Flash
闪存模块

& S4 I7 I7 T0 M' X& z2 u

模块组织表如上，可见STM32F767IGT6由：主存储器、系统存储器、OPT区域、选项字节4部分组成。
; c( r; i$ s9 W, e& CSTM32F767的Flash访问路径有两条：AXIM和ICTM，一般使用AXIM接口访问Falsh，其其实地址为0X08000000

9 y" ]$ j' R1 h1 S3 P5 ~主存储器
存放代码和数据常量(const常量数据)。它可以分为1个Bank(默认)和2个Bank，可以通过选项字节nDBank位来设置。
在单Bank模式下，STM32F767的主存储器被分为8个扇区，前4个扇区为32kb大小，第五个山扇区为128kb大小，剩下的3个扇区都是256kb大小，共1MB
1 |; W; w1 e6 z0 Q9 Q: j$ h8 j! X/ B
7 m" G+ }* \' \0 ]* l- {9 d4 ]系统存储器
: z: S5 o2 }: ]# \8 E存放Bootloader代码，此代码是出厂时就固化的，用来给主存储器下载代码，当B0接3.3v时默认从系统存储器启动
0 [: f3 A; Y' [% [
* b$ C5 l- f6 h& f  u3 JOTP区域
一次性可编程区域，共1056byte，被划分为16个64字节的OTP数据块和1个16字节的OTP锁定块。锁定块决定了数据块是否可编程。
4 E% y3 c4 o0 W6 ]' {* q
* P) F; e9 o& u% I. \选项字节

- C% U( W2 `( e# t4 J闪存的读取
为了准确的读取Flash数据，需要根据CPU时钟(HCLK)的频率和器件电源电压设置FLSH的存取控制寄存器(FLASH_ACR)中的等待周期数(LATENCY)，CPU频率与FLASH等待周期数的对应关系如图：

5 q3 j- `: _; T* s

" h9 }+ f6 i& R0 |8 S8 V' i等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY[3:0]来设置，系统复位后，系统时钟为内部的16MRC振荡器，LATENCY默认是0(1个等待周期)。供电电压一般默认为3.3，所以在设置216Mhz频率作为CPU时钟之前，必须先设置LATENCY为7(8个CPU周期)，否则FLASH读写可能会出错导致死机。
STM23F7的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr ，读取一个字（一个字为32 位），可以通过如下的语句读取：
              data=(vu32)addr;
- _$ O1 W( q5 e1 d$ f5 M将addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
7 O2 ^) A5 x: L$ v类似的，将上面的 vu32 改为 vu8 ，即可读取指定地址的一个字节。

; \" P$ A1 O( b9 K4 g闪存的编程和擦除
. f, v( U; _! Y3 K! W  M  U, G执行任何Flash的编程操作(擦除或编程)时，CPU时钟频率(HCLK)不能低于1Mhz。如果在Flash操作期间期间器件发生复位，无法保证Flash的内容。
+ y$ o  B) i4 E6 t5 h在对Flash执行写入或擦除操作期间，任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后才能正确处理读操作。
' m; V9 C4 n; c5 A/ e* n  OSTM32F767的闪存编程由7个32位寄存器控制，如下
3 c5 N" R0 N1 L' g8 R
- i3 V+ g! H0 _& X0 K

STM32F767复位后，Flash的编程操作是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列(0X45670123 和 0XCDEF89AB)到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，才能操作相关寄存器。
3 J- N$ g, B, X+ H. jSTM32F767的编程位数通过FLASH_CR的PSIZE字段配置，PSIZE的设置必须和电源电压匹配，见表，使用3.3v供电时，PSIZE必须设置为10，擦除护着编程都必须以32位为基础。
) p2 ^) s5 B, b$ i1 Y

' X* `" v  k) t" b( U3 x
FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(值必须是0XFFFFFFFF)，否则无法写入。

8 j* d( ]8 g: d, qSTM32F767的标准编程步骤
检查Flash_SR的BSY位，确定当前未执行任何Flash操作;
将Flash_CR寄存器中的PG位置1，激活Flash编程;
针对所需存储器地址(主存储器块或OTP区域内)执行数据写入操作(PSIZE需要已经设置)
# t& `/ f8 V" X: j4 O等待BSY位清，完成一次编程。
以上四步操作就可以完成一次FLASH编程操作，需要注意几点：
确保编程地址已擦除
% G( e$ e' b2 j/ R& V5 W* t需要先解锁FLASH_CR，操作完后要上锁
变成操作对OPT区域也一样
$ [+ W; c0 l5 z% o+ j9 L
7 p0 `) c. D: z- n* Y' [- N! l# V) t: u
; x# t4 z8 k6 w$ r  r/ S9 w' _STM32F767的擦除
扇区擦除
8 f" ^: m% ~; t) n4 d' }检查FLASH_CR是否解锁，未解锁先解锁
检查FLASH_SR的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作
将FLASH_CR的SER位置1，并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区(SNB)
! J) K) J8 L$ U  v将FLASH_CR的STRT置1，触发擦除操作
等待BSY位清零
# y, k! R5 ?% ~* f* t% `整片擦除
附录
. ]) d7 m+ k' U$ W2 M# ~6 L4 W代码
依赖于HAL库
; Z5 x# E2 K' W, z) b

1. #include "stmflash.h"
   
2. #include "delay.h"
   
3. 
   
4. //读取指定地址的字(32位数据)
     a- o, Z3 Z6 Y
5. //faddr:读地址
   + d$ H0 l# [. ]7 ^8 `! x
6. //返回值:对应数据.
   
