和510页的第一个地址数据，对509页的数据进行了操作，结果发现不会改变508 和510的数据，509页的数据会全部清除!

所以得出的结论显而易见，flash擦除按照一页一页擦除， 在L051上面一页为128bytes，而且擦除后数据全部为 0；

2.4 读写EEPROM的后续问题

最近有一个项目，因为缺货 STM32L051R系列缺货，买了 STM32L071RBT6 替代：

看了一下地址，其实我们上面所有的测试代码基本都是可以直接用的，代码直接用STM32L051的代码也是可以的，实际项目中，还是使用EEPROM比较方便，所以在使用EEPROM的时候，发现了一个问题（并不是换了芯片的问题），还是数据读取和写入的问题。

2.4.1 问题的出现和解决

下面程序的硬件平台是 STM32L071RBT6，首先在程序中，有一个写ID的函数：

写入IO是通过字节的方式 byte  写入的，写了6个字节（蓝牙设备的ID）。

然后最初读取的函数用的是：

使用这个读ID的函数，问题就出来了。上图代码中，我读取ID使用的是半字读取，处理方式是把读到的半字前面8位给ID1， 后面8位给ID2， 但是测试中发现 数据读出来与想要的相反，什么意思呢，看下面的测试说明：

上电打印出EEPROM中读取的一个地址的，每个ID（每个ID是uint8_t类型）的数据，在代码开始定义了测试数据：

1. BlueID_STRUCT test;
   
2. ...
   
3. /*
   
4. CHBlueID_STRUCT Flash_PowerOn_BlueCheck()
   
5. {
   
6. 
   
7. CHBlueID_STRUCT PowerOn_ID;
   
8. PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_blueIDRead(CH1_ID_ADDR);
   
9. PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_blueIDRead(CH2_ID_ADDR);
   
10. PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_blueIDRead(CH3_ID_ADDR);
    
11. PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_blueIDRead(CH4_ID_ADDR);
    
12. PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_blueIDRead(CH5_ID_ADDR);
    
13. PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_blueIDRead(CH6_ID_ADDR);
    
14. PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_blueIDRead(CH7_ID_ADDR);
    
15. PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_blueIDRead(CH8_ID_ADDR);
    
16. PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_blueIDRead(CH9_ID_ADDR);
    
17. PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_blueIDRead(CH10_ID_ADDR);
    
18. 
    
19. return PowerOn_ID;
    
20. }
    
21. */
    
22. BlueChipID = Flash_PowerOn_BlueCheck(); //上电先把ID读出来做比较
    
23. //打印一个出来测试，看结果
    
24. printf("BlueChipID.CH1ID is 0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x\r\n",BlueChipID.CH1ID.ID1,BlueChipID.CH1ID.ID2,BlueChipID.CH1ID.ID3,BlueChipID.CH1ID.ID4,BlueChipID.CH1ID.ID5,BlueChipID.CH1ID.ID6);
    
25. 
    
26. test.ID1= 0XFF; //结构体每个元素是 uint8_t 类型
    
27. test.ID2= 0XEE;
    
28. test.ID3= 0XDD;
    
29. test.ID4= 0XCC;
    
30. test.ID5= 0XBB;
    
31. test.ID6= 0XAA;
    
32. 
    
33. while (1){...}

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在程序中通过操作，写入测试数据，调用上面提到过的写ID的函数，写ID的函数是每个字节每个字节写的：

按我们希望的结果来说，读出来按照顺序打印，应该是：0xff,0xee,0xdd,0xcc,0xbb,0xaa 。测试实际上是：

为了确实是读的问题还是写的问题，添加了读字节的函数：

打印的结果：

说明确实是ID的读取函数出的问题，是因为使用的半字读取，问题处理不麻烦，我们把读取函数修改一下：

1. BlueID_STRUCT FLASH_blueIDRead(uint32_t address)
   
2. {
   
3. BlueID_STRUCT u48id;
   
4.   // uint16_t temp1,temp2,temp3;  /**(__IO uint16_t*)address; */
   
5.   // temp1=*(__IO uint16_t*)address;
   
