Flash
( K7 {' z9 F* ^闪存模块

! @: V* u$ q- G. u

模块组织表如上，可见STM32F767IGT6由：主存储器、系统存储器、OPT区域、选项字节4部分组成。
  I' h6 T/ w- ?5 qSTM32F767的Flash访问路径有两条：AXIM和ICTM，一般使用AXIM接口访问Falsh，其其实地址为0X08000000
. D" u+ t* M% i# P) b) |
) f7 S$ v2 w0 J" a* [# {主存储器
存放代码和数据常量(const常量数据)。它可以分为1个Bank(默认)和2个Bank，可以通过选项字节nDBank位来设置。
0 `) d7 j$ o( Z6 }6 g; I在单Bank模式下，STM32F767的主存储器被分为8个扇区，前4个扇区为32kb大小，第五个山扇区为128kb大小，剩下的3个扇区都是256kb大小，共1MB
# I# y3 Y6 \$ B9 u4 R
& f$ T5 O' v" d% r2 l: T( w! l8 m系统存储器
  ?9 G2 e+ }1 J! d存放Bootloader代码，此代码是出厂时就固化的，用来给主存储器下载代码，当B0接3.3v时默认从系统存储器启动
$ [5 j% [- h! s1 U- T1 H
6 @0 W* b: L+ Y9 p  L+ \OTP区域
一次性可编程区域，共1056byte，被划分为16个64字节的OTP数据块和1个16字节的OTP锁定块。锁定块决定了数据块是否可编程。

  C2 I5 k- J/ C9 ~) R+ J% K& _选项字节
3 {: {; Q& v6 O  y7 D
闪存的读取
) ^* m% ~1 N, z# z0 L6 X为了准确的读取Flash数据，需要根据CPU时钟(HCLK)的频率和器件电源电压设置FLSH的存取控制寄存器(FLASH_ACR)中的等待周期数(LATENCY)，CPU频率与FLASH等待周期数的对应关系如图：
+ T3 ?: G+ {5 j; g1 l7 w
9 Q( l4 o8 O' I1 e' W

等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY[3:0]来设置，系统复位后，系统时钟为内部的16MRC振荡器，LATENCY默认是0(1个等待周期)。供电电压一般默认为3.3，所以在设置216Mhz频率作为CPU时钟之前，必须先设置LATENCY为7(8个CPU周期)，否则FLASH读写可能会出错导致死机。
STM23F7的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr ，读取一个字（一个字为32 位），可以通过如下的语句读取：
- O7 Z7 _, {- J# ~              data=(vu32)addr;
将addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
类似的，将上面的 vu32 改为 vu8 ，即可读取指定地址的一个字节。
1 g0 @8 N3 i0 E/ [, @& j1 P: F/ Z: i
: Z3 `1 T& O) }3 q  g4 p, r闪存的编程和擦除
执行任何Flash的编程操作(擦除或编程)时，CPU时钟频率(HCLK)不能低于1Mhz。如果在Flash操作期间期间器件发生复位，无法保证Flash的内容。
在对Flash执行写入或擦除操作期间，任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后才能正确处理读操作。
' W) R+ n2 h# Q6 R, ASTM32F767的闪存编程由7个32位寄存器控制，如下
6 V( R# Y! \+ U$ _% U' m

6 a5 Z' Y' ^% g! L! k
- U& r( k- I5 i: _5 ~1 `  SSTM32F767复位后，Flash的编程操作是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列(0X45670123 和 0XCDEF89AB)到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，才能操作相关寄存器。
STM32F767的编程位数通过FLASH_CR的PSIZE字段配置，PSIZE的设置必须和电源电压匹配，见表，使用3.3v供电时，PSIZE必须设置为10，擦除护着编程都必须以32位为基础。
9 r/ J* y; ^* Y: K3 ?. b3 l
3 E' @! g# p  w8 @

FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(值必须是0XFFFFFFFF)，否则无法写入。

1 t) i( Q2 @& q4 \3 dSTM32F767的标准编程步骤
6 o) \) v+ @" k$ m; @1 _1 \* s检查Flash_SR的BSY位，确定当前未执行任何Flash操作;
将Flash_CR寄存器中的PG位置1，激活Flash编程;
针对所需存储器地址(主存储器块或OTP区域内)执行数据写入操作(PSIZE需要已经设置)
等待BSY位清，完成一次编程。
( ~8 V. s' X* g以上四步操作就可以完成一次FLASH编程操作，需要注意几点：
  _/ O6 y2 d  T, {+ R确保编程地址已擦除
9 G, z) C$ {; X/ l1 ?需要先解锁FLASH_CR，操作完后要上锁
9 i! l" s/ b# k' ~. I+ B+ T! d  |变成操作对OPT区域也一样
& S5 |) d9 m/ P
0 q, v+ w5 }/ W! M" P& Y
STM32F767的擦除
8 A* V1 W* U" V3 Q: a扇区擦除
检查FLASH_CR是否解锁，未解锁先解锁
- W6 \% g+ T3 r1 U, }5 h% ]检查FLASH_SR的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作
将FLASH_CR的SER位置1，并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区(SNB)
将FLASH_CR的STRT置1，触发擦除操作
8 U, w5 P) X' L9 P等待BSY位清零
; @0 G8 G$ [$ T) \/ \  d整片擦除
附录
6 a, l8 [9 j2 _# ?' n0 A2 ^代码
依赖于HAL库
  _) q# B4 Q" f% e  q
& H! {$ H0 L8 i

1. #include "stmflash.h"
   0 c4 g, e) X% r  S" H
2. #include "delay.h"
   
3. 
   & ]' x2 V, Q2 Z4 J7 x7 }- f' o+ C
4. //读取指定地址的字(32位数据)
     z# R9 L5 L3 M; ^8 U0 O- A
5. //faddr:读地址
   ) ^+ ~. k- V; ?; k3 f- c+ X
6. //返回值:对应数据.
   
