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STM32U5 系列使用 LPBAM 进行功耗优化

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STMCU小助手 发布时间:2022-10-15 18:54
引言
  E! R$ G& ^' VSTM32U5 系列微控制器基于具有 Arm® TrustZone®和 FPU 的高性能 Arm®32 位 Cortex®-M33 CPU。此类产品均采用新型结构制造,得益于其高度灵活性和高级外设集,实现了一流的超低功耗性能。. c$ B+ g6 n5 B# a+ P
除了多种 CPU 激活模式配置(可实现更高性能或更低功耗)之外,STM32U5 系列还支持大量低功耗模式,每种模式都具有多个选项。这使得设计人员可以在低功耗性能、短启动时间、可用外设集与 SRAM 数量,以及唤醒源最大数量之间实现最佳折中。$ N. a4 x# s, t. ~9 k  ?- |
嵌入式 SMPS(开关模式电源)降压转换器可用于带有“Q”后缀的特定部件号(例如 STM32U5xxxxxxQ),从而提高激活和低功耗模式下的能源性能。3 W& {: H0 w5 ?, K
STM32U5 器件支持 4 种主要低功耗模式:. H0 w4 p& G8 G" w7 y: g- |3 \  n
• 睡眠模式
: U5 S: K& x% [CPU 时钟关闭,但所有外设均可保持激活状态。所有外设中断或事件可唤醒 CPU。: {5 N  E5 k* [$ Q
• 停机模式
7 W& b$ X. W; A0 n. R高速时钟默认关闭,所有外设和内存保留均可保持激活状态。四种停机模式可供使用:停机 0、停机 1、停机 2 和停机 3,功耗从高到低。LPBAM(低功耗后台自主模式)是一项创新功能,停机 0、停机 1 和停机 2 模式均支持该功能。借助于LPBAM,一些外设继续与 DMA(直接内存访问)一起自主工作。当外设须保持激活状态时,这大幅降低了应用的功耗。通过 LPBAM,可保持激活的外设数量在停机 2 中要比在停机 0 和停机 1 更少。停机 3 模式不支持 LPBAM。
/ c) @& K( O# D* [• 待机模式
8 l, }9 Z$ L  ~- Q& L$ s内部调压器关闭。大多数外设和 SRAM 保留随后丢失。在待机模式下最多可保留 64 KB SRAM2 和 2 KB BKPSRAM。) b+ }4 V+ L# i; j8 G6 V" ]. k
• 关断模式/ T9 K1 x' `% o0 }7 U1 K, s8 H8 p% K
这与待机模式类似,但电源欠压复位和监控被禁用。在该模式下则无法切换到 VBAT。
) ^1 `7 n6 \; m! Z通过 LPBAM 和高能效处理,高度灵活的低功耗模式与自主外设相结合,使STM32U575xxxxQ/STM32U585xxxxQ 器件达到行业领先的 EEMBC®ULPBench™分数,高达 535ULPMark™。
  G/ O2 x9 d4 E0 K- u
1 概述! A- @, W$ M$ I' t, ~# o# w1 u
本应用笔记适用于基于 Arm® Cortex®内核设备的 STM32U5 系列。
1 W/ e) F5 H7 J0 t6 e- Z提示 Arm 是 Arm Limited(或其子公司)在美国和/或其他地区的注册商标。* g+ Y, d  F! e# m: ~
参考文档+ V2 k5 p6 b1 i) g
[1] 参考手册:基于 Arm 的 STM32U575xx 和 STM32U585xx 高级 32 位 MCU(RM0456)7 g% K% u2 d" _& X1 X& p. Z4 |
[2] STM32U575xx(DS13737)和 STM32U585xx(DS13086)的数据表
# Q0 o2 ^) R- @  R' s/ _[3] 应用笔记用于硬件设置和低功耗的 STM32 微控制器 GPIO 配置(AN4899)1 c, j6 h# T8 Q! ?7 N
[4] 应用笔记 STM32U575/585 功耗优化(AN5652)
* R" K9 m( [; P4 p( O6 |[5] EEMBC 组织网址 http://www.eembc.org5 \5 X! h( u  q* v* X