7. u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
   
8. {
   9 R0 z0 T# u$ h$ @  h4 v' I  t
9.     return *(__IO uint32_t *)faddr;
   3 Y) L# R3 |6 B6 @( L( v( h* q4 y  l( z
10. }
    
11. 
    
12. //获取某个地址所在的flash扇区
    
13. //addr:flash地址
    
14. //返回值:0~11,即addr所在的扇区
    
15. uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
    
16. {
    
17.     if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
    / L  g0 J) a* A7 N. Q- G4 |" C* C
18.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
    3 Y; ^% B$ f! C1 m7 Z
19.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
      m% C2 U$ v0 d  S  W/ f
20.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
    
21.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
    # E% F; ?* U/ m8 k1 A. Q, q% J
22.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
    
23.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
    ; Z( V7 ?- W) {% ]# h
24.     return FLASH_SECTOR_7;   
    
25. }
    & |" n! u6 R, N8 Y' l3 o2 W& q7 P
26. 
    
27. //从指定地址开始写入指定长度的数据
    * o* V6 l9 E5 O
28. //特别注意:因为STM32F7的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
    
29. //         写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
    
30. //         写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
    . C" X8 d9 [2 z5 F# }0 e
31. //         没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
    
32. //该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
    + I- o4 @5 E8 L  N. L1 w
33. //OTP区域地址范围:0X1FF0F000~0X1FF0F41F
    ; h3 k1 [" x, }+ _; z: G
34. //WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
    + X: p# z$ O3 u3 `' h6 _/ `
35. //pBuffer:数据指针
    
36. //NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.)
    ; Z, w0 \5 O, m# U
37. void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)   
    9 E; ]: g/ B3 P8 v7 |; w; X; ?1 r9 D
38. {
    
39.     FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
    9 r: e5 {7 }+ t! i1 `, W; F
40.     HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
    
41.     u32 SectorError=0;
    
42.     u32 addrx=0;
    6 G" N1 ^" ~4 R6 }; H3 z. R7 R* y
43.     u32 endaddr=0;   
    
44.     if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;    //非法地址
    
45. 
    
46.     HAL_FLASH_Unlock();             //解锁
    
47.     addrx=WriteAddr;                //写入的起始地址
    
48.     endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;    //写入的结束地址
    4 ^& l' k9 E, r0 p7 Q
49. 
    
50.     if(addrx<0X1FF00000)
    ; ]* L. ?/ {; i# \8 b- D
51.     {
    
52.         while(addrx<endaddr)        //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
    
53.         {
    
54.             if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
    ; Q5 d$ w: z* Q# b6 L. I6 K
55.             {   
    
56.                 FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       //擦除类型，扇区擦除
    
57.                 FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);   //要擦除的扇区
    & j9 \3 i# Z: l* \3 p" b
58.                 FlashEraseInit.NbSectors=1;                             //一次只擦除一个扇区
    ! r  l+ _; }: t3 v: a& G6 q! n: t
59.                 FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
    0 ]/ I/ Y& }( f. `, S1 ]- f
60.                 if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
    + S9 j. S6 l# L3 Y
61.                 {
    
62.                     break;//发生错误了   
    $ |- t, }' P4 t, F; E, U) r
63.                 }
    
64.                 SCB_CleanInvalidateDCache();                            //清除无效的D-Cache
    5 w  u% b) t: [5 V
65.             }else addrx+=4;
    + u6 X1 k, C/ v7 t, F4 A1 ]
66.             FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成
    
67.         }
    & s4 o7 L$ t6 }' V
68.     }
    
69.     FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            //等待上次操作完成
    
70.     if(FlashStatus==HAL_OK)
    
71.     {
    3 E' I- _/ i) J( q: i, U0 ~
72.         while(WriteAddr<endaddr)//写数据
    1 j* z& N7 X" S, q* g0 I
73.         {
    
74.             if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
    " v; ]8 B8 x! J( y2 w0 k2 S/ H
75.             {
    . E* w* r$ j6 h- U% |. B; E4 W6 @: K
76.                 break;    //写入异常
    9 w! E3 U) h( [) [4 g
77.             }
    % X) R' u8 P+ U. ]+ j
78.             WriteAddr+=4;
    - J! m1 C3 q' j1 Q- r
79.             pBuffer++;
    2 D  }. g" B3 _& }, \# H$ ]
80.         }
    
81.     }
    
82.     HAL_FLASH_Lock();           //上锁
    & v3 I( \: X: U9 I, k
83. }
    ! G1 {( N$ ~$ E+ H0 m; n) f% N
84. 
    
85. //从指定地址开始读出指定长度的数据
    ) G/ L2 Z( l% F5 ]4 X: h! f- ^
86. //ReadAddr:起始地址
    
87. //pBuffer:数据指针
    ! A7 K9 L1 L( s
88. //NumToRead:字(32位)数
    4 P2 l, p1 e& P1 H9 B+ t) y
89. void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)      
    # y7 Q7 U$ n0 Z  f" {4 f! I
90. {
    3 _! y8 l9 G& E5 M" r7 u
91.     u32 i;
    
92.     for(i=0;i<NumToRead;i++)
    
93.     {
    3 q( b6 D4 j; j7 m5 E, E
94.         pBuffer<i>=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
    / o% J$ `+ N* ^4 L
95.         ReadAddr+=4;//偏移4个字节.   
    
96.     }
    ( W9 v% `& g) Y4 }+ T7 x. g
97. }
    
98. 
    
99. </i>

复制代码

' @6 W. k) |. J# b3 e. @
, c" Z3 {$ J+ G9 W( c6 M7 n" U8 ]