Flash
闪存模块

$ ]4 h# A# b" ~( k9 B* w
模块组织表如上，可见STM32F767IGT6由：主存储器、系统存储器、OPT区域、选项字节4部分组成。
STM32F767的Flash访问路径有两条：AXIM和ICTM，一般使用AXIM接口访问Falsh，其其实地址为0X08000000
% I, }2 l( o" m7 e$ B
主存储器
9 S. I; F2 B8 c! z1 D3 f存放代码和数据常量(const常量数据)。它可以分为1个Bank(默认)和2个Bank，可以通过选项字节nDBank位来设置。
3 l( p) R! p' ^/ c5 @, l0 O在单Bank模式下，STM32F767的主存储器被分为8个扇区，前4个扇区为32kb大小，第五个山扇区为128kb大小，剩下的3个扇区都是256kb大小，共1MB
( t$ a) ?8 Z" t+ p" u
系统存储器
存放Bootloader代码，此代码是出厂时就固化的，用来给主存储器下载代码，当B0接3.3v时默认从系统存储器启动
% o6 R2 e$ ?, ^. ^2 V9 R* W
OTP区域
一次性可编程区域，共1056byte，被划分为16个64字节的OTP数据块和1个16字节的OTP锁定块。锁定块决定了数据块是否可编程。

: ~5 h" o" i8 W% x选项字节
" t% g' {6 Z, m4 D8 y8 f
闪存的读取
8 `/ r9 u7 ~! V为了准确的读取Flash数据，需要根据CPU时钟(HCLK)的频率和器件电源电压设置FLSH的存取控制寄存器(FLASH_ACR)中的等待周期数(LATENCY)，CPU频率与FLASH等待周期数的对应关系如图：

! M2 B& t9 a, x/ b6 q3 s
$ V1 d' `# I& _9 O5 n) y9 S等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY[3:0]来设置，系统复位后，系统时钟为内部的16MRC振荡器，LATENCY默认是0(1个等待周期)。供电电压一般默认为3.3，所以在设置216Mhz频率作为CPU时钟之前，必须先设置LATENCY为7(8个CPU周期)，否则FLASH读写可能会出错导致死机。
STM23F7的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr ，读取一个字（一个字为32 位），可以通过如下的语句读取：
8 y9 v0 K: r5 \0 T0 z1 c3 _              data=(vu32)addr;
) C" Q0 r$ Q' ~将addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
& `" J3 g" E; ~) L' J+ l! F& G" o类似的，将上面的 vu32 改为 vu8 ，即可读取指定地址的一个字节。

, z, r- C9 `% {9 W" x闪存的编程和擦除
6 E. Y* y3 u  i( g执行任何Flash的编程操作(擦除或编程)时，CPU时钟频率(HCLK)不能低于1Mhz。如果在Flash操作期间期间器件发生复位，无法保证Flash的内容。
2 V" q* C# e8 L  b9 O; n4 r5 u: X在对Flash执行写入或擦除操作期间，任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后才能正确处理读操作。
STM32F767的闪存编程由7个32位寄存器控制，如下

5 u/ ^# Q2 a6 G# m7 x0 cSTM32F767复位后，Flash的编程操作是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列(0X45670123 和 0XCDEF89AB)到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，才能操作相关寄存器。
7 |& d! s9 w' \; BSTM32F767的编程位数通过FLASH_CR的PSIZE字段配置，PSIZE的设置必须和电源电压匹配，见表，使用3.3v供电时，PSIZE必须设置为10，擦除护着编程都必须以32位为基础。
; |, h  f& H" c  ?
$ `( t8 Z6 ?" m& G2 h' c

: ]8 h3 o" `, x5 ?: N
; E$ {6 r9 H7 J: `( EFLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(值必须是0XFFFFFFFF)，否则无法写入。

* D, M4 |4 c/ H. N, j. hSTM32F767的标准编程步骤
& R: k$ x6 ^0 L2 H检查Flash_SR的BSY位，确定当前未执行任何Flash操作;
将Flash_CR寄存器中的PG位置1，激活Flash编程;
7 |; y- F7 x1 w+ t6 Z& i针对所需存储器地址(主存储器块或OTP区域内)执行数据写入操作(PSIZE需要已经设置)
* X' j" F8 K2 a' A4 {; d等待BSY位清，完成一次编程。
以上四步操作就可以完成一次FLASH编程操作，需要注意几点：
1 ?& u5 A9 X- ~: B3 F确保编程地址已擦除
需要先解锁FLASH_CR，操作完后要上锁
变成操作对OPT区域也一样
, c2 q" q  f- l3 K, W* t# k2 R9 D
7 j. C4 }+ [3 L: ]: i0 V: V
  {% ~: |2 a2 i/ U7 S8 G! f9 T7 S/ TSTM32F767的擦除
. o5 \* V  c; b8 _扇区擦除
检查FLASH_CR是否解锁，未解锁先解锁
. B+ j1 g0 R- `! E  B4 X检查FLASH_SR的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作
将FLASH_CR的SER位置1，并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区(SNB)
将FLASH_CR的STRT置1，触发擦除操作
等待BSY位清零
整片擦除
附录
; g8 x8 R8 y% R, U5 c2 P代码
依赖于HAL库
0 z4 U; B) e9 M

1. #include "stmflash.h"
   
2. #include "delay.h"
   : D4 h& e: x" x* J$ k# h* a0 V
3. 
   
