Flash
' s/ r1 B) R% x# I. {$ X0 i闪存模块
! z8 K3 u0 H! J9 M
! q0 Q: r' E; c" y5 h- u" ^* |% d

% {9 ~4 r/ [; u, Y0 e% g' A模块组织表如上，可见STM32F767IGT6由：主存储器、系统存储器、OPT区域、选项字节4部分组成。
STM32F767的Flash访问路径有两条：AXIM和ICTM，一般使用AXIM接口访问Falsh，其其实地址为0X08000000
" S) ~9 S% ]5 b5 s3 y# N
" H' r4 H- p, Z1 c" q' Y+ ^主存储器
  @8 i! g' o( H, Q6 M3 ]  z6 o存放代码和数据常量(const常量数据)。它可以分为1个Bank(默认)和2个Bank，可以通过选项字节nDBank位来设置。
在单Bank模式下，STM32F767的主存储器被分为8个扇区，前4个扇区为32kb大小，第五个山扇区为128kb大小，剩下的3个扇区都是256kb大小，共1MB
' ?' M$ q# a. O, ?5 E( e' g
* M$ s& E; J, H  O系统存储器
存放Bootloader代码，此代码是出厂时就固化的，用来给主存储器下载代码，当B0接3.3v时默认从系统存储器启动
2 M: ~4 D) C% z" U
2 \1 w) i0 y7 p. _  POTP区域
一次性可编程区域，共1056byte，被划分为16个64字节的OTP数据块和1个16字节的OTP锁定块。锁定块决定了数据块是否可编程。
. z: T/ I* }' y9 F. o
" V0 P- J6 h! ?选项字节

闪存的读取
为了准确的读取Flash数据，需要根据CPU时钟(HCLK)的频率和器件电源电压设置FLSH的存取控制寄存器(FLASH_ACR)中的等待周期数(LATENCY)，CPU频率与FLASH等待周期数的对应关系如图：

等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY[3:0]来设置，系统复位后，系统时钟为内部的16MRC振荡器，LATENCY默认是0(1个等待周期)。供电电压一般默认为3.3，所以在设置216Mhz频率作为CPU时钟之前，必须先设置LATENCY为7(8个CPU周期)，否则FLASH读写可能会出错导致死机。
! S1 H  i% ^, K4 G" ~8 ZSTM23F7的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr ，读取一个字（一个字为32 位），可以通过如下的语句读取：
9 _0 x0 D( s3 Q& ?/ ?7 N              data=(vu32)addr;
将addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
( Q# ?1 s/ s2 K6 o类似的，将上面的 vu32 改为 vu8 ，即可读取指定地址的一个字节。

! o$ x9 P. e! R" \' B* e闪存的编程和擦除
执行任何Flash的编程操作(擦除或编程)时，CPU时钟频率(HCLK)不能低于1Mhz。如果在Flash操作期间期间器件发生复位，无法保证Flash的内容。
在对Flash执行写入或擦除操作期间，任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后才能正确处理读操作。
STM32F767的闪存编程由7个32位寄存器控制，如下

1 i$ J; N% s5 l6 R8 k. O* ^2 Y% uSTM32F767复位后，Flash的编程操作是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列(0X45670123 和 0XCDEF89AB)到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，才能操作相关寄存器。
STM32F767的编程位数通过FLASH_CR的PSIZE字段配置，PSIZE的设置必须和电源电压匹配，见表，使用3.3v供电时，PSIZE必须设置为10，擦除护着编程都必须以32位为基础。
1 k: Q. _0 D; V& a$ y2 }
+ ^- [0 H8 Y: r" {4 k8 w$ m

1 K. M2 h" x+ ]8 d. v; ^FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(值必须是0XFFFFFFFF)，否则无法写入。

( u8 R8 u1 N3 \7 m+ k8 r4 hSTM32F767的标准编程步骤
检查Flash_SR的BSY位，确定当前未执行任何Flash操作;
: w, X, {5 C: C( X0 \将Flash_CR寄存器中的PG位置1，激活Flash编程;
8 t8 E- s1 T" B" D2 i# h针对所需存储器地址(主存储器块或OTP区域内)执行数据写入操作(PSIZE需要已经设置)
* X1 q: R4 U2 F: T6 N; F9 f等待BSY位清，完成一次编程。
7 }- g; Z( _1 T5 e, o, o: o$ C# G: U以上四步操作就可以完成一次FLASH编程操作，需要注意几点：
  h8 g& S) i$ ]9 F5 o) v; s/ b确保编程地址已擦除
* `. x& Z- Y, y5 }需要先解锁FLASH_CR，操作完后要上锁
8 R; l% w/ B, C& Y2 U变成操作对OPT区域也一样
7 n" r! C, n% S4 B

( F& p4 m5 @% W. g. TSTM32F767的擦除
扇区擦除
6 K' ~+ P2 Y5 J$ I1 l3 y检查FLASH_CR是否解锁，未解锁先解锁
2 ?2 p" f5 {# x2 |检查FLASH_SR的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作
. F  o, Y( e4 R. P3 W将FLASH_CR的SER位置1，并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区(SNB)
将FLASH_CR的STRT置1，触发擦除操作
' r2 D5 b; K* K& X5 O  u% R等待BSY位清零
整片擦除
附录
- |& r6 e4 E9 a* |代码
依赖于HAL库

1. #include "stmflash.h"
     w: `7 _& K/ k: h: z- Y+ E* m8 w
2. #include "delay.h"
   
3. 
   
