
请问下各位大佬,stm32的外部中断(下降沿或者上升沿触发)能够采样到的边沿是否有具体要求,我在spec里面只看到说能采样到比主频短的脉冲,但是对边沿的时间没有具体的表述,比如能采到多快的下降沿?或者说外部中断的采样机制是电平采样,再GPIO CLK的边沿对电平采样来判断边沿是否变化? 再F1的手册里面看到有要求,但是在G0里面没看到 |
使用touchgfx控件modalWindow,显示会有条纹
stm32mp135f-dk stm32cubeprogrammer无法下载
LIS2MDL X轴数据读取问题
stm32cubemx和数据手册对不上
STM32H745启动与烧录问题
STM32G0b1 USB device cdc显示设备描述符请求失败
STM32U575 SPI&GPDMA
L9663驱动开发
STM32N6的摄像头下采样是怎么实现的
x-nucleo-nfc08a1适不适配nucleo144
不过这个芯片主频最大64M,那么检测的频率也不应该再快多少,否则速率也跟不上,实际应用没有什么意义了。
好吧,谢谢大佬
大佬,想再请教一个问题,这颗芯片主频64M的,理论上采一个间隔4ms,脉冲宽度40ns的脉冲是没问题的吧?
我的理解是GPIO的clk频率是APB时钟的频率,40ns是2个时钟周期以上,理论上应该能够采到