Flash
闪存模块

8 @. o/ Y$ A' T- ~
模块组织表如上，可见STM32F767IGT6由：主存储器、系统存储器、OPT区域、选项字节4部分组成。
4 p  R& v/ ^6 v0 Q+ GSTM32F767的Flash访问路径有两条：AXIM和ICTM，一般使用AXIM接口访问Falsh，其其实地址为0X08000000
+ ?0 Y& s$ }- ]
主存储器
; B# o* w; @3 ]5 f+ ]; X存放代码和数据常量(const常量数据)。它可以分为1个Bank(默认)和2个Bank，可以通过选项字节nDBank位来设置。
在单Bank模式下，STM32F767的主存储器被分为8个扇区，前4个扇区为32kb大小，第五个山扇区为128kb大小，剩下的3个扇区都是256kb大小，共1MB

  X  ^3 O, S% g/ A% J: }系统存储器
" Z* ^6 e' e  q6 L8 V' m8 f存放Bootloader代码，此代码是出厂时就固化的，用来给主存储器下载代码，当B0接3.3v时默认从系统存储器启动

; e, L$ T6 X9 ]( R9 D( N4 ^OTP区域
一次性可编程区域，共1056byte，被划分为16个64字节的OTP数据块和1个16字节的OTP锁定块。锁定块决定了数据块是否可编程。
+ G# y0 n& n- D* c% j) _
选项字节
0 \- {  {, b; G5 w; k  Y3 m
/ P4 a0 O1 }) A$ v闪存的读取
为了准确的读取Flash数据，需要根据CPU时钟(HCLK)的频率和器件电源电压设置FLSH的存取控制寄存器(FLASH_ACR)中的等待周期数(LATENCY)，CPU频率与FLASH等待周期数的对应关系如图：
, z. f6 M3 ~. m. j
, ~! m& |3 Q3 m3 V5 v& q8 V4 h, ^

$ G/ `  b: h- c7 v8 C; ^6 l! ~
' T, k6 r7 C0 g* ~等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY[3:0]来设置，系统复位后，系统时钟为内部的16MRC振荡器，LATENCY默认是0(1个等待周期)。供电电压一般默认为3.3，所以在设置216Mhz频率作为CPU时钟之前，必须先设置LATENCY为7(8个CPU周期)，否则FLASH读写可能会出错导致死机。
STM23F7的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr ，读取一个字（一个字为32 位），可以通过如下的语句读取：
              data=(vu32)addr;
. ?+ J2 K8 i/ |! {3 Y- R. F! Z' T将addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
* ~3 U* w! d  f8 U6 u: l类似的，将上面的 vu32 改为 vu8 ，即可读取指定地址的一个字节。
7 A1 }2 `, \& W
! t5 ^) O  a- n: s" g5 v7 q闪存的编程和擦除
7 s9 p* T5 P) M执行任何Flash的编程操作(擦除或编程)时，CPU时钟频率(HCLK)不能低于1Mhz。如果在Flash操作期间期间器件发生复位，无法保证Flash的内容。
$ y" S& i0 j7 |; N7 V在对Flash执行写入或擦除操作期间，任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后才能正确处理读操作。
STM32F767的闪存编程由7个32位寄存器控制，如下
/ `- t0 g* `" B  J! e9 y. K
1 _/ @% n5 _6 ?8 c' G! I

STM32F767复位后，Flash的编程操作是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列(0X45670123 和 0XCDEF89AB)到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，才能操作相关寄存器。
STM32F767的编程位数通过FLASH_CR的PSIZE字段配置，PSIZE的设置必须和电源电压匹配，见表，使用3.3v供电时，PSIZE必须设置为10，擦除护着编程都必须以32位为基础。
0 I* V% ?' d- s

. r" G, a0 B' l+ _& Z% c- a  j) fFLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(值必须是0XFFFFFFFF)，否则无法写入。

  i6 a" P! a/ U- B# ?, {5 u; _1 w, KSTM32F767的标准编程步骤
检查Flash_SR的BSY位，确定当前未执行任何Flash操作;
将Flash_CR寄存器中的PG位置1，激活Flash编程;
针对所需存储器地址(主存储器块或OTP区域内)执行数据写入操作(PSIZE需要已经设置)
等待BSY位清，完成一次编程。
以上四步操作就可以完成一次FLASH编程操作，需要注意几点：
0 k4 F* W8 A) r+ _+ p! M( i$ V* [确保编程地址已擦除
需要先解锁FLASH_CR，操作完后要上锁
变成操作对OPT区域也一样


STM32F767的擦除
. W8 v. ~) O/ y# }1 q7 K1 |扇区擦除
检查FLASH_CR是否解锁，未解锁先解锁
检查FLASH_SR的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作
将FLASH_CR的SER位置1，并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区(SNB)
! E. t/ O, y; C! {将FLASH_CR的STRT置1，触发擦除操作
! ]% I0 d, y" f& z9 g等待BSY位清零
整片擦除
( `* `2 e1 K5 ^  P! s$ [附录
代码
依赖于HAL库

8 Q6 W; W- Z, g. l, n

1. #include "stmflash.h"
   
2. #include "delay.h"
   1 Q: K  S& h1 Y: l2 E, G& d( e( }3 X
3. 
   
4. //读取指定地址的字(32位数据)
   5 b) j/ j( s( F, J( c: y3 t7 y1 c+ X
5. //faddr:读地址
   
6. //返回值:对应数据.
   