7. u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
   
8. {
   
9.     return *(__IO uint32_t *)faddr;
   , N5 k' E" v, G* ~& z! {" |  `' Q
10. }
    
11. 
    5 q: M  r! }# M
12. //获取某个地址所在的flash扇区
    
13. //addr:flash地址
    - S- S1 }. Y/ e& z8 f* v3 Q
14. //返回值:0~11,即addr所在的扇区
    7 \2 r1 r4 a& D0 @0 D% l: _
15. uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
    4 S  L& H" Q) f9 M+ A1 ~  _) A3 ?2 a
16. {
    
17.     if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
    ! z$ j; K6 N4 _6 \) |, g
18.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
    : u5 B3 q/ c% N- I- ^
19.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
    
20.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
    
21.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
    ; J2 Q2 J3 P2 ?9 g& }4 |5 R5 A
22.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
    
23.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
    . z$ e0 q1 b4 y
24.     return FLASH_SECTOR_7;   
    
25. }
    ' d! K1 O4 N! w/ {6 }
26. 
    
27. //从指定地址开始写入指定长度的数据
    
28. //特别注意:因为STM32F7的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
    
29. //         写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
    ; i7 ?0 @* q, b+ S+ t$ H- i. I4 [
30. //         写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
    
31. //         没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
    
32. //该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
    - p5 I* F& y" U2 N2 d* _$ z0 z
33. //OTP区域地址范围:0X1FF0F000~0X1FF0F41F
    & j/ m8 G! \% v
34. //WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
    ; \! d: Z% K: Y8 c. H
35. //pBuffer:数据指针
    
36. //NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.)
    
37. void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)   
    % {1 @, u# L- ^" L9 Q/ J. @% K
38. {
    8 c: x5 L7 O9 V- t  L. u$ Q! M
39.     FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
    
40.     HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
    
41.     u32 SectorError=0;
    ) P( @! D# p$ q
42.     u32 addrx=0;
    
43.     u32 endaddr=0;   
    ' _% u1 }: p6 w0 u
44.     if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;    //非法地址
      K1 t! C; a+ D) j7 S* {5 t0 q
45. 
    
46.     HAL_FLASH_Unlock();             //解锁
    
47.     addrx=WriteAddr;                //写入的起始地址
    % y- H) t# [- c
48.     endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;    //写入的结束地址
    9 E3 C* L6 Z  s0 m
49. 
    
50.     if(addrx<0X1FF00000)
    
51.     {
    
52.         while(addrx<endaddr)        //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
    
53.         {
    . S& P. O( b. \) a" C3 D! w- y9 R  }
54.             if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
    4 Y# s+ e1 G0 x6 h$ T- |
55.             {   
    
56.                 FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       //擦除类型，扇区擦除
    
57.                 FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);   //要擦除的扇区
    
58.                 FlashEraseInit.NbSectors=1;                             //一次只擦除一个扇区
    & G. H1 m* ]' t7 R+ a- V, Z. T
59.                 FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
    
60.                 if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
    
61.                 {
    
62.                     break;//发生错误了   
    
63.                 }
    
64.                 SCB_CleanInvalidateDCache();                            //清除无效的D-Cache
    
65.             }else addrx+=4;
    
66.             FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成
    
67.         }
    4 ^, `* ?+ T. v) t; {/ D4 b" j8 V
68.     }
    
69.     FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            //等待上次操作完成
    + @$ L" F7 z1 R( B1 w
70.     if(FlashStatus==HAL_OK)
    & ?1 F% g( l4 ?* |
71.     {
    6 i3 X1 _) D1 P+ C0 @( L9 {0 Y
72.         while(WriteAddr<endaddr)//写数据
    
73.         {
    " h$ c+ Y9 X: L6 x/ u
74.             if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
    " S$ f5 ?' }4 F) w. X
75.             {
    
76.                 break;    //写入异常
    . D8 Y& r5 @5 V
77.             }
    % d4 T' G% o7 j5 r  P& W
78.             WriteAddr+=4;
    
79.             pBuffer++;
    
80.         }
    ( q+ P6 r4 d, w
81.     }
    
82.     HAL_FLASH_Lock();           //上锁
    
83. }
    
84. 
    
85. //从指定地址开始读出指定长度的数据
    * D" |  E! b1 q) B
86. //ReadAddr:起始地址
    
87. //pBuffer:数据指针
    9 O0 y3 e: X9 b' e8 B# a: v# Y+ \
88. //NumToRead:字(32位)数
    7 g0 }+ ^" Z2 v4 r4 I+ \
89. void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)      
    
90. {
    
91.     u32 i;
    # |  x1 s& B1 }3 _) o2 C( a& H
92.     for(i=0;i<NumToRead;i++)
    
93.     {
    
94.         pBuffer<i>=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
    3 S2 A5 J5 O$ Y" w# I9 K2 G
95.         ReadAddr+=4;//偏移4个字节.   
    ! [( t* U, Q% `; `! b
96.     }
    , Z0 W% e7 I2 h
97. }
    1 G  s  M. p$ H7 s, i
98. 
    
99. </i>

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