4. //读取指定地址的字(32位数据)
   0 V- l' q# A( x
5. //faddr:读地址
   
6. //返回值:对应数据.
   1 X& `. W( U8 a/ t7 ]
7. u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
   ! B0 U( `7 o& I1 Z
8. {
   , h0 c% u8 @6 c
9.     return *(__IO uint32_t *)faddr;
   
10. }
    ) w: y4 x3 ^" |1 p! ^9 s. `
11. 
    
12. //获取某个地址所在的flash扇区
    
13. //addr:flash地址
    
14. //返回值:0~11,即addr所在的扇区
    . Q& I2 e! a5 c, M
15. uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
    ( Y$ S& D  H2 L. s
16. {
    # }9 T# s, B* c- H
17.     if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
    
18.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
    
19.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
    ( J0 q% l$ x+ ~; Q; E
20.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
    # x3 [7 N1 V# m5 l; D0 l* }: j
21.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
    
22.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
    
23.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
    
24.     return FLASH_SECTOR_7;   
    $ l; `7 ~/ d! b5 V8 k
25. }
    
26. 
    
27. //从指定地址开始写入指定长度的数据
    
28. //特别注意:因为STM32F7的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
    
29. //         写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
    7 Q8 H8 N0 f; Q0 ]* M) g- h0 I( D8 K
30. //         写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
    + Z7 ?. O" o. l3 o$ b+ R
31. //         没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
    
32. //该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
    
33. //OTP区域地址范围:0X1FF0F000~0X1FF0F41F
    8 ]' W4 N$ z' I5 o
34. //WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
    5 y( O/ A  ]  t. J6 d
35. //pBuffer:数据指针
    1 `9 Z7 p, z( K! d+ W2 i; l( B
36. //NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.)
    4 s, |! O  m% e+ \4 s
37. void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)   
    
38. {
    6 `8 \; L. v4 h4 R5 ~% O: F
39.     FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
    
40.     HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
    
41.     u32 SectorError=0;
    
42.     u32 addrx=0;
    / p( Z  I8 Z6 d) E: a; B1 a
43.     u32 endaddr=0;   
    9 t" h( f, |0 g7 H
44.     if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;    //非法地址
    
45. 
    # o, B  ?  `* l* m( I6 q2 K. r
46.     HAL_FLASH_Unlock();             //解锁
    
47.     addrx=WriteAddr;                //写入的起始地址
    
48.     endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;    //写入的结束地址
    
49. 
    
50.     if(addrx<0X1FF00000)
    
51.     {
    
52.         while(addrx<endaddr)        //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
    5 Y- z( q8 y, Q3 z) u. O
53.         {
    8 ^# ^9 h5 N) A' d, |+ h+ L. Z
54.             if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
    
55.             {   
    / q/ B+ c  E* G/ p% B  {0 ^4 d
56.                 FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       //擦除类型，扇区擦除
    
57.                 FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);   //要擦除的扇区
    4 ~) U/ m, S5 L5 H
58.                 FlashEraseInit.NbSectors=1;                             //一次只擦除一个扇区
    4 k2 U2 S  f- n, v- s6 q
59.                 FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
    * P. [( m9 l* }  m  {
60.                 if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
    / g/ |3 F, t: E& D* S
61.                 {
    
62.                     break;//发生错误了   
    
63.                 }
    ; ?& Z, w3 N0 O& ~3 @6 t1 c
64.                 SCB_CleanInvalidateDCache();                            //清除无效的D-Cache
    ! ^$ s2 Y, M7 p$ O0 Q; Q6 s- }# ?
65.             }else addrx+=4;
    
66.             FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成
    * c" X/ |0 v, s0 b9 w
67.         }
    
68.     }
    ; @: K0 U- H% w
69.     FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            //等待上次操作完成
    9 X! O6 v& B* |. O" m( ]. u% q
70.     if(FlashStatus==HAL_OK)
    
71.     {
    
72.         while(WriteAddr<endaddr)//写数据
    
73.         {
    
74.             if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
    ; L% F3 j5 ~- e$ E! v$ P, k
75.             {
    / H; F% u" d" @$ {% a1 \$ E# r
76.                 break;    //写入异常
    - X6 C" A3 D( b/ k7 s4 k# e
77.             }
    " [5 |. j$ _5 I6 t: j  }1 Q  ?
78.             WriteAddr+=4;
    $ q2 [4 S% A/ |. ^  d
79.             pBuffer++;
    
80.         }
    
81.     }
    
82.     HAL_FLASH_Lock();           //上锁
    % H: l" `) s6 o
83. }
    6 s1 ^7 \% x' h0 q8 K2 z7 b" J5 R; R
84. 
    2 l  {3 I0 Y% v. B4 o
85. //从指定地址开始读出指定长度的数据
    # a0 `" |/ z* D0 _3 F6 M
86. //ReadAddr:起始地址
    
87. //pBuffer:数据指针
      Q0 v/ @( p! A1 q/ A$ {  k
88. //NumToRead:字(32位)数
    
89. void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)      
    . e, X9 a2 z' c
90. {
    
91.     u32 i;
    1 O6 h1 R" p( ]* l' e2 R
92.     for(i=0;i<NumToRead;i++)
    
93.     {
    6 Z  e1 ^7 i& a& ^
94.         pBuffer<i>=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
    1 M; e7 V0 [. F
95.         ReadAddr+=4;//偏移4个字节.   
    # S0 Y1 n" N, A* w2 U  y
96.     }
    
97. }
    * N' C+ [# j" Y
98. 
      D6 O2 m( B6 L' U
99. </i>

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