大家好 我在使用STM32H743做外部方波的频率计算。外部高速晶振25M,SYSCLK=400MHz, 使用了两种方法都有误差。 方法一,TIM5,200Mhz没有分频,捕获两次上升沿时间,运行后时间为23.74us(换算频率:42122Hz),实际示波器显示23.94us(41771Hz).不清楚这个误差 少200ns哪里产生的? 方法二,方法一基础上做计数,TIM3定义1s的溢出中断,每次中断读取上升沿的次数(TIM5中断中Frq_cnt计数),TIM3 200MHz时钟,Prescaler=20000-1,产生1s的溢出中断,运行后计数为41493Hz(换算单周期时间:24.1us),同上示波器是23.94us(41771),误差 多160ns,两种方法偏差还有差异。 示波器截图如下 代码如下:
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STM32H735RGV6芯片烧录程序的时候提示未发现目标
stm32h7 dcmi 不进入行中断,且同一帧里面收到的所有字节的值相同,感觉好像在行消隐区接受的数据
stm32h743 lan8720 cube配置lwip无法ping通
怎样提快STM32H750的DMA中断响应时间
H750配置时,ETH中有一句话‘the eth can work only when ram is pointing at 0x24000000’请问是什么意
RTL8201这款PHY在RMII模式下,外部晶振应该是25M合适还是50M合适呢?应该接在哪个引脚呢?
H750 我想用BootLoader直接跳转到 用外部SDRAM和外部QSPI-FLASH的APP程序
STM32H743做数字电源,HRTIM问题
STM32H745烧录异常
STM32F107搭配DP83825 使用lwip通信
第一,注意统计溢出次数;第二,在一轮测试完成前在中断程序里尽量不要逗留太久以免丢失脉冲统计。这样有篇文章可以参考下:
基于定时基于定时器捕获测量脉宽的应用示例 ,它介绍了基于单个定时器通道和双通道PWM输入模式的测量方式。
刚提到的文章链接是 基于定时器捕获测量脉宽的应用示例 (qq.com)