4. //读取指定地址的字(32位数据)
   . L8 p9 f: f( e" f! Z; [8 m/ ~: h7 x
5. //faddr:读地址
   
6. //返回值:对应数据.
   
7. u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
   
8. {
   
9.     return *(__IO uint32_t *)faddr;
   
10. }
    ' [, B# _3 [/ E" H
11. 
    
12. //获取某个地址所在的flash扇区
    
13. //addr:flash地址
    
14. //返回值:0~11,即addr所在的扇区
    2 ~" _; H$ E% P1 S6 h& J. X  {
15. uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
    7 d% ^% f" G, t; k2 E; O- l
16. {
    
17.     if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
    
18.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
    
19.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
    
20.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
    
21.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
    ) O/ O: Y; H" a5 K6 B: `8 h4 r
22.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
    ) n: J; C/ c3 i, @+ X
23.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
    . L" |" ?- ^1 n% ]* y' p
24.     return FLASH_SECTOR_7;   
    . V; O, M" ~6 S. B
25. }
    
26. 
    : t# D; R; d& h  S5 N. j0 k
27. //从指定地址开始写入指定长度的数据
    
28. //特别注意:因为STM32F7的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
    
29. //         写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
    
30. //         写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
    " }+ N6 s7 Q& Y- v2 W2 q
31. //         没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
    8 e( Y3 Z( g  Y3 Q: {
32. //该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
    
33. //OTP区域地址范围:0X1FF0F000~0X1FF0F41F
    
34. //WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
    
35. //pBuffer:数据指针
    9 W3 L# M* n% z2 g
36. //NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.)
    0 L) Z+ `- H2 u: V, q
37. void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)   
    
38. {
    
39.     FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
    5 b+ i: U8 C* o$ F/ E1 y
40.     HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
    & s' G0 l7 ]; U& u8 [
41.     u32 SectorError=0;
    4 q8 i- D2 [! `& z  p# s
42.     u32 addrx=0;
    
43.     u32 endaddr=0;   
    3 z& ~. f& E% }! Z& q6 e/ W0 L
44.     if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;    //非法地址
    " N2 g& R  n9 D# p& b
45. 
    
46.     HAL_FLASH_Unlock();             //解锁
    1 e9 |" e# e) W1 h! x7 x
47.     addrx=WriteAddr;                //写入的起始地址
    
48.     endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;    //写入的结束地址
    
49. 
    
50.     if(addrx<0X1FF00000)
    : d3 q, R- J! k. W* d& |* X3 o
51.     {
      o) H- p& U% b; `4 d& `. X
52.         while(addrx<endaddr)        //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
    
53.         {
    
54.             if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
    
55.             {   
    , n+ s, [: n, n4 f3 t; U) l+ ~
56.                 FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       //擦除类型，扇区擦除
    
57.                 FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);   //要擦除的扇区
    
58.                 FlashEraseInit.NbSectors=1;                             //一次只擦除一个扇区
    6 a% ^  i( V# @" {6 j
59.                 FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
    / {9 i  \2 K# B# C" K
60.                 if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
    / b2 z6 z3 Z# |1 n
61.                 {
    
62.                     break;//发生错误了   
    - U. v$ V$ {7 @0 L
63.                 }
    
64.                 SCB_CleanInvalidateDCache();                            //清除无效的D-Cache
    / ]' r2 Q" }, @( }. `
65.             }else addrx+=4;
    2 e5 T7 `6 [( E
66.             FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成
    
67.         }
    / B  H1 Q+ l& p
68.     }
    
69.     FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            //等待上次操作完成
    
70.     if(FlashStatus==HAL_OK)
    
71.     {
    
72.         while(WriteAddr<endaddr)//写数据
    2 c% k' \, T4 C2 r7 a- ^
73.         {
    
74.             if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
    & e& o! i! N- @  g0 k" K6 I% h; |
75.             {
    8 W( A  ^. |) P* N6 a
76.                 break;    //写入异常
    
77.             }
    
78.             WriteAddr+=4;
    ! Y& O% u  Z# `4 o8 `/ {
79.             pBuffer++;
    
80.         }
    
81.     }
    
82.     HAL_FLASH_Lock();           //上锁
    
83. }
    $ G0 o- f% y; \8 M) C* F6 r# z* f, w
84. 
    
85. //从指定地址开始读出指定长度的数据
    
86. //ReadAddr:起始地址
    # |' {! o1 M' U6 m- k
87. //pBuffer:数据指针
    + i' ^1 |* `7 e
88. //NumToRead:字(32位)数
    
89. void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)      
    
90. {
    
91.     u32 i;
    
92.     for(i=0;i<NumToRead;i++)
    
93.     {
    ) `8 s3 T; a" n2 V5 }/ f
94.         pBuffer<i>=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
    
95.         ReadAddr+=4;//偏移4个字节.   
    3 ]6 l4 M# v, E2 a
96.     }
    
97. }
    
98. 
    " z3 F, K$ d$ m1 \' ]. v2 m8 X9 N- n' v
99. </i>

复制代码

8 M& z- _* C+ D. e" F' c- ^5 Z
- @# t2 ]2 P# t. I7 N1 j5 _