6. // u48id.ID1 = (uint8_t)(temp1>>8);
   
7. // u48id.ID2 = (uint8_t)(temp1&0X00FF);
   
8.   // temp2=*(__IO uint16_t*)(address+2);
   
9. // u48id.ID3 = (uint8_t)(temp2>>8);
   
10. // u48id.ID4 = (uint8_t)(temp2&0X00FF);
    
11. // temp3=*(__IO uint16_t*)(address+4);
    
12. // u48id.ID5 = (uint8_t)(temp3>>8);
    
13. // u48id.ID6 = (uint8_t)(temp3&0X00FF);
    
14. 
    
15.   u48id.ID1 =  FLASH_Readbyte(address);
    
16.   u48id.ID2 =  FLASH_Readbyte(address+1);
    
17.   u48id.ID3 =  FLASH_Readbyte(address+2);
    
18.   u48id.ID4 =  FLASH_Readbyte(address+3);
    
19.   u48id.ID5 =  FLASH_Readbyte(address+4);
    
20.   u48id.ID6 =  FLASH_Readbyte(address+5);
    
21. 
    
22.   return u48id;
    
23. }

复制代码

测试结果才正常了，如下图：

2.4.2 问题的分析（大小端模式数据格式）

出现上面的问题，其实是和我们经常说的大端模式和小端模式有关的。

STM32使用的是小端模式，简单介绍一下大端模式小端模式数据存放的方式，如下图：

知道上面的知识，我们在开始的读取函数中是直接读取的半字(__IO uint16_t*)address; ，但是我们写入的时候是一个字节一个字节写入，上面的例子所以我们内存中的数据实际上如下图所示：

使用(__IO uint16_t*)address; 去读取，读取出来的数值一个uint16_t类型的数值：

假设是 a，a=*(__IO uint16_t*)addr; 会有 a = 0xEEFF; 所以高8位变成了 0xEE。OK！解释清楚！问题解决！

至此，我们基本上把STM32L051 的EEPROM 和Flash 功能都测试过了，把工程中需要用到的功能做了测试，也学到了一些新的知识，还是实践出结论啊，当初没有自己测试之前看了网上的有关类似的介绍，还是很多误解，这下全部清晰了。

2.4.3 STM32L071RBT6 EEPROM读写全字问题
读问题的出现

前面其实测试过，读取全字是可以的，直接使用return *(__IO uint32_t*)address;：便可以读到该地址的全字：

1. uint32_t  FLASH_ReadWord(uint32_t address)
   
2. {
   
3.   return *(__IO uint32_t*)address;
   
4. }

复制代码

所以在后面使用过程中，有这么一个函数：

一开始还真的不知道哪里出了问题？折腾了好一阵才发现调用函数读取ID时就会卡死。

问题的解决：

因为还有另外一个蓝牙版本的产品，如果是蓝牙设备的ID，因为蓝牙设备的ID是6位的，所以当时读取蓝牙的ID的时候使用的是（蓝牙版本是没问题的）：

其实折腾了好一会儿，后来想着蓝牙是读一个字节，要不要试着把 全字 分为 4个字节，单独读取试一试？

于是学蓝牙把程序分为4个字节读取：

代码也放一下，方便复制：

1. u32 FLASH_ReadEnoceanID(uint32_t address)
   
2. {
   
3.   u32 keepid;
   
4.   u8 i;
   
5.   keepid = FLASH_Readbyte(address);
   
6.   i = FLASH_Readbyte(address + 1);
   
7.   keepid = (i<<8)|keepid;
   
8.   i = FLASH_Readbyte(address + 2);
   
9.   keepid = (i<<16)|keepid;
   
10.   i = FLASH_Readbyte(address + 3);
    
11.   keepid = (i<<24)|keepid;
    
12.   return keepid;
    
13. }
    
14. 
    
