STM32G431 用MCSDK5.4.8 进行PMSM永磁同步电机FOC控制,转速上升到某一值(3500rpm)无法继续上升,上不去
TOF传感器无法正确识别物体
SDIO读取TF卡,1bit模式正常,4bit模式无法读取
Cubemx的外部低速时钟已激活但时钟树中HSI无法选择
STM32H750VBT6无法使用flymcu.exe或flashloader,通过串口1烧写程序
STM32H723VGT6 通过USART1/3连接CubeProgrammer失败
在stm32cubeAI上,打开Lanuch NeuralNet Studio提示打不开
STM32CUBEMX生成代码格式问题
MX创建的SMT32工程在IDE中build会报错
求助:USB 设备模式下的 UF2 更新,擦写非活动 Bank 时引起主机复位,但加 Hub 正常 —— 双 Bank 不是应该无干扰吗?
微信公众号
手机版
你不要内部SMPS和LDO的话,可以这样处理相关管脚:
[md]external supply是3.3V?
内核电压根据不同工作模式,需要调整不同范围.(在 1.0v 到 1.36v)
具体可以参照手册对应部分。
不知你为何选择这个设计,你如果选择这个设计的话,除了VDD外,还要额外从别的地方
引入一个精度较高的电源给内核供电,幅度不能太大,3.3v肯定太高了。范围在1~1.4v。
如果这不是你的初始意图的话,想硬件设计简单点的话,使用VDD经过内部LDO给内核供电就很方便。
当然,相比使用VDD经内部SMPS给内核供电,功耗方面稍微大点。