Flash
+ Z" `2 C  E% p4 @6 q闪存模块

2 W: }8 X3 o+ e1 e% x  d

  K9 \# N7 x+ {$ y$ }+ ~+ c+ `模块组织表如上，可见STM32F767IGT6由：主存储器、系统存储器、OPT区域、选项字节4部分组成。
( m3 j( S* V  l/ U/ h7 SSTM32F767的Flash访问路径有两条：AXIM和ICTM，一般使用AXIM接口访问Falsh，其其实地址为0X08000000

主存储器
存放代码和数据常量(const常量数据)。它可以分为1个Bank(默认)和2个Bank，可以通过选项字节nDBank位来设置。
在单Bank模式下，STM32F767的主存储器被分为8个扇区，前4个扇区为32kb大小，第五个山扇区为128kb大小，剩下的3个扇区都是256kb大小，共1MB

5 [* f# [8 X% W  b  }* H系统存储器
/ a( O: [2 D7 f存放Bootloader代码，此代码是出厂时就固化的，用来给主存储器下载代码，当B0接3.3v时默认从系统存储器启动

OTP区域
* R& ?0 I! c7 ~! [  S* X一次性可编程区域，共1056byte，被划分为16个64字节的OTP数据块和1个16字节的OTP锁定块。锁定块决定了数据块是否可编程。
! c! Z( q+ V' I. z- U
选项字节

! o6 ?+ Q7 A2 M0 G# y) V; W闪存的读取
5 J$ }7 o% ?* z& c! z. N# i为了准确的读取Flash数据，需要根据CPU时钟(HCLK)的频率和器件电源电压设置FLSH的存取控制寄存器(FLASH_ACR)中的等待周期数(LATENCY)，CPU频率与FLASH等待周期数的对应关系如图：
& ^5 [$ n7 H# ?/ W( q' ]

等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY[3:0]来设置，系统复位后，系统时钟为内部的16MRC振荡器，LATENCY默认是0(1个等待周期)。供电电压一般默认为3.3，所以在设置216Mhz频率作为CPU时钟之前，必须先设置LATENCY为7(8个CPU周期)，否则FLASH读写可能会出错导致死机。
STM23F7的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr ，读取一个字（一个字为32 位），可以通过如下的语句读取：
$ _9 K3 _1 D5 a, w# {6 p4 V              data=(vu32)addr;
将addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
) U! i3 \! Z; E7 l  B; z类似的，将上面的 vu32 改为 vu8 ，即可读取指定地址的一个字节。
8 }. J4 B) l( k2 U! V5 i
$ x0 S0 v9 t' D, u2 q0 G闪存的编程和擦除
执行任何Flash的编程操作(擦除或编程)时，CPU时钟频率(HCLK)不能低于1Mhz。如果在Flash操作期间期间器件发生复位，无法保证Flash的内容。
; x* f* }2 h: Q5 V在对Flash执行写入或擦除操作期间，任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后才能正确处理读操作。
STM32F767的闪存编程由7个32位寄存器控制，如下

  a+ L) O: J3 Y# ~7 @! @

STM32F767复位后，Flash的编程操作是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列(0X45670123 和 0XCDEF89AB)到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，才能操作相关寄存器。
STM32F767的编程位数通过FLASH_CR的PSIZE字段配置，PSIZE的设置必须和电源电压匹配，见表，使用3.3v供电时，PSIZE必须设置为10，擦除护着编程都必须以32位为基础。

2 ~1 q  D! v+ N# D+ L
FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(值必须是0XFFFFFFFF)，否则无法写入。

STM32F767的标准编程步骤
检查Flash_SR的BSY位，确定当前未执行任何Flash操作;
将Flash_CR寄存器中的PG位置1，激活Flash编程;
9 v- r9 [' S4 G! X针对所需存储器地址(主存储器块或OTP区域内)执行数据写入操作(PSIZE需要已经设置)
等待BSY位清，完成一次编程。
5 J* d5 K, D) R7 z- }) t) `6 J' F  E4 h# c以上四步操作就可以完成一次FLASH编程操作，需要注意几点：
! C3 F* ~2 k  a1 m0 ^确保编程地址已擦除
需要先解锁FLASH_CR，操作完后要上锁
变成操作对OPT区域也一样
) b& y7 K) a  t" |

STM32F767的擦除
: W- Y) m0 S3 n4 m: {) \  d扇区擦除
5 }5 F$ l& M8 D4 F9 G1 a. ~! R! _2 n检查FLASH_CR是否解锁，未解锁先解锁
检查FLASH_SR的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作
# @9 L& ^* l' s2 {将FLASH_CR的SER位置1，并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区(SNB)
将FLASH_CR的STRT置1，触发擦除操作
等待BSY位清零
整片擦除
# c$ u- i8 X; v6 B4 }附录
$ b: R  D' t" k代码
" Q- w! @8 M: H$ S" o6 R6 B' \+ [依赖于HAL库

  x$ R4 m1 e+ s+ C

1. #include "stmflash.h"
   ' t( @  S7 I: f+ Z, }0 q. P7 \
2. #include "delay.h"
   9 k! S% E  L, p- ]4 x7 y0 x
3. 
   
