如果使用的是增程编码器，因电机无法知道转子位置，所以会有个定位阶段，目前MCSDK只支持增程编码器。 关于如何通过算法获得转子初始位置，一般方法都是注入电流来确定转子位置，其精度和电机适用性有限，具体 实现可以查找相关专业资料。
楼主，建议仿真时，发生改问题时，检查一下串口4的状态是不是进入溢出错误，如果是，需要重新初始化串口4。发生该问题，可能是因为串口3处理时，导致串口4数据溢出。 串口3检查是是否使用huancun4，这里是用huancun3还是huancun4？
如果是用ST-LINK 烧录，不需要外部晶振的，用的是HSI 工作。 如果是boot loader 中的串口，用的也是内部HSI。
ADC读取参数的函数是这个 uint16_t ADC_Read(uint32_t Channel) { uint32_t value; ADC_ChannelConfTypeDef sConfig = {0}; sConfig.Channel = Channel; /* 通道 */ if (HAL_ADC_ConfigChannel(&hadc1, &sConfig) != HAL_OK) { Error_Handler(); } HAL_ADC_Start(&hadc1); HAL_ADC_PollForConversion(&hadc1, 2); value=HAL_ADC_GetValue(&hadc1); HAL_ADC_Stop(&hadc1); return value; }
是有无法返回堆栈溢出的风险，这就需要程序员自己去管理任务的执行时间了，比如有task_1ms、task_5ms两个周期执行的任务，task_1ms任务必须在1ms的时间内执行完，否则堆栈溢出；task_5ms任务必须在5ms内执行完（这5ms既要每1ms执行一次task_1ms，还要把task_5ms执行完，剩余的cpu时间去跑主函数main的循环。）
你可以去www.stmcu.com.cn网站搜索下，如果没有也没关系, 就先看英文吧。用什么研究什么，或针对性地阅读。何况你有了G0X1的中文资料了，基本可以覆盖G0X0的东西。细节的地方比较英文版或许更合适些。
非常感谢您的建议，这块电源设计确实是存在不足，使用两个不同的电源供电，疏忽了对上下电过程的要求，后续厂家会针对这项优化设计，非常感谢！我们还是想继续探寻在这种异常场景下，Flash数据被改写的具体原因，比如内部总线在什么样的状态下会把读动作变成异常的写动作。
从提示上看，发现某些操作没有定义，好像是说NOP空操作没定义，代码里是否有类似语句。换个写法或换个IDE试试。顺便说下，ST的STM32CubeIDE很强大，免费使用，值得拥有。呵呵
谢谢答复，我问的是那个单独的CID寄存器，注释是产品ID，地址偏移0x3C，上面粘贴的代码也是判断的这个寄存器 __IO uint32_t CID; /*!< User ID Register 03Ch */ 手册没有说明，猜测bit8位代表的含义是高速全速吧，复位值在FS和HS里不一样
是的。 如果你使用cubemx 配置的，实际上已经下载到硬盘上了。 也可以从官网下载的。 STM32CubeF4 - STM32Cube MCU Package for STM32F4 series (HAL, Low-Layer APIs and CMSIS, USB, TCP/IP, File system, RTOS, Graphic - and examples running on ST boards) - STMicroelectronics
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