Flash
闪存模块

! M+ \1 [% L! X6 k! [
) p/ y/ V3 _( `3 u模块组织表如上，可见STM32F767IGT6由：主存储器、系统存储器、OPT区域、选项字节4部分组成。
  C3 e% F" K$ T+ I" _STM32F767的Flash访问路径有两条：AXIM和ICTM，一般使用AXIM接口访问Falsh，其其实地址为0X08000000
# M/ G: }3 t* L4 M4 b7 Q3 d
主存储器
存放代码和数据常量(const常量数据)。它可以分为1个Bank(默认)和2个Bank，可以通过选项字节nDBank位来设置。
在单Bank模式下，STM32F767的主存储器被分为8个扇区，前4个扇区为32kb大小，第五个山扇区为128kb大小，剩下的3个扇区都是256kb大小，共1MB

& @$ y8 P. u5 L  u系统存储器
存放Bootloader代码，此代码是出厂时就固化的，用来给主存储器下载代码，当B0接3.3v时默认从系统存储器启动
' x6 _. W: R! c( H# L6 |- s  U
OTP区域
/ U- r  J( H+ X3 I) c一次性可编程区域，共1056byte，被划分为16个64字节的OTP数据块和1个16字节的OTP锁定块。锁定块决定了数据块是否可编程。

选项字节
- x2 _# O, \" ]! y4 T: ]5 w
闪存的读取
( n( ?& L* l* [7 q* ]# t为了准确的读取Flash数据，需要根据CPU时钟(HCLK)的频率和器件电源电压设置FLSH的存取控制寄存器(FLASH_ACR)中的等待周期数(LATENCY)，CPU频率与FLASH等待周期数的对应关系如图：

+ F9 o4 ~* C5 S1 ?2 `% h6 m  g

; ]2 M+ _! x* |9 J
- L- N0 V4 X' m! Y3 C* d% ]等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY[3:0]来设置，系统复位后，系统时钟为内部的16MRC振荡器，LATENCY默认是0(1个等待周期)。供电电压一般默认为3.3，所以在设置216Mhz频率作为CPU时钟之前，必须先设置LATENCY为7(8个CPU周期)，否则FLASH读写可能会出错导致死机。
0 [! }7 M' ~% l9 o! qSTM23F7的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr ，读取一个字（一个字为32 位），可以通过如下的语句读取：
              data=(vu32)addr;
( z9 K1 ?) N4 b3 Y将addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
* {. j7 Q0 b' E: V$ _类似的，将上面的 vu32 改为 vu8 ，即可读取指定地址的一个字节。

: L+ g* ~0 `6 o( D8 ^. e闪存的编程和擦除
+ O" |5 l! l4 W  a0 \执行任何Flash的编程操作(擦除或编程)时，CPU时钟频率(HCLK)不能低于1Mhz。如果在Flash操作期间期间器件发生复位，无法保证Flash的内容。
7 H/ Y4 l0 X' D' a在对Flash执行写入或擦除操作期间，任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后才能正确处理读操作。
2 U8 Z$ Z! X* Y- J/ }STM32F767的闪存编程由7个32位寄存器控制，如下
. Z2 D% l+ ^4 k/ p' H4 t! D

7 M; l$ r3 ^* Y4 S! iSTM32F767复位后，Flash的编程操作是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列(0X45670123 和 0XCDEF89AB)到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，才能操作相关寄存器。
STM32F767的编程位数通过FLASH_CR的PSIZE字段配置，PSIZE的设置必须和电源电压匹配，见表，使用3.3v供电时，PSIZE必须设置为10，擦除护着编程都必须以32位为基础。
; K* f1 [$ O: O7 c, w: ~
4 Y9 `- S6 k9 l8 x! t

9 M7 x. D6 J0 j& Y7 {5 `$ e2 y
+ @/ i7 J( k& b0 w7 f6 tFLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(值必须是0XFFFFFFFF)，否则无法写入。

STM32F767的标准编程步骤
检查Flash_SR的BSY位，确定当前未执行任何Flash操作;
; `- B  k+ S! k' {  X将Flash_CR寄存器中的PG位置1，激活Flash编程;
* x* t" v; P* o# w针对所需存储器地址(主存储器块或OTP区域内)执行数据写入操作(PSIZE需要已经设置)
/ E0 T3 ~( R5 M/ v等待BSY位清，完成一次编程。
以上四步操作就可以完成一次FLASH编程操作，需要注意几点：
5 J7 ^" {: b: B/ M6 d+ j  Q3 y4 o确保编程地址已擦除
3 t( w0 D# h# a  r1 i0 l' |需要先解锁FLASH_CR，操作完后要上锁
2 D; l8 [# s& n变成操作对OPT区域也一样
/ R2 K" W* D( q- x3 e4 t0 b0 c# [
  `; W& z' A8 d% K! @# Y) a
+ L& O% _. R* Q' F6 HSTM32F767的擦除
& ^- c1 Y! y3 p6 C4 ]  A; `5 a扇区擦除
1 y( Q9 `8 V" k% r: Y检查FLASH_CR是否解锁，未解锁先解锁
8 h9 p% a8 G" o' ]; Y7 q检查FLASH_SR的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作
将FLASH_CR的SER位置1，并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区(SNB)
将FLASH_CR的STRT置1，触发擦除操作
等待BSY位清零
整片擦除
附录
8 t; R' ^8 S5 Y. Q, l2 e; s代码
依赖于HAL库
& e# q2 y4 j, n) J% ^

1. #include "stmflash.h"
   ; i; E3 ~; Y) r8 L+ s
2. #include "delay.h"
   
3. 
   * v# c! G( ^, J  g1 o/ y  p
4. //读取指定地址的字(32位数据)
   7 C+ k* x/ j- ?  I
5. //faddr:读地址
   
6. //返回值:对应数据.
   $ L( w. E, G# U  X; r
7. u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
   : _8 j2 J, u- x* ^6 B+ C
8. {
   
9.     return *(__IO uint32_t *)faddr;
   
10. }
    
11. 
    