& q/ N. S1 N+ I9 g2 LPBAM 简介
# \2 G' a4 [7 g. A, [/ ?2.1 LPBAM 概述
8 U; E1 U8 S0 j* W8 _4 N( N0 n
LPBAM(低功耗后台自主模式)是一种操作模式,允许外设从设备功耗模式到停机 2 模式独立地正常和自主运行,无需运行任何软件。由于 DMA 链表传输,LPBAM 子系统可以链接不同的操作。DMA 操作可涉及:6 w) D$ Y% J9 \$ F
• 外设数据传输
' H) M2 t- ?0 w+ N6 h• 外设配置. h: z  d3 Z- C* d5 v
使用 LPBAM 自动优化功耗:1 v6 B/ _4 Z- i+ r; ^
• 外设的总线时钟和内核时钟仅在自主外设请求时予以分配。总线时钟(又称系统时钟)通过 AHB 和 APB 分配给所有启用的外设,其中至少包括一个 DMA 和一个 SRAM。. F7 O* j0 ]' t$ u& k. T7 r
• 内部 RC 振荡器根据外设时钟请求自动开启和关闭。外部振荡器和 PLL 无法用于 LPBAM。
- W( t; D  X& l2 r7 s• 模拟外设在需要时自动开启和关闭。! O2 k% Z: v6 d' E6 w" ~
• 该设备可处于低至停机 2 的低功耗模式,无需唤醒来管理外设操作,因此减少了设备唤醒和运行操作期间的能量损失。
* j+ ~, [) Y+ Y3 V即使在停机模式下,大量的硬件触发选择也允许外设自动启动的活动。外设中断在启用时从停机模式唤醒设备。$ ]9 f& P# M5 s/ {- j2 B
LPBAM 的典型基本用例是设备处于停机 2 模式下的周期性外设操作(例如 ADC 转换,或通过 I
* X! y2 V# d1 Q" w! D$ t9 I5 l# Q2C 或 SPI 等通信接口仅限传感器采集)。唤醒源可以是任何外设中断,例如:" Q+ y% F# O* C0 R8 K$ T; J
• 外设的传输/转换结束9 G7 I4 \. V4 P
• DMA 传输完成
3 W& v+ \, ]' }$ f: _• 错误检测

2 `$ p5 T7 \2 x# n5 @: o3 D+ p0 b: z

0 E9 d/ _6 Z2 Q2 S! q )$O6G{EA_{CW[}Z(WXJ6J`4.png 5 r/ O6 |. o) l4 G& w4 m/ @7 }& K9 t, b
7 p' _" O, q& t7 K0 E: x
可以使用多个 DMA 通道或在同一通道上链接来自不同外设的操作来构建更复杂的应用。
# o& r" ]; q: ?: ]# e! p1 I4 i2 B; t. v
& {& y4 `' c( P6 Q+ M' d) @
2.2 支持 LPBAM 的外设6 `4 m, ]& A, F+ R. G% z
支持 LPBAM 的外设可分为两类:# H3 _/ E$ G& @8 Q* z( N2 Y
• 具有时钟请求功能的自主外设
9 G- i* Y7 ?+ X/ v6 Y( d* G9 k这些外设支持停机模式下的 DMA 传输。& d# L) D/ d+ m
• LPBAM 被动外设7 d0 h( p/ w# g$ E" ?
这些外设不支持 DMA 请求,也不支持生成时钟请求。但借助于 DMA 时钟请求,可以在因 DMA 时钟请求而接收到系统时钟时,对外设本身的寄存机进行重新配置。除此之外,有些也可以为自主外设提供硬件触发。" j& A6 m0 e/ d( L/ k4 E
自主或被动 LPBAM 外设产生的任何中断都会将 STM32U5 器件从 停机 模式唤醒。3 a& z- c( M- w# A7 {$ Q0 _9 Y7 H: t
提示 停机 3 模式不支持 LPBAM。
& A" C) v- @& j. ^
/ x; l2 e- Q! Y# `( @3 ?0 n
0 q8 I3 E  R- @8 f( O& A- }+ i" d
2Y4{W%Z~G1O@8URY%HD4ZB9.png ( H/ U. T# V/ k. Y3 c

3 j! L) X) j' K1 Q3 LPBAM 硬件机制
5 g. y) P2 t4 I# J0 O3.1 电源和时钟架构

; s9 Q$ R/ c9 o/ j; d: WSTM32U5 分为两个域:CPU 域(CD)和 SmartRun 域(SRD)。下图和下表显示了 AHB 和 APB 外设在这两个域中的分布。