15. CHID_STRUCT Flash_PowerOn_Check()
    
16. {
    
17. 
    
18. CHID_STRUCT PowerOn_ID;
    
19. PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH1_ID_ADDR);
    
20. PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH2_ID_ADDR);
    
21. PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH3_ID_ADDR);
    
22. PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH4_ID_ADDR);
    
23. PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH5_ID_ADDR);
    
24. PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH6_ID_ADDR);
    
25. PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH7_ID_ADDR);
    
26. PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH8_ID_ADDR);
    
27. PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH9_ID_ADDR);
    
28. PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH10_ID_ADDR);
    
29. 
    
30. return PowerOn_ID;
    
31. }

复制代码

测试一下，发现就好了，至于原因，目前还不知道为什么……（最后问题解决有说明，内存字节对齐问题）

写问题的出现

本来以为解决了上面问题OK了，可是后面测试的时候发现写的时候也有问题：

一直用的写全字函数为：

1. FLASH_Status  FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   
2. {
   
3. 
   
4. FLASH_Status i = FLASH_COMPLETE;
   
5. 
   
6. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();  
   
7.   while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, Address, Data) != HAL_OK);
   
8. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   
9. 
   
10. return i;
    
11. }

复制代码

在程序中会调用此函数进行 ID 保存：

但是使用时候发现：

问题的解决：

其实这个问题也莫名其妙，真是说不出来为什么，估计是得详细的查看数据手册，但是还是 因为 在蓝牙的版本上面没有此类问题：

所以这里还是尝试改成 以 字节 方式写入：

1. FLASH_Status  FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   
2. {
   
3. 
   
4.   FLASH_Status state = FLASH_COMPLETE;
   
5.   u8 i = 0;
   
6.   u8 writedata[6]={0};
   
7. 
   
8.   writedata[0] = (u8)Data;
   
9.   writedata[1] = (u8)(Data>>8);
   
10.   writedata[2] = (u8)(Data>>16);
    
11.   writedata[3] = (u8)(Data>>24);
    
12. 
    
13. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();  
    
14.   for(i=0; i<4; i++){
    
15.     while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, Address + i, writedata[i]) != HAL_OK);
    
16.   }
    
17. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    
18. 
    
19. return state;
    
20. }

复制代码

使用此种方式写入，就不会出现问题！

其实也可以尝试修改地址，使得成为 4 的倍数，可能也不会出问题，这里就不测试了（最后问题解决有还是测试了，内存字节对齐问题）

2.4.3小结使用的芯片为  STM32L071RBT6

最后问题的解决

先直接说结论，就是EEPROM地址定义的问题，应该是4字节对齐（4的整数倍），读取全字的操作才能正常！

上面 STM32L071RBT6 EEPROM 读写全字问题的关键在于，存储地址的定义上，如上面一张图所示：（我在EEPROM区域定义了10个地址，用来存放无线设备的ID数据，如果是蓝牙芯片，那么ID为6个字节，如果是Enocean芯片，那么ID为4个字节，为了保持代码的统一，我在使用保存4个字节的ID数据的地址定义时候沿用的是蓝牙的 EEPROM区域定义）

那么正如我图中猜想的一样，蓝牙的 ID 6个字节，我是都是通过一个字节一个字节操作，组合起来进行的，所以一切正常。但是对于 4个字节的 ID ，期初是用的 全字的方式，就出问题了，换成一个字节一个字节的操作，看上去是解决问题了。

但是实际上多了一些隐藏问题，暂时也说不清楚，在产品使用的时候，读写ID还是会有莫名其妙的问题，最终还是对当初的这个猜想，地址是不是也需要4字节对齐？进行了修改测试，于是乎，对于 4 个字节 ID的处理，地址改成：

把地址修改成 4  的倍数以后，上面的读取全字的两个函数便可以正常使用，而不会出上面莫名其妙的问题。