12. //获取某个地址所在的flash扇区
      {: C$ P# b+ i1 d3 w! m
13. //addr:flash地址
    & r5 G1 O+ j) S1 }" a9 g' B: R
14. //返回值:0~11,即addr所在的扇区
    ; t$ l$ ~- \2 R
15. uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
    
16. {
    4 u6 `; D5 s  y& ~3 @
17.     if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
    
18.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
    % @3 W9 Q1 j$ c9 z
19.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
    ) H0 D4 f, Q# u1 p! O4 v7 |+ C. Y
20.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
    
21.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
    
22.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
    
23.     else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
    - r% X) J4 M6 v, ]. ]+ _
24.     return FLASH_SECTOR_7;   
    
25. }
    + e- q' w  H; K- A0 M
26. 
    
27. //从指定地址开始写入指定长度的数据
    3 S4 x. |9 f% \, h9 B0 D
28. //特别注意:因为STM32F7的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
    
29. //         写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
    
30. //         写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
    
31. //         没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
    
32. //该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
    5 E6 ~. c, b! N5 Z( u
33. //OTP区域地址范围:0X1FF0F000~0X1FF0F41F
    
34. //WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
    $ z( N$ W! p0 w9 q0 g
35. //pBuffer:数据指针
    
36. //NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.)
    
37. void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)   
    
38. {
    
39.     FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
    
40.     HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
    , A, r) I% x* ?' U  N
41.     u32 SectorError=0;
    
42.     u32 addrx=0;
    3 F; K" X$ W+ V$ h
43.     u32 endaddr=0;   
    ! I/ k7 W! K7 i" \9 S  b: M9 p* _
44.     if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;    //非法地址
    
45. 
    5 ^+ O% n  r8 K% S3 I8 h
46.     HAL_FLASH_Unlock();             //解锁
    
47.     addrx=WriteAddr;                //写入的起始地址
    
48.     endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;    //写入的结束地址
    
49. 
    8 l) R( \1 R+ A6 ?" `& ~$ E' A
50.     if(addrx<0X1FF00000)
    
51.     {
    $ E0 ~9 E( o5 w5 M
52.         while(addrx<endaddr)        //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
    8 w: |6 ?1 R. ]9 X, F+ T4 m
53.         {
    * H6 V9 k6 X. D/ U
54.             if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
    ; ]. H  h8 E, x2 b
55.             {   
    
56.                 FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       //擦除类型，扇区擦除
    . e! e  ~1 q  q3 y: S5 d1 q) d
57.                 FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);   //要擦除的扇区
    5 _5 E# P2 x0 R. M8 |  s
58.                 FlashEraseInit.NbSectors=1;                             //一次只擦除一个扇区
    3 F+ x5 ^" m  X) n1 i( e
59.                 FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
    
60.                 if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
    , N5 `4 \2 L7 |! G
61.                 {
    
62.                     break;//发生错误了   
    : [3 D7 h; G* t
63.                 }
    1 l! _& \' Y4 t
64.                 SCB_CleanInvalidateDCache();                            //清除无效的D-Cache
    
65.             }else addrx+=4;
    
66.             FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成
    3 y$ C* M3 [/ {. V
67.         }
    - C% ?' B: v- X/ r& s1 M3 P
68.     }
    
69.     FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            //等待上次操作完成
    $ S1 B5 ~+ q7 B# R: {
70.     if(FlashStatus==HAL_OK)
    + _+ \$ ^5 @' T
71.     {
    6 O  T. R0 u, A. e
72.         while(WriteAddr<endaddr)//写数据
    
73.         {
    + m8 L. `2 h( E; i# g; Y. D/ l
74.             if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
    : f& a' w& [3 A- W9 A, z. Q  P4 [% W
75.             {
    
76.                 break;    //写入异常
    & o% K) t$ \: ]6 D, u$ w6 S1 z+ l
77.             }
    0 Y/ \$ D' o5 X4 u# {4 C  O
78.             WriteAddr+=4;
    
79.             pBuffer++;
    
80.         }
    5 Y3 y) f6 d2 y3 i$ p$ k9 u$ P% v! x
81.     }
    
82.     HAL_FLASH_Lock();           //上锁
    
83. }
    ! _% g. K. h: K7 C/ A' h9 `
84. 
    ' Q$ m, `6 t% m: c: |1 r
85. //从指定地址开始读出指定长度的数据
    , {' [$ J9 O8 H+ r4 s8 o% v# @/ @
86. //ReadAddr:起始地址
    + M3 `3 r# O2 t& C" P5 q
87. //pBuffer:数据指针
    3 r6 d/ C, @/ m& I" b+ [
88. //NumToRead:字(32位)数
    ! N3 j# @' l7 |8 E2 V- v6 R  h
89. void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)      
    
90. {
    
91.     u32 i;
    
92.     for(i=0;i<NumToRead;i++)
    
93.     {
    
94.         pBuffer<i>=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
    * [, G; X! r9 j2 i1 h& C
95.         ReadAddr+=4;//偏移4个字节.   
    0 A2 f$ \8 Q" {8 ~* b8 L7 s- K+ t$ \
96.     }
    
97. }
    5 {4 T) M  N3 X) A9 j1 F# O
98. 
    ) A2 |& V0 `4 w- M  T
99. </i>

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