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大家好 我在使用STM32H743做外部方波的频率计算。外部高速晶振25M,SYSCLK=400MHz, 使用了两种方法都有误差。 方法一,TIM5,200Mhz没有分频,捕获两次上升沿时间,运行后时间为23.74us(换算频率:42122Hz),实际示波器显示23.94us(41771Hz).不清楚这个误差 少200ns哪里产生的? 方法二,方法一基础上做计数,TIM3定义1s的溢出中断,每次中断读取上升沿的次数(TIM5中断中Frq_cnt计数),TIM3 200MHz时钟,Prescaler=20000-1,产生1s的溢出中断,运行后计数为41493Hz(换算单周期时间:24.1us),同上示波器是23.94us(41771),误差 多160ns,两种方法偏差还有差异。 示波器截图如下
代码如下: |
STM32H7电源问题
有关STM32H743ZGT6 驱动RTL8201F-VB芯片驱动的问题,有奖寻求帮助
STM32H725内部FLASH读写问题
我在使用STM32H747IGT6的时候,遇到了一个问题;上电前并未短路,上电后电流跳跃至1.6A,且不断增大至1.9A,断开电源后芯片不短路,请问是什么原因?
为什么在CubeMX中无法分析模型?而在云服务器可以?
STM32H7的LSE起振问题
stm32H7 FLASH写入后数据异常 求教
关于STM32H7的系统架构中总线主设备与总线从设备连接的疑问
STM32H7掉电存储数据
STM32H743ZIT6的4K SRAM备份域数据,当VTAB引脚的电压低于2.8V就会丢失数据,2.8V以上是正常,请问是什么问题?
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第一,注意统计溢出次数;第二,在一轮测试完成前在中断程序里尽量不要逗留太久以免丢失脉冲统计。这样有篇文章可以参考下:
基于定时基于定时器捕获测量脉宽的应用示例 ,它介绍了基于单个定时器通道和双通道PWM输入模式的测量方式。
刚提到的文章链接是 基于定时器捕获测量脉宽的应用示例 (qq.com)