4. //读取指定地址的字(32位数据)
   
5. //faddr:读地址
   
6. //返回值:对应数据.
   
7. u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
   , X  v9 W% j* S/ _  \8 Q
8. {
   
9.     return *(__IO uint32_t *)faddr;
   
10. }
    
11. 
    
12. //获取某个地址所在的flash扇区
    9 \! M0 m4 H0 `3 ?
13. //addr:flash地址
    8 K/ V& X' p, T+ x/ p
14. //返回值:0~11,即addr所在的扇区
    5 Y7 q, [& e+ y7 X" m
15. uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
    " C5 O: z- Z6 X1 s, l$ B
16. {
    
17.     if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
    % F+ f2 l# m* _; j
18.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
    
19.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
    3 W  J) q. N* ~
20.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
    
21.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
    
22.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
    ) S8 ^1 l5 p; ^8 ]: R
23.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
    
24.     return FLASH_SECTOR_7;   
    
25. }
    ) ?# `% p# N, s$ u/ c4 L6 o
26. 
    
27. //从指定地址开始写入指定长度的数据
    6 d+ \4 V7 I4 M% D
28. //特别注意:因为STM32F7的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
    
29. //         写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
    
30. //         写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
    1 q! J/ {) Z' x* ^
31. //         没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
    
32. //该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
    : M' T; @7 P" Z) _5 d- s7 H
33. //OTP区域地址范围:0X1FF0F000~0X1FF0F41F
    
34. //WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
    
35. //pBuffer:数据指针
    . U7 O  i( F! S" i1 ?, e, w5 j1 z
36. //NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.)
    
37. void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)   
    ; t, B6 k, u, Q. @1 ]2 A( \0 a
38. {
    
39.     FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
    
40.     HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
    
41.     u32 SectorError=0;
    + c9 Z) A: P& _" U2 I) A
42.     u32 addrx=0;
    1 g9 ]* }8 z, Y" ^* f! E
43.     u32 endaddr=0;   
    
44.     if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;    //非法地址
    ( ~8 m" m5 J& x& Q, f) c  V' J: h
45. 
    & h& n/ w/ Y7 D% L6 w3 T: [3 h; G
46.     HAL_FLASH_Unlock();             //解锁
    
47.     addrx=WriteAddr;                //写入的起始地址
    
48.     endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;    //写入的结束地址
    & V- c2 T9 x& b
49. 
    
50.     if(addrx<0X1FF00000)
    6 Y! j, \% [$ G+ f4 r' e
51.     {
    ! y) I, ^  R4 C& }
52.         while(addrx<endaddr)        //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
    9 l' @1 Y+ a- `, _5 ^4 G0 J  d. D+ [
53.         {
    
54.             if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
    
55.             {   
    ' t$ M9 p0 z" V$ ?9 i
56.                 FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       //擦除类型，扇区擦除
    : {9 Q( F9 }2 y0 d
57.                 FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);   //要擦除的扇区
    1 ~; k% p8 Y4 o0 X; H& _
58.                 FlashEraseInit.NbSectors=1;                             //一次只擦除一个扇区
    
59.                 FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
    
60.                 if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
    
61.                 {
    
62.                     break;//发生错误了   
    , }( _9 H, F% W
63.                 }
    
64.                 SCB_CleanInvalidateDCache();                            //清除无效的D-Cache
    3 y% w! k1 A0 C5 O
65.             }else addrx+=4;
    
66.             FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成
    / x/ z  M) U% E# i  P
67.         }
    
68.     }
    
69.     FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            //等待上次操作完成
    4 W- R4 }9 z. K+ h- t- S
70.     if(FlashStatus==HAL_OK)
    
71.     {
    6 f7 }8 O0 H, @
72.         while(WriteAddr<endaddr)//写数据
    ) m$ X4 C4 I- v% A! B
73.         {
    % M- x( K' [  x) M+ q- F
74.             if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
    
75.             {
    9 b) K% r& ?% B8 V2 }
76.                 break;    //写入异常
    . s4 N: {% b0 ?. d
77.             }
    
78.             WriteAddr+=4;
      j2 _5 F1 _; `
79.             pBuffer++;
    % C8 u4 w* F9 z* x0 }
80.         }
    / B& r7 u% {! H5 \
81.     }
    0 X" Z% ~- G$ @1 ^/ D" v
82.     HAL_FLASH_Lock();           //上锁
    
83. }
    
84. 
    6 v4 O9 F/ |7 Y- z2 U
85. //从指定地址开始读出指定长度的数据
    # v9 i& L) U5 W: U# ?. f
86. //ReadAddr:起始地址
    7 w7 Y6 X: N! G  K9 ^
87. //pBuffer:数据指针
    # r; z% H2 L. N+ V9 S8 ]
88. //NumToRead:字(32位)数
    6 G& B& W7 [- c! X
89. void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)      
    5 t* i$ X" M  I
90. {
    $ i9 m, j+ `# W
91.     u32 i;
    ! T% r% a6 f" L# D( g2 ?8 X: `
92.     for(i=0;i<NumToRead;i++)
    
93.     {
    
94.         pBuffer<i>=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
    
95.         ReadAddr+=4;//偏移4个字节.   
    
96.     }
    . s2 u& B: ~; V: ?
97. }
    
98. 
    
99. </i>

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