本人在设计项目时忘记加eeprom的芯片了，现在板子上只有stm32f103rct6可以用，但是不知道此芯片有没有这样的功能，记录的数据也就是一个16位的数，请教一下大家，不胜感激

FLASH的寿命一般是十万次，这个楼主可以看硬件手册的介绍。是否有设计备用电池？如果有，可以考虑用备用寄存器。

如果是为了断电纪录数据  可以使用内部FLASH  
FLASH擦写速度较慢，并且一次擦写需要按页擦写，操作不便，如果不需要反复读取数据，可以使用FLASH储存
FLASH存储是和程序储存区共用的  所以在写入的时候要注意分配地址，写程序的时候也需要分配地址，避免写程序的时候把数据清除

mylovemcu 发表于 2019-9-4 13:59
如果是为了断电纪录数据  可以使用内部FLASH  
FLASH擦写速度较慢，并且一次擦写需要按页擦写，操作不便， ...

我是需要每次上电时读取之前存储的值，所以不能像一般定义成一个不变的常量

如果更新频率不高的话，可以使用内部flash

STM32可以自编程的，调用flash函数可以擦写数据到芯片flash里，但是不要擦写太频繁了，芯片flash的寿命有限，比eeprom少多了。

sfd123-302670 发表于 2019-9-4 11:51
如果更新频率不高的话，可以使用内部flash

你说的不高指的是多少？5000次算高吗？

哀歌与世无争 发表于 2019-9-4 11:53
STM32可以自编程的，调用flash函数可以擦写数据到芯片flash里，但是不要擦写太频繁了，芯片flash的寿命有限 ...

大概能擦写多少次啊

STM32F1 最少是1万次，其他的看看数据手册

电小龙 发表于 2019-9-4 14:44
我是需要每次上电时读取之前存储的值，所以不能像一般定义成一个不变的常量 ...

那可以使用FLASH存储

可以使用内部FLASH作为数据存储空间。
内部FLASH和其他外部FLAS一样，都是擦了才能写，有寿命限制。
如果数据简单可以自己设计磨损均衡，数据复制可以上文件系统。
其实你也可以直接写一个地方，10万次，一天一次的话，277年，应该够了的。

1. 在PVD中写入FLASH
2. 用备份SRAM

Dandjinh 发表于 2019-9-4 20:51
1. 在PVD中写入FLASH
2. 用备份SRAM

您说的1、 2、是两种不同的方法吗？还是操作的步骤

Dandjinh 发表于 2019-9-4 20:51
1. 在PVD中写入FLASH
2. 用备份SRAM

我是这样应用的，不检测是否断电，我有个按键，没按一次就会有一个数值增加，增加后的值我就直接写进flash里面

如果说只是16bit的数据， 可以划出一个区，比如256个字再，轮着写，只需要多写一个指针就可以了