/ @0 w7 U8 H/ |( Y3 ]" O+ j  I+ L8 \9 f* A
0 Y* V* ^: p; [! ^$ z8 T9 p' o
)CI37ME(9$AZLV5YY{LDE2T.png
9 K1 d: F, t5 J2 ^) L% l4 g4 w& m
& r0 o! B- D) M# K7 z在停机 0 和停机 1 模式下,CPU 域和 SmartRun 域完全供电,而且均可支持 LPBAM 的动态活动。然后可以使用GPDMA1 和 LPDMA1 两者。GPDMA1 可以访问所有设备 SRAM,而 LPDMA1 只能访问 SRAM4。

4 ]3 I1 Z# X/ J7 [& u0 X在停机 2 模式下,CPU 域处于低泄漏模式,禁止任何动态活动。借助 LPBAM,只有 SmartRun 域完全供电并且可以维持动态活动。只能使用 LPDMA1,其只能访问 SRAM4。LPDMA1 链表项和外设数据缓冲区均须位于 SRAM4中。本应用笔记重点介绍停机 2 模式下的 LPBAM,因为这是最有效的节能源模式。; ]% @" T- q0 G4 G: T+ ^
警告: 在停机 0 和停机 1 模式下,映射到 AHB3 和 APB3(属于 SmartRun 域)的自主外设只能与 LPDMA1 和 SRAM4一起使用。主要原因在于当 SRD 外设请求总线时钟时,AHB 和 APB 时钟仅分布在 SmartRun 域中,而不是CPU 域中。
3 N- W7 i5 Y) c8 e. M7 s3 p, a
: j6 Z/ l- Z. {0 ^3 C7 B2 r/ @! J- T3.1.1 停机 0、停机 1 或停机 2 模式下 LPBAM 活动期间 SRD 中的时钟分布
1 J: d9 n. T, W" z7 J自主外设可请求其时钟(内核时钟或总线时钟),使其能正常工作,在工作完毕后会自动恢复到默认的关闭时钟状态(STOP 状态)来降低功耗(LSE 和 LSI 低功耗低速振荡器除外)。& O& L) f$ ?# N+ V
在停机 2 模式中,只有 SmartRun 域中的外设可正常工作,时钟在该域中运行。下图放大了 SRD 架构,显示了在停机 2 模式下正常工作的所有外设。

2 F9 a4 F4 v8 N9 O1 h/ j4 Y; v2 i* e( l9 U# S. H9 S" o

% f. d# m1 g; f2 h AK9BE6A({VIF7[(%G9T{ZYY.png
; G+ `) |+ i  E. x9 ~  F& y6 f" }4 |. s& |  c
SmartRun 域可以具有两种状态:
& k$ H/ m: C  U8 ]; ]4 `% C• SRD 处于 DStop 状态:不存在 AHB3/APB3 时钟。
, O; \, u8 ~! h* a4 ^7 D0 c' @• SRD 处于 DRun 状态:AHB3/APB3 时钟存在,并在停机模式下分配给所有在 RCC 中启用的 SRD 外设(参见表 4)。
1 Y  p# q( T9 Q, _

! d& r0 K7 }% h* R  ~
1 X8 P3 U8 O; o" u- l6 \6 \) U
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2 `+ u4 W/ T( T' A4 t2 k6 h' r8 J3 }$ ?9 q& ^: q/ ]+ s
提示 通过设置 PWR-CR2 中的 SRDRUN 位,可强制使 SRD 始终处于 DRun 状态。- O1 T+ a, e, |* X# \$ d
下表详细介绍了域状态和时钟分布。

  B8 N; r: V  j  D+ n$ J- t8 ]  c5 V$ G
% p: M' \% C' Y  x
$B54MJ7}`NKAFW@JJ4{44VA.png * I& R  g0 q0 j& t8 i

9 }0 Y$ q- Z3 P# x3 S警告: 对于任何需要在停机 0、停机 1 或停机 2 模式期间正常工作或由 LPDMA1 访问的 SRD 外设,都须使用在RCC_AHB3ENR/RCC_APB3ENR、RCC_AHB3SMENR/RCC_APB3SMENR 和 RCC_SRDAMR 寄存器中设置的三个使能位进行配置。

6 E5 k/ Q. Y# O4 |' S6 w. e6 W/ Z) X/ u

  d$ B- }% x" R& b! w完整版请查看:附件
0 e0 ?: t; q+ s( b/ \

9 u5 X3 j2 @' z- K9 u  m! H* ]) M. R3 F& N3 z: |8 t

zh.DM00779638.pdf

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