7. u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
   * l1 S: A, i: M, `' t
8. {
   9 z, f: ?: O/ S/ G* @
9.     return *(__IO uint32_t *)faddr;
   
10. }
    
11. 
    ( j$ I: }: O" @
12. //获取某个地址所在的flash扇区
    " q# W  ?/ F/ c  P/ C
13. //addr:flash地址
    8 I# ]2 {5 j! d# S! Q
14. //返回值:0~11,即addr所在的扇区
    
15. uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
    
16. {
    9 D1 b! b  v! g; i
17.     if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
    
18.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
    ; y6 y& Y& W* J2 q3 b3 i5 V5 J
19.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
    
20.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
    
21.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
    ( u/ P& \7 y9 E" ?+ G% M* R: M
22.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
    . w2 I) M/ A( t
23.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
    * s/ p9 s# ]; @& W! P+ y! T
24.     return FLASH_SECTOR_7;   
    
25. }
    
26. 
    
27. //从指定地址开始写入指定长度的数据
    ! N/ r0 P) @" R' ^2 }0 I0 H3 F
28. //特别注意:因为STM32F7的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
    
29. //         写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
    
30. //         写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
    ) u( m3 @: t- R6 C' k+ O
31. //         没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
    : t+ l0 p3 Q/ U. s& u4 k7 k
32. //该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
    
33. //OTP区域地址范围:0X1FF0F000~0X1FF0F41F
    
34. //WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
    
35. //pBuffer:数据指针
    ( Y  k$ F& I- ~2 d' |7 v
36. //NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.)
    & \/ K6 ?, p& k" {2 p% ]
37. void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)   
    ! M' T% q( W, \
38. {
    ! w  H: n7 p2 u/ [( T3 A
39.     FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
    
40.     HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
    ' p, n% y$ w3 O8 d6 k4 Y* k  T
41.     u32 SectorError=0;
    
42.     u32 addrx=0;
    ) ~0 f2 Q3 m+ ]1 j1 r' L
43.     u32 endaddr=0;   
    
44.     if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;    //非法地址
    ! m9 Y. ^0 T4 e& a6 i2 g
45. 
    1 D9 h2 |; ~2 i) ?9 y) ]
46.     HAL_FLASH_Unlock();             //解锁
    % M, {! l5 g" g9 T
47.     addrx=WriteAddr;                //写入的起始地址
    
48.     endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;    //写入的结束地址
    + l, O* @4 O  w! P& S2 E
49. 
    ) A- ]1 n8 d! y0 o3 G
50.     if(addrx<0X1FF00000)
    
51.     {
    
52.         while(addrx<endaddr)        //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
    0 ]8 v9 H# w& \0 v1 v2 J3 h- e
53.         {
    
54.             if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
    % E! S5 F# V: O# _5 n
55.             {   
    
56.                 FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       //擦除类型，扇区擦除
    6 w( i% A, i, ~6 \
57.                 FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);   //要擦除的扇区
    
58.                 FlashEraseInit.NbSectors=1;                             //一次只擦除一个扇区
    
59.                 FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
    
60.                 if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
    
61.                 {
    + z; W, i! x" F- p
62.                     break;//发生错误了   
    
63.                 }
    
64.                 SCB_CleanInvalidateDCache();                            //清除无效的D-Cache
    * X9 T& v' s: _- N. i7 z6 |
65.             }else addrx+=4;
    
66.             FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成
    
67.         }
    
68.     }
      Y$ ^$ @! R/ z4 }. G7 Z! R+ ?& m9 U
69.     FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            //等待上次操作完成
    . p1 ?" D$ V0 p0 `1 W
70.     if(FlashStatus==HAL_OK)
    
71.     {
    
72.         while(WriteAddr<endaddr)//写数据
    
73.         {
    
74.             if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
    7 q& I% \7 [7 ?! V
75.             {
    " R- v& V/ \5 c( c( A. ?
76.                 break;    //写入异常
      j+ t% ^. a" z% I8 `& \  A$ I% L
77.             }
    
78.             WriteAddr+=4;
    * l1 E4 ]& `- n( k$ B
79.             pBuffer++;
    * T! H( _1 U  \4 j8 Y; ~
80.         }
    
81.     }
    2 \$ @! _1 t6 ^/ c4 x2 y' K
82.     HAL_FLASH_Lock();           //上锁
    
83. }
    
84. 
    2 i/ \# f% N9 u- y) O
85. //从指定地址开始读出指定长度的数据
    4 N' Q3 Y6 y; X1 ?2 K1 s2 B/ a
86. //ReadAddr:起始地址
    
87. //pBuffer:数据指针
    
88. //NumToRead:字(32位)数
    1 F& P' c& A5 V- X- {1 O) W
89. void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)      
    
90. {
    2 i1 L8 \5 I# r
91.     u32 i;
    1 G; U5 R3 r1 a( A+ l0 p' D
92.     for(i=0;i<NumToRead;i++)
    
93.     {
    3 ^0 c# L3 M4 I1 R( a, j4 j* N
94.         pBuffer<i>=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
    # O' N2 V4 T; w+ b+ l( ]# Z
95.         ReadAddr+=4;//偏移4个字节.   
    : R- U, f$ ?* R4 L
96.     }
    2 U3 u( K3 M" q4 m9 N$ b
97. }
    
98. 
    9 f5 Z$ j' a$ c6 h( k
99. </i>

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' k' M5 T  l$ y; i7 J& ?7 ]