在当今数字化时代,联网设备如可穿戴设备,智能家居产品等的数量呈指数级增长,提升了消费者和家庭用户的便利性、效率和互联水平。然而,这种增长也伴随着网络威胁的加剧,一切联网设备都有可能受到恶意攻击的威胁,造成个人用户信息的泄露及设备制造商的业务损失。消费类物联网产品安全面临着全方位的挑战,这使得加强网络安全措施变得尤为重要。, L: M: m( n# i- c; W1 [& ^ EN 303 645作为网络安全领域的关键标准,提供了一个综合性框架,可满足联网设备的网络安全要求。 ) z( f: M1 v9 U/ `9 Q6 @ EN 303 645消费类物联网产品网络安全标准解析) N$ |2 Q |8 h ) N' ^ d+ L$ i9 D- F: W- U+ j EN 303 645标准是目前物联网产品评估和验证的主要标准之一,尤其针对消费类物联网产品。EN 303 645最初受英国物联网安全行为准则的启发,逐渐发展成为欧盟认可的安全标准,是欧盟级消费类物联网产品认证计划的重要参考。因此,符合该标准要求将成为衡量消费类物联网产品安全的重要指标,也为符合欧盟级认证做好准备。: W* W# R6 X V) }& [: K8 X, K* ~, Y6 B 8 ]( @. Z& Y, b: ]5 U: O EN 303 645标准涵盖了安全通信、软件更新、密码保护和漏洞处理等方面,旨在提高物联网设备的整体安全状况,有助于保护消费者免受潜在的网络攻击。* K% W! K4 g$ Z 设备制造商在其产品中实施 EN 303 645标准可以将风险降至最低,让产品更安全合规,提高用户的产品满意度,开拓更广泛的市场,从而获得更大的竞争优势。 ST助你轻松迈过 “安全关”!; M2 @6 [" n1 _1 a# d3 P 如何顺利通过安全标准的评估?作为设备制造商来说,必须对合规信息有准确的了解。仅创建安全应用已无法满足需求。底层微控制器还必须能够证明其安全性并提供重要的安全功能,要实现这些微控制器级的安全功能,需要微控制器和半导体层面的安全专业知识。而大多物联网设备制造商没有意识到这一点,对这种底层相关的安全知识更是了解甚少。这对于物联网设备制造商来说是个严峻挑战。针对物联网设备面临的安全挑战,半导体业界也在不断推出相关的安全功能丰富的微控制器,以帮助制造商顺利解决这个难题。为了验证ST微控制器的安全保障能力,ST进行了相关的安全评估及认证,其中物联网平台安全评估标准SESIP就是其中很重要的安全评估框架。 " a! Z: J3 m! i" W; |% S 物联网平台安全评估标准 (SESIP)5 I, [$ D7 N) @ 物联网平台安全评估标准 (SESIP) 是一个不受限于供应商的多级安全认证标准,适用于物联网中部署的设备。该标准由Global Platform发布,详细描述了物联网平台安全评估及其组成部分的具体要求。2023年11月,SESIP作为欧洲EN 17927标准发布。9 C( I9 \0 @% L' L) T* Q 6 I2 \ x y5 T4 d7 v9 s' \9 c SESIP采用五个认证级别,随着级别的增加,测试的复杂性和严格性也会增加。每个等级对应不同的安全需求和应用场景。对于通用微控制器,SESIP 3级认证被认为是最高级别,它提供了足够的安全保证,也是物联网平台的重要安全级别。 意法半导体帮助物联网设备商解决合规挑战* L! j+ ]2 Y: J( V' p0 N% [ 为了帮助物联网设备制造商满足 EN 303 645安全标准合规要求,意法半导体提供经过SESIP 3级认证的STM32微控制器,包括最新的超低功耗STM32U5、STM32U0、高性能STM32H5和STM32H7R/S、无线STM32WBA系列微处理器等。这些器件目前都通过了SESIP 3级认证,具有强大的抵御软件和物理攻击的能力。 9 ]' j1 D& T% O 对于物联网设备厂商来说,在产品设计中选择使用通过SESIP 3级认证的微控制器,可提高产品的安全性,合规性,加速认证过程并节约认证成本。 & \, U( C* c# A 意法半导体还提供STM32Trust解决方案,遵循主要的物联网认证要求,总结出12项安全功能帮助设备厂商理解安全需求,提供一系列的工具和资源,比如参考设计,软件库及文档和培训,也可提供来自第三方合作伙伴的硬件、软件和设计服务,帮助设备厂商快速完成安全设计,达到安全标准的要求。& Q. Y/ [1 Z! c 综上所述,意法半导体提供SESIP 3级认证的微控制器及完整的信息安全解决方案,帮助设备制造商降低开发成本,提升市场竞争力,快速高效地将产品推向市场,以赢得市场先机。同时满足相关法规和包括EN 303 645在内的安全标准的要求,有助于保护最终用户的隐私和数据安全,促进消费类物联网生态系统的健康发展。& G' ~% f" K m/ m3 l7 @ |
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