STM32F103RCT6能做到掉电记忆数据吗？

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电小龙提问时间：2019-9-4 11:27 /

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赞收藏评论22 发布时间：2019-9-4 11:27

22个回答

Dandjinh 回答时间：2019-9-5 08:53:43

电小龙发表于 2019-9-4 21:13
您说的1、 2、是两种不同的方法吗？还是操作的步骤

两种方法
1. PVD是掉电中断，可以设置供电电压低于/高于多少V后中断
2. 备份SRAM需要小电池供电

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电小龙回答时间：2019-9-5 12:49:56

Dandjinh 发表于 2019-9-5 08:53
两种方法
1. PVD是掉电中断，可以设置供电电压低于/高于多少V后中断
2. 备份SRAM需要小电池供电 ...

明白了，就是在电压低于某个值后会进入PVD中断，在中断里把数据写进flash中

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keijio 回答时间：2019-9-5 16:27:37

就算擦写寿命5万次，每天擦写10次，得用多少年？=5000天，13.69年，何况最少寿命都在10万次以上？？？担心太多了。5年前我就这样用，出了10万片以上了，产品报废了都没有发现有Flash失效的。

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天臆弄人回答时间：2019-9-5 18:20:12

keijio 发表于 2019-9-5 16:27
就算擦写寿命5万次，每天擦写10次，得用多少年？=5000天，13.69年，何况最少寿命都在10万次以上？？？担心 ...

10W次是epprom这是闪存没有10W,指标是1W

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duiboqi 回答时间：2019-9-5 18:41:52

可以使用内部FLASH

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电小龙回答时间：2019-9-5 19:29:25

duiboqi 发表于 2019-9-5 18:41
可以使用内部FLASH

谢谢，我看到正点原子他们也有这个例程

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generalcircuits 回答时间：2019-9-14 11:15:46

学习啦，爬楼学习

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generalcircuits 回答时间：2019-9-23 13:29:35

电小龙发表于 2019-9-4 13:26
大概能擦写多少次啊

擦写次数够用的

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